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公开(公告)号：CN105470217A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510626500.0
申请日：2015-09-28
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/50
Abstract: 本发明涉及用于BEOL热管理的散热器的集成。一种微电子装置(100)，包括组件(104)的电极(114)和电极(116)上的散热器层(118)和散热器层(120)以及散热器层(118)和散热器层(120)上的金属互连件(122)和金属互连件(124)。散热器层(118)和散热器层(120)被布置在半导体装置(100)的基板(102)的顶表面上方。散热器层(118)和散热器层(120)的厚度为100纳米至3微米，具有至少150瓦/(米·开尔文)的面向热导率以及小于100微欧姆·厘米的电阻率。
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公开(公告)号：CN108122868B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201711186765.9
申请日：2017-11-24
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 本申请涉及经过附加处理的热引导沟槽，其中公开了一种集成电路(100)，其具有包括半导体材料(104)的衬底(102)以及设置在衬底(102)之上的互连区(106)。该集成电路(100)包括衬底(102)中的热引导沟槽(130)。热引导沟槽(130)包括其中相邻纳米颗粒(135)彼此粘附的粘附纳米颗粒膜(134)。热引导沟槽(130)具有比接触热引导沟槽(130)的半导体材料(104)更高的热导率。粘附纳米颗粒膜(134)通过附加工艺来形成。
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公开(公告)号：CN105470218B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201510627492.1
申请日：2015-09-28
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及用于热管理的背侧散热器的集成。一种微电子器件(100)包括半导体器件(102)，其中，在该半导体器件(102)的前表面(104)处具有组件(108)并且在该半导体器件(102)的后表面(106)上具有背侧散热器层(110)。该背侧散热器层(110)的厚度为100纳米至3微米，具有至少150瓦特/(米·开尔文)的层内导热系数、以及小于100微欧姆厘米的电阻率。
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公开(公告)号：CN108122868A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711186765.9
申请日：2017-11-24
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/367 , H01L21/32051 , H01L21/32055 , H01L21/324 , H01L21/743 , H01L21/76895 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53276 , H01L27/0248 , H01L2224/48463 , H01L21/4871 , H01L23/373 , H01L23/3736 , H01L23/3738
Abstract: 本申请涉及经过附加处理的热引导沟槽，其中公开了一种集成电路(100)，其具有包括半导体材料(104)的衬底(102)以及设置在衬底(102)之上的互连区(106)。该集成电路(100)包括衬底(102)中的热引导沟槽(130)。热引导沟槽(130)包括其中相邻纳米颗粒(135)彼此粘附的粘附纳米颗粒膜(134)。热引导沟槽(130)具有比接触热引导沟槽(130)的半导体材料(104)更高的热导率。粘附纳米颗粒膜(134)通过附加工艺来形成。
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公开(公告)号：CN111788657B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201980015992.6
申请日：2019-03-04
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L21/22 , H01L21/328 , B82B1/00
Abstract: 一种微电子器件(100)，其包括门控石墨烯组件(102)。门控石墨烯组件(102)具有包含一层或更多层石墨烯的石墨层(114)。石墨层(114)具有沟道区域(116)、邻近沟道区域(116)的第一接触区域(118)和邻近沟道区域(116)的第二接触区域(120)。图案化六方氮化硼(hBN)层(128)被设置在沟道区域(116)上方的石墨层(114)上。栅极(130)位于沟道区域(116)上方、图案化hBN层(128)之上。第一连接(122)在第一接触区域(118)中被设置在石墨层(114)上，并且第二连接(124)在第二接触区域(120)中被设置在石墨层(114)上。图案化hBN层(128)没有完全延伸到第一连接(122)之下，也没有完全延伸到第二连接(124)之下。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN110313065B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN201880012859.0
申请日：2018-02-21
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L23/66 , H01L23/64 , H01L29/16 , H01L29/778 , H01L21/336
Abstract: 在所描述的示例中，微电子器件(100)包括电导体(106)，其包括石墨烯异质层(108)。石墨烯异质层(108)包括交替的石墨烯层(110)和阻挡材料层(112)。每个石墨烯层(110)具有一至两个石墨烯原子层。每个阻挡材料层(112)具有一至三层的六方氮化硼、立方氮化硼和/或氮化铝。石墨烯层(110)和阻挡材料层(112)可以是连续的，或者可以设置在纳米颗粒膜的纳米颗粒中。
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公开(公告)号：CN105470217B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201510626500.0
申请日：2015-09-28
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/50
Abstract: 本发明涉及用于BEOL热管理的散热器的集成。一种微电子装置(100)，包括组件(104)的电极(114)和电极(116)上的散热器层(118)和散热器层(120)以及散热器层(118)和散热器层(120)上的金属互连件(122)和金属互连件(124)。散热器层(118)和散热器层(120)被布置在半导体装置(100)的基板(102)的顶表面上方。散热器层(118)和散热器层(120)的厚度为100纳米至3微米，具有至少150瓦/(米·开尔文)的面向热导率以及小于100微欧姆·厘米的电阻率。
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公开(公告)号：CN111801780A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201980014329.4
申请日：2019-03-04
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L21/328 , B82B1/00
Abstract: 一种微电子器件(100)，其包括在半导体材料(106)上方的栅控石墨烯组件(102)。栅控石墨烯组件(102)包括具有至少一层石墨烯的石墨层(126)。石墨层(126)具有沟道区(128)。第一连接(134)和第二连接(136)电连接到与沟道区(128)相邻的石墨层(126)。石墨层(126)与半导体材料(106)隔离。具有第一导电类型的背栅区(142)设置在沟道区(128)下方的半导体材料(106)中。第一接触场区(144)和第二接触场区(146)分别设置在第一连接(134)和第二连接(136)下方的半导体材料(106)中。第一接触场区(144)和第二接触场区(146)中的至少一个具有相反的第二导电类型。
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公开(公告)号：CN110337720A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201880012923.5
申请日：2018-02-21
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L27/04
Abstract: 在所描述的示例中，集成电路(100)包括互连(124)，互连(124)包括金属层(130)、在金属层(130)的顶部表面或者金属层(130)的底部表面中的至少一个上的石墨烯层(132)以及在石墨烯层(132)上与金属层(130)相对的六方氮化硼(hBN)层(134)。集成电路的介电材料(116)接触hBN层(134)。石墨烯层(132)具有一个或更多个石墨烯原子层。hBN层(134)的厚度为一至三个原子层。互连(124)可以在金属层(130)的底部表面上具有下石墨烯层(128)以及下hBN层(126)，并且在金属层(130)的顶部表面上具有上石墨烯层(132)以及上hBN层(134)。
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