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公开(公告)号：CN106133585A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580016125.6
申请日：2015-01-23
Applicant: 思科技术公司
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/025 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02F1/011 , G02F1/2257 , G02F2001/0152
Abstract: 一种光调制器可包括下波导、上波导以及设置在这两者之间的电介质层。当在下波导和上波导之间产生电压电势时，这些层形成了硅‑绝缘体‑硅电容(也被称为SISCAP)导，该硅‑绝缘体‑硅电容导提供了对穿过调制器的光信号的高效、高速光学调制。在一个实施例中，至少一个波导包括各自在电荷调制区处对齐的脊部，脊部有助于将光学模式横向地(例如，在宽度方向上)限制在光学调制器中。在另一实施例中，脊部可在上波导和下波导二者上成形。这些脊部可在垂直方向(例如，厚度方向)上对齐以使脊部重叠，这样可通过将光学模式在电荷调制区中居中进一步提高光学效率。
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公开(公告)号：CN106133585B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201580016125.6
申请日：2015-01-23
Applicant: 思科技术公司
IPC: G02F1/025
Abstract: 一种光调制器可包括下波导、上波导以及设置在这两者之间的电介质层。当在下波导和上波导之间产生电压电势时，这些层形成了硅‑绝缘体‑硅电容(也被称为SISCAP)导，该硅‑绝缘体‑硅电容导提供了对穿过调制器的光信号的高效、高速光学调制。在一个实施例中，至少一个波导包括各自在电荷调制区处对齐的脊部，脊部有助于将光学模式横向地(例如，在宽度方向上)限制在光学调制器中。在另一实施例中，脊部可在上波导和下波导二者上成形。这些脊部可在垂直方向(例如，厚度方向)上对齐以使脊部重叠，这样可通过将光学模式在电荷调制区中居中进一步提高光学效率。
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公开(公告)号：CN110785697A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201880042476.8
申请日：2018-04-06
Applicant: 思科技术公司
Abstract: 实施例包括用于对光信号进行移相的方法和相关联的装置。该方法包括：在光波导的第一端处接收具有第一相位的光信号，该光波导形成于半导体层中并沿第一轴延伸。该方法还包括：在光波导的与第一端相对的第二端处发送具有第二相位的经修改的光信号，其中第二相位不同于第一相位。发送经修改的光信号包括：在第一接触区域和第二接触区域之间施加电压信号，该第一接触区域和第二接触区域远离第一轴形成于半导体层中。施加电压信号导致电流沿光波导的尺寸被传导。电流导致对光波导的电阻加热以及第一相位和第二相位之间的期望相移。
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