公开(公告)号：CN106757369A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611156546.1

申请日：2016-12-14

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 胡皓阳 ,  金敏 ,  徐静涛 ,  刘柱 ,  蒋俊 ,  江浩川

IPC: C30B29/48 ,  C30B11/00

CPC classification number: C30B29/48 ,  C30B11/003 ,  C30B11/007

Abstract: 本发明提供了一种短温区垂直移动炉。该加热炉仅采用铁铬铝电热丝与热电偶一套控制系统，因此炉体结构简单、造价低廉；而且，加热区的垂直高度易于控制，形成短温区加热炉；并且，由于炉体上下开口，在空气的对流作用下，加热区在垂直方向的温度分布呈中间向上下两侧逐渐降低的趋势，有利于减小熔区长度，增加原料区熔提纯效果，降低晶体内部杂质含量。另外，该加热炉支撑石英坩埚的支座选用碳化硅材料，利用碳化硅的高热导率极大促进了晶体生长界面结晶潜热的释放，从而获得有利于单晶生长的微凸固液界面。利用该加热炉生长CdTe晶体有利于消除Te沉淀、夹杂和孪晶等缺陷，提高了CdTe单晶利用率。

公开(公告)号：CN103975097A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201280048056.3

申请日：2012-09-24

Applicant: 埃尔凯姆太阳能公司

Inventor： R.特罗斯塔德 ,  K.弗里伊斯塔德 ,  A.K.索兰德

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B15/04 ,  C30B28/00

CPC classification number: C30B11/006 ,  C30B11/007 ,  C30B11/04 ,  C30B15/04 ,  C30B15/20 ,  C30B15/305 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明涉及用于当从容器中含有的硅熔体提拉硅单晶和定向固化多晶硅铸锭时增加p-型材料的量的方法，其中硅熔体初始含有0.12ppma至5ppma硼和0.04ppma至10ppma磷。单晶的提拉和多晶硅铸锭的定向固化在低于600mbar的压力下进行，将惰性气体连续供应至硅熔体的表面并从硅熔体的表面连续除去，从而在固化工艺期间从熔融的硅连续除去磷，导致在硅单晶的提拉期间和多晶硅铸锭的定向固化期间硅熔体中硼和磷之间的比例基本上恒定。

公开(公告)号：CN103974904A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201280059055.9

申请日：2012-09-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大石隆一 ,  梶本公彦 ,  上野和也

IPC: C01B33/021 ,  H01L31/18

CPC classification number: C01B33/021 ,  C01B33/037 ,  C30B11/007 ,  C30B29/06 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种能够制造大尺寸、高质量且SiC夹杂物较少的多晶硅锭的多晶硅锭制造装置，所述多晶硅锭制造装置具备：具有上方开口部的坩埚；设置在所述坩埚外周并加热熔融容纳在坩埚内的硅原料的加热部；使所述坩埚和所述加热部在竖直方向上相对移动的移动机构(movement mechanism)；具有非活性气体导入孔、且覆盖所述坩埚的上方开口部以使其能打开/闭合的盖子；以及用于将非活性气体导入至所述非活性气体导入孔的非活性气体导入管道。

公开(公告)号：CN101772596A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200880025102.1

申请日：2008-06-04

Applicant: 弗赖贝格化合物原料有限公司

Inventor： S·艾希勒 ,  T·宾格尔 ,  M·布赖 ,  R·吕曼 ,  M·舍费尔-奇甘

IPC: C30B29/42 ,  C30B11/00

CPC classification number: H01L29/36 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B11/007 ,  C30B29/42 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1092 ,  Y10T428/12

Abstract: 一种用于由原材料的熔体(16)制造晶体的装置(1)包括：炉子，其包括具有一个或多个加热元件(20、21)的加热装置，该加热装置设立用于在炉子中产生沿第一方向(18)定向的温度场(T)；多个用以容纳熔体的坩埚(14)，它们并排设置在定向的温度场中；以及均化装置(21a、21b、24、26)，用于在所述至少两个坩埚中在垂直于第一方向的平面内均化温度场。该均化装置可以涉及多个填料(24)，它们装入各坩埚之间的中间空间中并且配备各向异性的导热性，以便优选引起径向定向的热传输。对此附加或按选择也可以涉及用于产生磁场的装置(21a、21b)，它们与各填料(24)相互作用。

公开(公告)号：CN101133194A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200680001905.4

申请日：2006-02-16

Applicant: 靳永钢

Inventor： 靳永钢

IPC: C30B29/06 ,  C30B35/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B11/001 ,  C30B11/002 ,  C30B11/007 ,  C30B35/00

Abstract: 一种浮法硅晶片的制作工艺，采取融熔、结晶成型、打磨切割连续工艺制取。将硅原料通过加料装置(1)加入到坩锅(2)中，坩锅内的温度设在高于硅熔点1421℃以上，固态的硅原料在1421℃以上熔化成液态硅，液态硅上方经加料口连续排除氩气或其他惰性气体，结晶区料槽(4)与坩锅排液口(3)相连通，槽内充满液态的锡金属或其他熔点低于硅熔点的合金为载体，靠近出料口温度高于硅的熔点1421℃，另一端的温度介于1421℃到400℃，当液态硅移至浮法成型区末端(4)时，液态硅会凝固成固态，结晶区上层相对靠近坩锅排液口(3)设置挡板(5)调节控制晶片的厚度，成型结晶硅片经冷却段(6)冷却、打磨抛光段(7)后，根据需要在切割晶片区(8)切割晶片。适用于浮法制取太阳能电池和半导体硅晶片。

