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公开(公告)号：CN103361713A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310248053.0
申请日：2008-06-04
Applicant: 弗赖贝格化合物原料有限公司
CPC classification number: H01L29/36 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/007 , C30B29/42 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092 , Y10T428/12
Abstract: 本发明涉及一种晶体，包括半导体材料砷化镓，所述晶体具有位错密度的一种分布并且代表位错密度的腐蚀坑密度的全局的标准偏差在垂直于晶体纵轴线的平面内小于晶体的腐蚀坑密度的平均值的17.6%，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度5mm；并且所述晶体具有电阻率的一种分布并且全局的标准偏差在垂直于晶体纵轴线的平面内小于晶体的电阻率的平均值的5.3%，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度10mm。
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公开(公告)号：CN101772596A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200880025102.1
申请日：2008-06-04
Applicant: 弗赖贝格化合物原料有限公司
CPC classification number: H01L29/36 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/007 , C30B29/42 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092 , Y10T428/12
Abstract: 一种用于由原材料的熔体(16)制造晶体的装置(1)包括：炉子，其包括具有一个或多个加热元件(20、21)的加热装置，该加热装置设立用于在炉子中产生沿第一方向(18)定向的温度场(T)；多个用以容纳熔体的坩埚(14)，它们并排设置在定向的温度场中；以及均化装置(21a、21b、24、26)，用于在所述至少两个坩埚中在垂直于第一方向的平面内均化温度场。该均化装置可以涉及多个填料(24)，它们装入各坩埚之间的中间空间中并且配备各向异性的导热性，以便优选引起径向定向的热传输。对此附加或按选择也可以涉及用于产生磁场的装置(21a、21b)，它们与各填料(24)相互作用。
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公开(公告)号：CN103361713B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201310248053.0
申请日：2008-06-04
Applicant: 弗赖贝格化合物原料有限公司
CPC classification number: H01L29/36 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/007 , C30B29/42 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092 , Y10T428/12
Abstract: 本发明涉及一种晶体，包括半导体材料砷化镓，所述晶体具有位错密度的一种分布并且代表位错密度的腐蚀坑密度的全局的标准偏差在垂直于晶体纵轴线的平面内小于晶体的腐蚀坑密度的平均值的17.6%，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度5mm；并且所述晶体具有电阻率的一种分布并且全局的标准偏差在垂直于晶体纵轴线的平面内小于晶体的电阻率的平均值的5.3%，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度10mm。
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公开(公告)号：CN101772596B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN200880025102.1
申请日：2008-06-04
Applicant: 弗赖贝格化合物原料有限公司
CPC classification number: H01L29/36 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/007 , C30B29/42 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092 , Y10T428/12
Abstract: 一种用于由原材料的熔体(16)制造晶体的装置(1)包括：炉子，其包括具有一个或多个加热元件(20、21)的加热装置，该加热装置设立用于在炉子中产生沿第一方向(18)定向的温度场(T)；多个用以容纳熔体的坩埚(14)，它们并立设置在定向的温度场中；以及均化装置，用于在所述多个坩埚中在垂直于第一方向的平面内均化温度场。该均化装置可以涉及多个填料(24)，它们装入各坩埚之间的中间空间中并且配备各向异性的导热性，以便优选引起径向定向的热传输。对此附加或按选择也可以涉及用于产生磁场的装置(21a、21b)，它们与各填料(24)相互作用。
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