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发明公开
利用微波辐射后处理介电膜的方法审中-实审

公开(公告)号：CN114144863A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202080044321.5

申请日：2020-04-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 孙顒 , P·P·杰哈 , 梁璟梅 , M·J·西蒙斯 , D·李 , S·沙尔玛 , A·J·马耀 , W·R·阿德霍尔德

IPC: H01L21/02 , C23C16/32 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/56 , H01L21/67

Abstract: 本案提供一种对在基板的表面上形成的介电膜进行后处理的方法，方法包括将其上形成有介电膜的基板定位在处理腔室中，并且将介电膜暴露于处理腔室中在5GHz至7GHz之间的频率下的微波辐射。

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