公开(公告)号：CN106062258B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201480076252.0

申请日：2014-10-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 神田乔之 ,  小南信也 ,  上野雄一郎 ,  石津崇章 ,  清野知之 ,  高桥勋

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/12

CPC classification number: C30B13/08 ,  C01G15/00 ,  C30B11/00 ,  C30B11/002 ,  C30B11/007 ,  C30B13/14 ,  C30B13/16 ,  C30B29/12 ,  C30B29/42 ,  C30B29/46 ,  C30B29/48 ,  C30B35/002 ,  C30B35/007

Abstract: 作为用于晶体培养的晶体培养用坩埚(10)，使用一种坩埚，其具备：保持原料(20)的保持部(12)；回收使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的初级馏出物(24)的初级馏出物回收部(14)；对使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的主馏出物进行凝缩的主馏出物凝缩部(16)；以及对由主馏出物凝缩部(16)凝缩后的原料熔液(28)所构成的主馏出物(30)进行保持且在使晶体从所保持的主馏出物(30)培养时用于生成晶体的晶体培养部(18)。由此，能够实现半导体晶体的原料的高纯度化，并且能够提高晶体的制造效率。

公开(公告)号：CN103890242B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201280048372.0

申请日：2012-07-17

Applicant: GTAT公司

Inventor： C·夏蒂埃

IPC: C30B15/14 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  C30B11/00

CPC classification number: C30B11/003 ,  C30B11/002 ,  C30B11/007 ,  C30B11/02 ,  C30B29/06 ,  F28D15/00 ,  F28F13/00

Abstract: 本发明揭露一种长晶炉，包括：至少含有原料的坩锅以及液体冷却热交换器，液体冷却热交换器是在该坩锅下方能垂直移动来从该坩锅散热以促成晶锭的成长。液体冷却热交换器包含由高导热材料制作的散热球，其能够垂直移动地与该坩锅进行热交流来使用液态冷媒从该坩锅散热。还揭露一种被封闭在密封管状外罩中的液体冷却热交换器和使用能垂直移动的液体冷却热交换器来制造晶锭的方法。

公开(公告)号：CN102421947B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201080021254.1

申请日：2010-03-09

Applicant: 1366科技公司

Inventor： E·M·萨赫斯 ,  R·L·华莱士 ,  E·T·汉特苏 ,  A·M·罗伦斯 ,  G·D·S·赫德尔森 ,  R·荣茨克

IPC: C30B15/00 ,  C03B19/02

CPC classification number: B29C33/44 ,  C30B11/007 ,  C30B15/30 ,  C30B19/068 ,  C30B28/04 ,  C30B29/06

Abstract: 将压差施加到模具板两侧，并且在模具板上形成半导体(例如硅)晶圆。压差的松弛允许晶圆的释放。模具板可以比熔化物冷。热量几乎仅穿过形成的晶圆的厚度提取。液体和固体界面基本平行于模具板。固化体的温度横跨其宽度是基本统一的，导致低应力和低位错密度以及较高的结晶质量。模具板必须允许气体流动通过。熔化物能够通过以下方式引入到模具板：与熔化物的顶部全区域接触；以水平或竖直的方式或介于其间的方式来回在熔化物与模具板的部分区域接触来回移动；以及通过将模具板沾入到熔化物中。能够通过多种方式来控制晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN102392296B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201110193647.7

申请日：2011-07-06

Applicant: 应达公司

Inventor： 奥列格·S·菲什曼

IPC: C30B28/06

CPC classification number: C01B33/021 ,  C01B33/02 ,  C01B33/023 ,  C01B33/039 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B11/007 ,  C30B28/06 ,  C30B28/08 ,  C30B28/10 ,  C30B29/06

Abstract: 固态或半固态原料在开底电感应冷坩埚炉中被熔化。定向凝固的多晶固体提纯物质连续地离开该炉的底，而且在重力送料入输送铸模之前，可选地穿过热调节室。在输送铸模填满多晶物质以及从物质的连续供应中被切割后，提纯多晶固体物质锭被传输到远程保存区。该锭的冷却在远离该冷坩埚炉的开底处完成。

公开(公告)号：CN102770952A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201080054736.7

申请日：2010-12-14

Applicant: 株式会社KCC

Inventor： 张棋铉 ,  南东铉

IPC: H01L21/677

CPC classification number: C30B11/001 ,  C30B11/007 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1092

Abstract: 本发明涉及一种硅锭的提取装置及方法。本发明的装置包括：腔室，在所述腔室中引入在冷坩埚中形成的硅融液；一次提取装置，所述一次提取装置设置成相对于所述腔室在垂直方向上可以移动，并且所述一次提取装置凝固所述硅融液且提取硅锭；移动装置，所述移动装置在水平方向上移动所述一次提取装置；以及二次提取装置，所述二次提取装置设置到在所述腔室的下方使得所述二次提取装置在垂直方向上可以移动，所述二次提取装置在所述一次提取装置横向移动的状态下提取所述硅锭。本发明具有如下效果：通过减小提取装置的高度，可以降低设备的制造成本，而且还可以减小设置提取装置的空间。