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公开(公告)号：CN115916868A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180049878.2
申请日：2021-07-20
Applicant: 引能仕株式会社
IPC: C08G63/60
Abstract: 本发明的课题在于提供一种具有低介电损耗角正切，且耐热性和加工稳定性的平衡优异的液晶聚酯树脂。本发明的液晶聚酯树脂的特征在于：一种液晶聚酯树脂，其特征在于，其包含来自芳香族羟基羧酸的结构单元(I)、来自芳香族二醇化合物的结构单元(II)、和来自芳香族二羧酸的结构单元(III)，上述结构单元(I)包含来自6‑羟基‑2‑萘甲酸的结构单元(IA)，上述结构单元(III)包含来自对苯二甲酸的结构单元(IIIA)、和来自间苯二甲酸的结构单元(IIIB)，测定频率10GHz下的介电损耗角正切为1.50×10‑3以下，熔点为295℃以上，熔点与结晶点的差为35℃以上。
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公开(公告)号：CN115916867A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180049875.9
申请日：2021-07-20
Applicant: 引能仕株式会社
IPC: C08G63/60
Abstract: 本发明的课题在于提供一种具有低介电损耗角正切，且耐热性和加工稳定性的平衡优异的液晶聚酯树脂。本发明的液晶聚酯树脂的特征在于：其包含来自芳香族羟基羧酸的结构单元(I)、来自芳香族二醇化合物的结构单元(II)、和来自芳香族二羧酸的结构单元(III)，上述结构单元(I)包含来自6‑羟基‑2‑萘甲酸的结构单元(IA)，上述结构单元(III)包含来自间苯二甲酸的结构单元(IIIA)、和来自2，6‑萘二甲酸的结构单元(IIIB)，测定频率10GHz下的介电损耗角正切为1.50×10‑3以下，熔点为290℃以上，熔点与结晶点的温度差为30℃以上。
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公开(公告)号：CN115916866A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180049839.2
申请日：2021-07-20
Applicant: 引能仕株式会社
IPC: C08G63/60
Abstract: 本发明的课题在于提供一种具有低介电损耗角正切，且耐热性和加工稳定性的平衡优异的液晶聚酯树脂。本发明的液晶聚酯树脂的特征在于：包含来自芳香族羟基羧酸的结构单元(I)、来自芳香族二醇化合物的结构单元(II)、和来自芳香族二羧酸的结构单元(III)，上述结构单元(I)为来自6‑羟基‑2‑萘甲酸的结构单元(IA)，上述结构单元(III)包含来自对苯二甲酸的结构单元(IIIA)、来自间苯二甲酸的结构单元(IIIB)、和来自2，6‑萘二甲酸的结构单元(IIIC)，测定频率10GHz下的介电损耗角正切为1.50×10‑3以下，熔点为290℃以上，熔点与结晶点的温度差为30℃以上。
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公开(公告)号：CN115916866B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202180049839.2
申请日：2021-07-20
Applicant: 引能仕株式会社
IPC: C08G63/60
Abstract: 本发明的课题在于提供一种具有低介电损耗角正切，且耐热性和加工稳定性的平衡优异的液晶聚酯树脂。本发明的液晶聚酯树脂的特征在于：包含来自芳香族羟基羧酸的结构单元(I)、来自芳香族二醇化合物的结构单元(II)、和来自芳香族二羧酸的结构单元(III)，上述结构单元(I)为来自6‑羟基‑2‑萘甲酸的结构单元(IA)，上述结构单元(III)包含来自对苯二甲酸的结构单元(IIIA)、来自间苯二甲酸的结构单元(IIIB)、和来自2，6‑萘二甲酸的结构单元(IIIC)，测定频率10GHz下的介电损耗角正切为1.50×10‑3以下，熔点为290℃以上，熔点与结晶点的温度差为30℃以上。
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公开(公告)号：CN115023466A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202180010855.0
申请日：2021-02-16
Applicant: 引能仕株式会社
Abstract: 一种复合物，其由可溶于溶剂的液晶聚酯以及液晶聚合物粒子制成，所述液晶聚合物粒子不溶于溶剂，熔点为270℃以上，粒径分布中的累积分布50％直径D50为20μm以下，并且累积分布90％直径D90为D50的2.5倍以下。
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