公开(公告)号：CN117524976A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311146441.8

申请日：2018-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁璟梅 ,  Y·孙 ,  郭津睿 ,  P·P·杰哈 ,  J·C·李 ,  T-J·龚 ,  M·斯利尼瓦萨恩

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/67 ,  H01L21/762 ,  H01L21/027

Abstract: 本文公开的实施方式关于在基板中形成沟槽和以可流动介电材料填充沟槽的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：使具有至少一个沟槽的基板经历沉积处理，以自下而上的方式在所述沟槽的底表面和侧壁表面上形成可流动层，直到所述可流动层达到预定的沉积厚度为止；使所述可流动层经历第一固化处理，所述第一固化处理是UV固化处理；使经UV固化的可流动层经历第二固化处理，所述第二固化处理是等离子体处理或等离子体辅助处理；以及依序地且重复地执行所述沉积处理、所述第一固化处理和所述第二固化处理，直到经等离子体固化的可流动层填充沟槽并在所述沟槽的顶表面上达到预定高度为止。

公开(公告)号：CN113330141B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN201980089876.9

申请日：2019-11-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·C·卡鲁塔拉格 ,  M·J·萨利 ,  P·P·杰哈 ,  梁璟梅

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/04 ,  C23C16/452 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02

Abstract: 本文描述及论述的实施例提供了通过气相沉积，如通过可流动化学气相沉积(FCVD)沉积氮化硅材料的方法，及利用新的硅氮前驱物进行此种沉积工艺的方法。氮化硅材料沉积在基板上以用于间隙填充应用，如填充基板表面中形成的沟槽。在一个或更多个实施例中，用于沉积氮化硅膜的方法包括将一种或更多种硅氮前驱物及一种或更多种等离子体活化的共反应物引入处理腔室；在处理腔室内产生等离子体；以及使硅氮前驱物及等离子体活化的共反应物在等离子体中反应，以在处理腔室内的基板上产生可流动的氮化硅材料。该方法还包括处理可流动氮化硅材料以在基板上产生固态氮化硅材料。

公开(公告)号：CN113330141A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201980089876.9

申请日：2019-11-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·C·卡鲁塔拉格 ,  M·J·萨利 ,  P·P·杰哈 ,  梁璟梅

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/04 ,  C23C16/452 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02

Abstract: 本文描述及论述的实施例提供了通过气相沉积，如通过可流动化学气相沉积(FCVD)沉积氮化硅材料的方法，及利用新的硅氮前驱物进行此种沉积工艺的方法。氮化硅材料沉积在基板上以用于间隙填充应用，如填充基板表面中形成的沟槽。在一个或更多个实施例中，用于沉积氮化硅膜的方法包括将一种或更多种硅氮前驱物及一种或更多种等离子体活化的共反应物引入处理腔室；在处理腔室内产生等离子体；以及使硅氮前驱物及等离子体活化的共反应物在等离子体中反应，以在处理腔室内的基板上产生可流动的氮化硅材料。该方法还包括处理可流动氮化硅材料以在基板上产生固态氮化硅材料。

公开(公告)号：CN114737169B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202210426147.1

申请日：2018-02-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y·马 ,  D·拉杰 ,  M·J·西蒙斯 ,  A·波克雷尔 ,  G·奇可卡诺夫 ,  张轶珍 ,  梁璟梅 ,  J·D·平松二世 ,  D·李 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32

Abstract: 本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远程等离子体清洁系统与处理腔室连通。远程等离子体清洁系统经配置对处理区域和等离子体场进行清洁。

公开(公告)号：CN114127898A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080041799.2

申请日：2020-06-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 孙顒 ,  J·C·李 ,  P·P·杰哈 ,  梁璟梅 ,  S·S·奥哈

IPC: H01L21/3105

Abstract: 一种对在基板的表面上形成的氮化硅(SiN)基的介电膜进行后处理的方法，包括：将具有形成在其上的氮化硅(SiN)基的介电膜的基板定位在处理腔室中；以及使氮化硅(SiN)基的介电膜在处理腔室中暴露于含氦高能量低剂量等离子体。含氦高能量低剂量等离子体中的氦离子的能量在1eV与3.01eV之间，且含氦高能量低剂量等离子体中的氦离子的通量密度在5×1015个离子/cm2·秒与1.37×1016个离子/cm2·秒之间。

