公开(公告)号：CN105470218A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510627492.1

申请日：2015-09-28

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： A·维诺戈帕 ,  M·丹尼森 ,  L·哥伦布 ,  H·尼古耶 ,  D·爱德华兹

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明涉及用于热管理的背侧散热器的集成。一种微电子器件(100)包括半导体器件(102)，其中，在该半导体器件(102)的前表面(104)处具有组件(108)并且在该半导体器件(102)的后表面(106)上具有背侧散热器层(110)。该背侧散热器层(110)的厚度为100纳米至3微米，具有至少150瓦特/(米·开尔文)的层内导热系数、以及小于100微欧姆厘米的电阻率。

公开(公告)号：CN105470218B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201510627492.1

申请日：2015-09-28

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： A·维诺戈帕 ,  M·丹尼森 ,  L·哥伦布 ,  H·尼古耶 ,  D·爱德华兹

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明涉及用于热管理的背侧散热器的集成。一种微电子器件(100)包括半导体器件(102)，其中，在该半导体器件(102)的前表面(104)处具有组件(108)并且在该半导体器件(102)的后表面(106)上具有背侧散热器层(110)。该背侧散热器层(110)的厚度为100纳米至3微米，具有至少150瓦特/(米·开尔文)的层内导热系数、以及小于100微欧姆厘米的电阻率。