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公开(公告)号：CN111492459B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201880081028.9
申请日：2018-12-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡洛·贝拉 , 德米特里·A·季利诺 , 阿南塔·K·萨布拉曼尼 , 约翰·C·福斯特 , T·塔纳卡
Abstract: 等离子体源组件，所述等离子体源组件包括：RF热电极，所述RF热电极具有主体；和至少一个返回电极，所述至少一个返回电极与所述RF热电极间隔开以提供间隙，等离子体能够形成在所述间隙中。RF馈电器在距所述RF热电极的内周端部的某个距离处连接到所述RF热电极，所述距离小于或等于所述RF热电极的长度的约25％。所述RF热电极可包括与所述RF热电极的所述主体成某个角度延伸的腿和在所述腿附近的可选的三角形部分。在所述RF热电极和所述返回电极中的一个或多个上的包层材料可沿所述等离子体间隙的长度可变地间隔开或具有可变性质。
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公开(公告)号：CN107846769A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711072744.4
申请日：2012-06-21
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种传输线RF施加器装置和用于将RF功率耦接至等离子体腔室中的等离子体的方法。装置包括内导体和一个或两个外导体。所述一个或两个外导体的每个外导体的主要部分包括多个孔，所述多个孔在外导体的内表面和外表面之间延伸。
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公开(公告)号：CN104094676B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201280033414.3
申请日：2012-06-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/46 , H01P3/10 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/3211 , H01J37/3222 , H05H2001/463
Abstract: 一种传输线RF施加器装置和用于将RF功率耦接至等离子体腔室中的等离子体的方法。装置包括内导体和一个或两个外导体。所述一个或两个外导体的每个外导体的主要部分包括多个孔，所述多个孔在外导体的内表面和外表面之间延伸。
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公开(公告)号：CN111010795B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201911183526.7
申请日：2012-06-21
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种传输线RF施加器装置和用于将RF功率耦接至等离子体腔室中的等离子体的方法。装置包括内导体和一个或两个外导体。所述一个或两个外导体的每个外导体的主要部分包括多个孔，所述多个孔在外导体的内表面和外表面之间延伸。
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公开(公告)号：CN108010828B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201711070889.0
申请日：2012-06-21
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种传输线RF施加器装置和用于将RF功率耦接至等离子体腔室中的等离子体的方法。装置包括内导体和一个或两个外导体。所述一个或两个外导体的每个外导体的主要部分包括多个孔，所述多个孔在外导体的内表面和外表面之间延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111492459A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880081028.9
申请日：2018-12-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡洛·贝拉 , 德米特里·A·季利诺 , 阿南塔·K·萨布拉曼尼 , 约翰·C·福斯特 , T·塔纳卡
Abstract: 等离子体源组件，所述等离子体源组件包括：RF热电极，所述RF热电极具有主体；和至少一个返回电极，所述至少一个返回电极与所述RF热电极间隔开以提供间隙，等离子体能够形成在所述间隙中。RF馈电器在距所述RF热电极的内周端部的某个距离处连接到所述RF热电极，所述距离小于或等于所述RF热电极的长度的约25％。所述RF热电极可包括与所述RF热电极的所述主体成某个角度延伸的腿和在所述腿附近的可选的三角形部分。在所述RF热电极和所述返回电极中的一个或多个上的包层材料可沿所述等离子体间隙的长度可变地间隔开或具有可变性质。
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公开(公告)号：CN108010828A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711070889.0
申请日：2012-06-21
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种传输线RF施加器装置和用于将RF功率耦接至等离子体腔室中的等离子体的方法。装置包括内导体和一个或两个外导体。所述一个或两个外导体的每个外导体的主要部分包括多个孔，所述多个孔在外导体的内表面和外表面之间延伸。
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公开(公告)号：CN111433887B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201880078666.5
申请日：2018-12-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： T·塔纳卡 , 德米特里·A·季利诺 , 亚历山大·V·加拉琴科 , 田中庆一
IPC: H01L21/02 , C23C16/455 , H01L21/687
Abstract: 在等离子体增强空间原子层沉积腔室中处理基板的设备及方法。基板移动经过一或更多个等离子体处理区域及一或更多个无等离子体处理区域，同时等离子体功率被脉冲化以防止基板上的电压差超过基板的破坏电压或基板上正形成的装置的破坏电压。
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公开(公告)号：CN111433887A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201880078666.5
申请日：2018-12-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： T·塔纳卡 , 德米特里·A·季利诺 , 亚历山大·V·加拉琴科 , 田中庆一
IPC: H01L21/02 , C23C16/455 , H01L21/687
Abstract: 在等离子体增强空间原子层沉积腔室中处理基板的设备及方法。基板移动经过一或更多个等离子体处理区域及一或更多个无等离子体处理区域，同时等离子体功率被脉冲化以防止基板上的电压差超过基板的破坏电压或基板上正形成的装置的破坏电压。
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公开(公告)号：CN111010795A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911183526.7
申请日：2012-06-21
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种传输线RF施加器装置和用于将RF功率耦接至等离子体腔室中的等离子体的方法。装置包括内导体和一个或两个外导体。所述一个或两个外导体的每个外导体的主要部分包括多个孔，所述多个孔在外导体的内表面和外表面之间延伸。
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