公开(公告)号：CN107406983A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201580070028.5

申请日：2015-12-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁璟梅 ,  K·V·塔达尼 ,  J·S·卡契安 ,  N·拉贾戈帕兰

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  C23C16/452 ,  C23C16/40 ,  B81B3/00 ,  H01L21/02

Abstract: 减少具支柱的基板的线条弯曲与表面粗糙度的方法包括通过用自由基处理含支柱的基板来形成处理表面。自由基可以是硅基的、氮基的或氧基的。该方法可包括通过使有机硅前体和氧前体反应来在处理表面上面形成介电膜。该方法可包括在约150℃或以下的温度下，固化介电膜。减少具支柱的基板的线条弯曲与表面粗糙度的方法包括通过使有机硅前体、氧前体和自由基前体反应来在含支柱的基板上面形成介电膜。该方法可包括在约150℃或以下的温度下，固化介电膜。自由基前体可选自由氮基自由基前体、氧基自由基前体和硅基自由基前体所组成的群组。

公开(公告)号：CN102844848A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201180018779.4

申请日：2011-02-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁璟梅 ,  X·陈 ,  D·李 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/76837

Abstract: 描述了用以由无碳的硅与氮的前驱物与自由基-氮的前驱物形成含有硅与氮的共形介电层(例如，硅-氮-氢(Si-N-H)膜)的方法、材料以及系统。无碳的硅与氮的前驱物主要藉由接触自由基-氮的前驱物而激发。因为硅与氮的膜在无碳情况下形成，因此可在较少孔形成以及较低体积收缩率下完成膜至硬化的氧化硅的转化。可将经沉积的含硅与氮的膜完全或部分转化为氧化硅，所述氧化硅容许共形介电层的光学特性成为可选择的。可在低温下进行含硅与氮的薄膜的沉积，以在基板沟槽中形成衬垫层。已发现低温衬垫层来增进湿润特性，并且所述低温衬垫层容许可流动的膜更完整地填充沟槽。

公开(公告)号：CN102687252A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201080059994.4

申请日：2010-12-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁璟梅 ,  X·陈 ,  M·L·米勒 ,  N·K·英格尔 ,  S·文卡特拉马

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337

Abstract: 本发明描述形成介电层的方法。本方法可包括以下步骤：混合含硅前驱物与氮自由基前驱物，以及沉积介电层至基板上。氮自由基前驱物在远端等离子体中藉由将氢(H2)及氮(N2)流动至等离子体中以便允许调整氮/氢比例所形成。介电层起初为含硅及氮层，所述含硅及氮层可藉由在含氧环境中固化和/或退火薄膜而转化为含硅及氧层。

公开(公告)号：CN110622298B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201880031479.1

申请日：2018-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁璟梅 ,  Y·孙 ,  郭津睿 ,  P·P·杰哈 ,  J·C·李 ,  T-J·龚 ,  M·斯利尼瓦萨恩

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本文公开的实施方式关于在基板中形成沟槽和以可流动介电材料填充沟槽的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：使具有至少一个沟槽的基板经历沉积处理，以自下而上的方式在所述沟槽的底表面和侧壁表面上形成可流动层，直到所述可流动层达到预定的沉积厚度为止；使所述可流动层经历第一固化处理，所述第一固化处理是UV固化处理；使经UV固化的可流动层经历第二固化处理，所述第二固化处理是等离子体处理或等离子体辅助处理；以及依序地且重复地执行所述沉积处理、所述第一固化处理和所述第二固化处理，直到经等离子体固化的可流动层填充沟槽并在所述沟槽的顶表面上达到预定高度为止。

公开(公告)号：CN114144863A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202080044321.5

申请日：2020-04-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 孙顒 ,  P·P·杰哈 ,  梁璟梅 ,  M·J·西蒙斯 ,  D·李 ,  S·沙尔玛 ,  A·J·马耀 ,  W·R·阿德霍尔德

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/67

Abstract: 本案提供一种对在基板的表面上形成的介电膜进行后处理的方法，方法包括将其上形成有介电膜的基板定位在处理腔室中，并且将介电膜暴露于处理腔室中在5GHz至7GHz之间的频率下的微波辐射。