液晶聚酯树脂、成型品和电气电子零件

    公开(公告)号:CN115916868A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202180049878.2

    申请日:2021-07-20

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种具有低介电损耗角正切,且耐热性和加工稳定性的平衡优异的液晶聚酯树脂。本发明的液晶聚酯树脂的特征在于:一种液晶聚酯树脂,其特征在于,其包含来自芳香族羟基羧酸的结构单元(I)、来自芳香族二醇化合物的结构单元(II)、和来自芳香族二羧酸的结构单元(III),上述结构单元(I)包含来自6‑羟基‑2‑萘甲酸的结构单元(IA),上述结构单元(III)包含来自对苯二甲酸的结构单元(IIIA)、和来自间苯二甲酸的结构单元(IIIB),测定频率10GHz下的介电损耗角正切为1.50×10‑3以下,熔点为295℃以上,熔点与结晶点的差为35℃以上。

    液晶聚酯树脂、成型品和电气电子零件

    公开(公告)号:CN115916866B

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202180049839.2

    申请日:2021-07-20

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种具有低介电损耗角正切,且耐热性和加工稳定性的平衡优异的液晶聚酯树脂。本发明的液晶聚酯树脂的特征在于:包含来自芳香族羟基羧酸的结构单元(I)、来自芳香族二醇化合物的结构单元(II)、和来自芳香族二羧酸的结构单元(III),上述结构单元(I)为来自6‑羟基‑2‑萘甲酸的结构单元(IA),上述结构单元(III)包含来自对苯二甲酸的结构单元(IIIA)、来自间苯二甲酸的结构单元(IIIB)、和来自2,6‑萘二甲酸的结构单元(IIIC),测定频率10GHz下的介电损耗角正切为1.50×10‑3以下,熔点为290℃以上,熔点与结晶点的温度差为30℃以上。

    液晶聚酯树脂、成型品和电气电子零件

    公开(公告)号:CN115916867A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202180049875.9

    申请日:2021-07-20

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种具有低介电损耗角正切,且耐热性和加工稳定性的平衡优异的液晶聚酯树脂。本发明的液晶聚酯树脂的特征在于:其包含来自芳香族羟基羧酸的结构单元(I)、来自芳香族二醇化合物的结构单元(II)、和来自芳香族二羧酸的结构单元(III),上述结构单元(I)包含来自6‑羟基‑2‑萘甲酸的结构单元(IA),上述结构单元(III)包含来自间苯二甲酸的结构单元(IIIA)、和来自2,6‑萘二甲酸的结构单元(IIIB),测定频率10GHz下的介电损耗角正切为1.50×10‑3以下,熔点为290℃以上,熔点与结晶点的温度差为30℃以上。

    结晶性全芳香族聚酯和聚酯树脂组合物

    公开(公告)号:CN112533977A

    公开(公告)日:2021-03-19

    申请号:CN201980052203.6

    申请日:2019-10-15

    Inventor: 松浦洋

    Abstract: 本发明提供一种具备耐热性、且可以提高滑动性(摩擦特性、磨耗特性、极限PV值)、成型时的热稳定性的结晶性全芳香族聚酯。本发明的结晶性全芳香族聚酯是芳香族二羧酸与芳香族二醇的缩聚物,其特征在于,来自上述芳香族二羧酸的结构单元包含下述化学式(1)表示的结构单元(I)、下述化学式(2)表示的结构单元(II)、和下述化学式(3)表示的结构单元(III),来自上述芳香族二醇的结构单元包含下述化学式(4)表示的结构单元(IV),在上述结晶性全芳香族聚酯的全部结构单元中,上述结构单元(I)~(III)的组成比(摩尔%)满足下述条件:30摩尔%≤结构单元(I)≤40摩尔%、5摩尔%≤结构单元(II)≤10摩尔%、5摩尔%≤结构单元(III)≤10摩尔%、45摩尔%≤结构单元(I)+结构单元(II)+结构单元(III)≤50摩尔%。

    液晶聚酯树脂、成型品和电气电子零件

    公开(公告)号:CN115916866A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202180049839.2

    申请日:2021-07-20

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种具有低介电损耗角正切,且耐热性和加工稳定性的平衡优异的液晶聚酯树脂。本发明的液晶聚酯树脂的特征在于:包含来自芳香族羟基羧酸的结构单元(I)、来自芳香族二醇化合物的结构单元(II)、和来自芳香族二羧酸的结构单元(III),上述结构单元(I)为来自6‑羟基‑2‑萘甲酸的结构单元(IA),上述结构单元(III)包含来自对苯二甲酸的结构单元(IIIA)、来自间苯二甲酸的结构单元(IIIB)、和来自2,6‑萘二甲酸的结构单元(IIIC),测定频率10GHz下的介电损耗角正切为1.50×10‑3以下,熔点为290℃以上,熔点与结晶点的温度差为30℃以上。

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