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公开(公告)号：CN102986017A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180026596.7
申请日：2011-05-24
Applicant: 恩特格林斯公司 , 维瑞安半导体设备联合公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683 , H02N13/00 , B23Q3/15 , C04B35/00
CPC classification number: H02N13/00 , B05D5/12 , B23Q3/152 , C04B37/005 , C04B37/008 , C04B2237/06 , C04B2237/062 , C04B2237/08 , C04B2237/083 , C04B2237/086 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C04B2237/368 , C23F1/00 , H01L21/6833
Abstract: 根据本发明之一具体实例，提供一种静电吸盘。该静电吸盘包含一电极及一表面层，该表面层由该电极中之一电压启动以形成一电荷以将一基板静电夹持至该静电吸盘，该表面层包括一电荷控制层，该电荷控制层包含大于约每平方1011欧姆之一表面电阻率。
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公开(公告)号：CN105196094A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510535576.2
申请日：2011-05-24
Applicant: 恩特格林斯公司 , 维瑞安半导体设备联合公司
IPC: B23Q3/152 , H01L21/683
CPC classification number: H02N13/00 , B05D5/12 , B23Q3/152 , C04B37/005 , C04B37/008 , C04B2237/06 , C04B2237/062 , C04B2237/08 , C04B2237/083 , C04B2237/086 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C04B2237/368 , C23F1/00 , H01L21/6833
Abstract: 根据本发明之一具体实例，提供一种静电吸盘。该静电吸盘包含一电极及一表面层，该表面层由该电极中之一电压启动以形成一电荷以将一基板静电夹持至该静电吸盘，该表面层包括一电荷控制层，该电荷控制层包含大于约每平方1011欧姆之一表面电阻率。
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公开(公告)号：CN105196094B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201510535576.2
申请日：2011-05-24
Applicant: 恩特格林斯公司 , 维瑞安半导体设备联合公司
IPC: B23Q3/152 , H01L21/683
CPC classification number: H02N13/00 , B05D5/12 , B23Q3/152 , C04B37/005 , C04B37/008 , C04B2237/06 , C04B2237/062 , C04B2237/08 , C04B2237/083 , C04B2237/086 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C04B2237/368 , C23F1/00 , H01L21/6833
Abstract: 根据本发明之一具体实例，提供一种静电吸盘。该静电吸盘包含一电极及一表面层，该表面层由该电极中之一电压启动以形成一电荷以将一基板静电夹持至该静电吸盘，该表面层包括一电荷控制层，该电荷控制层包含大于约每平方1011欧姆之一表面电阻率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103222043B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201180043193.3
申请日：2011-09-08
Applicant: 恩特格林斯公司 , 维瑞安半导体设备联合公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , B23Q3/15 , H02N13/00
CPC classification number: H02N13/00 , B23Q3/152 , H01L21/6831 , H01L21/6833
Abstract: 根据本发明的具体实施例，提供一种高传导静电夹盘，其包括：传导路径，其覆盖静电夹盘的气密环的至少一部分接触工件的表面，该传导路径包括至少一部分至接地的电路径；以及静电夹盘的接触工件表面的主场区域，其包括范围从每平方约108至约1012欧姆的表面电阻率。
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公开(公告)号：CN102986017B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201180026596.7
申请日：2011-05-24
Applicant: 恩特格林斯公司 , 维瑞安半导体设备联合公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683 , H02N13/00 , B23Q3/15 , C04B35/00
CPC classification number: H02N13/00 , B05D5/12 , B23Q3/152 , C04B37/005 , C04B37/008 , C04B2237/06 , C04B2237/062 , C04B2237/08 , C04B2237/083 , C04B2237/086 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C04B2237/368 , C23F1/00 , H01L21/6833
Abstract: 根据本发明之一具体实例，提供一种静电吸盘。该静电吸盘包含一电极及一表面层，该表面层由该电极中之一电压启动以形成一电荷以将一基板静电夹持至该静电吸盘，该表面层包括一电荷控制层，该电荷控制层包含大于约每平方1011欧姆之一表面电阻率。
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公开(公告)号：CN103222043A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180043193.3
申请日：2011-09-08
Applicant: 恩特格林斯公司 , 维瑞安半导体设备联合公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , B23Q3/15 , H02N13/00
CPC classification number: H02N13/00 , B23Q3/152 , H01L21/6831 , H01L21/6833
Abstract: 根据本发明的具体实施例，提供一种高传导静电夹盘，其包括：传导路径，其覆盖静电夹盘的气密环的至少一部分接触工件的表面，该传导路径包括至少一部分至接地的电路径；以及静电夹盘的接触工件表面的主场区域，其包括范围从每平方约108至约1012欧姆的表面电阻率。
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公开(公告)号：CN102918605B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201180017162.0
申请日：2011-04-15
Applicant: 恩特格林斯公司
IPC: H01B5/14 , H01J37/317
CPC classification number: C23C14/48 , H01B5/14 , H01J37/16 , H01J37/3171 , Y10T428/265 , Y10T428/30
Abstract: 根据本发明之一具体实例，提供一种经涂覆之石墨物件。该物件包含：石墨，及一覆盖该石墨之至少一部分之导电涂层。该导电涂层包含一贯穿该石墨及该导电涂层之厚度所量测得的小于约50欧姆之全厚度电阻。根据本发明之另一具体实例，提供一种用于制造一包含一导电涂层之石墨物件的方法。该方法包含：使用一反应性离子蚀刻制程处理该物件之石墨；及在使用该反应性离子蚀刻制程处理该石墨之后，将该导电涂层涂布于该石墨之至少一部分上。在根据本发明之又一具体实例中，提供一种用于整修一包含石墨及一上覆导电涂层之石墨物件的方法。该方法包含：使用一反应性离子蚀刻制程移除该石墨物件之该上覆导电涂层；及将一新导电涂层涂布于该石墨之至少一部分上。
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公开(公告)号：CN102918605A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180017162.0
申请日：2011-04-15
Applicant: 恩特格林斯公司
IPC: H01B5/14 , H01J37/317
CPC classification number: C23C14/48 , H01B5/14 , H01J37/16 , H01J37/3171 , Y10T428/265 , Y10T428/30
Abstract: 根据本发明之一具体实例，提供一种经涂覆之石墨物件。该物件包含：石墨，及一覆盖该石墨之至少一部分之导电涂层。该导电涂层包含一贯穿该石墨及该导电涂层之厚度所量测得的小于约50欧姆之全厚度电阻。根据本发明之另一具体实例，提供一种用于制造一包含一导电涂层之石墨物件的方法。该方法包含：使用一反应性离子蚀刻制程处理该物件之石墨；及在使用该反应性离子蚀刻制程处理该石墨之后，将该导电涂层涂布于该石墨之至少一部分上。在根据本发明之又一具体实例中，提供一种用于整修一包含石墨及一上覆导电涂层之石墨物件的方法。该方法包含：使用一反应性离子蚀刻制程移除该石墨物件之该上覆导电涂层；及将一新导电涂层涂布于该石墨之至少一部分上。
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