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公开(公告)号：CN100521205C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510004377.5
申请日：2005-01-17
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/015 , H01L23/522 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置。于是温度监视部件被连接在两条布线之间。
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公开(公告)号：CN101452931A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810189692.3
申请日：2005-01-17
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/04 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/015 , H01L23/522 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置，于是温度监视部件被连接在两条布线之间。
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公开(公告)号：CN1677671A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510062739.6
申请日：2005-03-29
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/01 , G01K7/42 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体集成电路器件，其中在P型硅基片顶部表面和多级布线层处设置逻辑电路区。所述器件还设有温度传感器区，其中在多级布线层的上方设有由氧化钒构成的第一温度监视元件。在多级布线层的最底下层处设有由Ti构成的第二温度监视元件。第一和第二温度监视元件串联连接在地电位布线和电源电位布线之间，具有一个连接到所述二元件接点上输出端。第一温度监视元件的电阻率的温度系数是负的，而第二温度监视元件的是正的。
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公开(公告)号：CN100394588C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200510062739.6
申请日：2005-03-29
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/01 , G01K7/42 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体集成电路器件，其中在P型硅基片顶部表面和多级布线层处设置逻辑电路区。所述器件还设有温度传感器区，其中在多级布线层的上方设有由氧化钒构成的第一温度监视元件。在多级布线层的最底下层处设有由Ti构成的第二温度监视元件。第一和第二温度监视元件串联连接在地电位布线和电源电位布线之间，具有一个连接到所述二元件接点上输出端。第一温度监视元件的电阻率的温度系数是负的，而第二温度监视元件的是正的。
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公开(公告)号：CN1645613A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510004377.5
申请日：2005-01-17
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/015 , H01L23/522 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置。于是温度监视部件被连接在两条布线之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100401472C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200510073776.7
申请日：2005-05-24
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司
Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底；多层互连层，形成在所述半导体衬底上；逻辑电路，形成在所述半导体衬底和所述多层互连层中；绝缘层，形成在所述多层互连层上；以及由氧化钒制成的至少一个传感器元件，形成在所述绝缘层上，其中所述传感器元件的电阻根据所述器件的环境温度或根据从所述器件中产生的热量而变化，以及对所述传感器元件进行设计，从而使流过所述传感器元件的电流密度处于0到100μA/μm2之间。
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公开(公告)号：CN1763956A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510113754.9
申请日：2005-10-14
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L27/08
CPC classification number: H01L27/0928 , H01L21/823892
Abstract: 提供一种能够整体地控制存在于一种导电类型的区域中的晶体管和存在于相反导电类型的区域中的晶体管的栅电极的阈值同时抑制噪声传播的半导体器件。数字电路区(123)和模拟电路区(121)位于P－Si衬底(101)上。P阱(103)和(193)以及N阱(105)和(195)位于模拟电路区(121)中。P阱(107)和(197)以及N阱(109)和(199)位于数字电路区(123)中。网格状的深N阱(111)与P阱(103)和N阱(105)的下表面接触。网格状的深N阱(113)与P阱(107)和N阱(109)的下表面接触。
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公开(公告)号：CN100470805C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610128155.9
申请日：2006-09-06
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5252 , G11C17/143 , G11C17/16 , G11C29/027 , H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，包括信号输出单元和判断单元。信号输出单元包括m个熔丝、NAND门、电阻元件以及输出端，其中m≥2。判断单元判断包括在信号输出单元中的m个熔丝中是否有n个或更多个熔丝被断开，并且输出判断结果，其中m≥n≥2。当m＝n＝2时，判断单元由其两个输入端连接到熔丝的各端的NOR门组成。因此，当判断结果是肯定的时，在NOR门的输出端输出H电平电位信号。另一方面，当判断结果是否定的时，在输出端输出L电平电位信号。
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公开(公告)号：CN1929135A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610128155.9
申请日：2006-09-06
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5252 , G11C17/143 , G11C17/16 , G11C29/027 , H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，包括信号输出单元和判断单元。信号输出单元包括m个熔丝、NAND门、电阻元件以及输出端，其中m≥2。判断单元判断包括在信号输出单元中的m个熔丝中是否有n个或更多个熔丝被断开，并且输出判断结果，其中m≥n≥2。当m＝n＝2时，判断单元由其两个输入端连接到熔丝的各端的NOR门组成。因此，当判断结果是肯定的时，在NOR门的输出端输出H电平电位信号。另一方面，当判断结果是否定的时，在输出端输出L电平电位信号。
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公开(公告)号：CN100576544C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200510113754.9
申请日：2005-10-14
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L27/08
CPC classification number: H01L27/0928 , H01L21/823892
Abstract: 提供一种能够整体地控制存在于一种导电类型的区域中的晶体管和存在于相反导电类型的区域中的晶体管的栅电极的阈值同时抑制噪声传播的半导体器件。数字电路区(123)和模拟电路区(121)位于P-Si衬底(101)上。P阱(103)和(193)以及N阱(105)和(195)位于模拟电路区(121)中。P阱(107)和(197)以及N阱(109)和(199)位于数字电路区(123)中。网格状的深N阱(111)与P阱(103)和N阱(105)的下表面接触。网格状的深N阱(113)与P阱(107)和N阱(109)的下表面接触。
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