公开(公告)号：CN112204722A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201980034703.7

申请日：2019-06-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马骏 ,  李建 ,  D·H·考齐 ,  A·K·班塞尔 ,  J·C·罗查

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 在一些实施例中，半导体处理装置包含：导电支撑件，包含网；导电轴，包含导电杆；以及多个连接组件。多个连接组件并列地耦接到网并且在单个接面处连接到杆。多个连接组件有助于散布RF电流，从而减少基板中的局部加热，导致更均匀的膜沉积。此外，使用合并且耦接到单个RF杆的连接元件允许杆由可以在较低温度传导RF电流的材料制成。

公开(公告)号：CN116325106A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180069987.0

申请日：2021-10-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·L·布里尔哈特 ,  李建 ,  K·吴 ,  M·米勒 ,  S·川口

IPC: H01L21/67

Abstract: 示例性支撑组件可包括限定基板支撑表面的静电卡盘主体。组件可包括与静电卡盘主体耦接的支撑杆。组件可包括嵌入在静电卡盘主体内的加热器。组件可包括在加热器和基板支撑表面之间嵌入在静电卡盘主体内的电极。组件可包括与电极耦接的功率传输棒。功率传输棒可包括由小于或大约10×10‑6/℃的热膨胀系数表征的材料。

公开(公告)号：CN114303224A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202080059520.3

申请日：2020-08-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李建 ,  V·卡尔塞卡尔 ,  P·布里尔哈特 ,  J·C·罗查 ,  V·K·普拉巴卡尔

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509

Abstract: 本文所述的一个或多个实施例总体上涉及利用高射频(RF)功率来改进均匀性的半导体处理设备。半导体处理设备包括设置在基板支撑元件中的RF供能的主网和RF供能的次网。次RF网放置在主RF网下方。连接组件经配置以将次网耦合至主网。流出主网的RF电流被分配进入多个连接结。这样，即使在总RF功率/电流较高的情况下，因为RF电流散布到多个连接结，防止了主网上出现热点。据此，对基板温度和膜非均匀性具有较小的影响，从而允许使用高得多的RF功率，而不会在正被处理的基板上引起局部热点。

公开(公告)号：CN114342060A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080062434.8

申请日：2020-07-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李建 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  Z·J·叶 ,  D·R·B·拉杰 ,  S·斯里瓦斯塔瓦 ,  韩新海 ,  D·帕德希 ,  胡可嵩 ,  C-Y·王

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 示例性支撑组件可包括限定基板支撑表面的静电吸盘主体。所述组件可包括与静电吸盘主体耦接的支撑杆。所述组件可包括嵌入在静电吸盘主体内的加热器。所述组件还可包括在加热器与基板支撑表面之间嵌入静电吸盘主体内的电极。基板支撑组件可由在大于500℃或约为500℃的温度下和在大于600V或约为600V的电压下通过静电吸盘主体的小于4mA或约为4mA的泄漏电流来表征。