公开(公告)号：CN114303224A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202080059520.3

申请日：2020-08-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李建 ,  V·卡尔塞卡尔 ,  P·布里尔哈特 ,  J·C·罗查 ,  V·K·普拉巴卡尔

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509

Abstract: 本文所述的一个或多个实施例总体上涉及利用高射频(RF)功率来改进均匀性的半导体处理设备。半导体处理设备包括设置在基板支撑元件中的RF供能的主网和RF供能的次网。次RF网放置在主RF网下方。连接组件经配置以将次网耦合至主网。流出主网的RF电流被分配进入多个连接结。这样，即使在总RF功率/电流较高的情况下，因为RF电流散布到多个连接结，防止了主网上出现热点。据此，对基板温度和膜非均匀性具有较小的影响，从而允许使用高得多的RF功率，而不会在正被处理的基板上引起局部热点。