公开(公告)号：CN102257583A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201080003666.2

申请日：2010-02-09

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 瑟奇·D·洛帕汀 ,  德米特里·A·布列夫诺夫 ,  艾瑞克·卡萨范特 ,  罗伯特·Z·巴克拉克

IPC: H01G4/005

CPC classification number: C25D5/18 ,  H01G11/26 ,  H01G11/30 ,  H01G11/50 ,  H01G11/86 ,  H01M4/0438 ,  H01M4/0452 ,  H01M4/1395 ,  Y02E60/13

Abstract: 本文描述的实施例一般涉及到用于形成在能量存储装置中使用的电极结构的方法和设备。更具体地，本文描述的实施例涉及到用于表征在形成用于能量存储装置的高容量电极结构中使用的纳米材料的方法和设备。在一个实施例中，提供用于形成用于能量存储装置的电极结构的工艺。该工艺包括通过扩散限制沉积工艺以第一电流密度在基板上方沉积柱形金属结构，测量柱形金属结构的电容以确定柱形金属结构的表面积，和在柱形金属结构上方以大于第一电流密度的第二电流密度沉积三维多孔金属结构。