公开(公告)号：CN105593978A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201380079273.3

申请日：2013-08-30

Applicant: 惠普发展公司 ,  有限责任合伙企业

Inventor： N·葛 ,  L·Y·蔡 ,  P·C·李 ,  J·J·兰多

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66575 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/78 ,  H05K2203/013

Abstract: 公开了一种半导体设备和形成半导体设备的方法。在示例中，在衬底上沉积具有至少一个多晶硅环的多晶硅层。使用多晶硅层作为掩膜掺杂衬底以在衬底中形成掺杂区域。在多晶硅层和衬底上沉积介电层。蚀刻介电层以暴露部分多晶硅层。在介电层上沉积金属层。蚀刻金属层、介电层和多晶硅层的暴露部分，使得至少去除每个多晶硅环的一部分。

公开(公告)号：CN105593978B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201380079273.3

申请日：2013-08-30

Applicant: 惠普发展公司 ,  有限责任合伙企业

Inventor： N·葛 ,  L·Y·蔡 ,  P·C·李 ,  J·J·兰多

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66575 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/78 ,  H05K2203/013

Abstract: 公开了一种半导体设备和形成半导体设备的方法。在示例中，在衬底上沉积具有至少一个多晶硅环的多晶硅层。使用多晶硅层作为掩膜掺杂衬底以在衬底中形成掺杂区域。在多晶硅层和衬底上沉积介电层。蚀刻介电层以暴露部分多晶硅层。在介电层上沉积金属层。蚀刻金属层、介电层和多晶硅层的暴露部分，使得至少去除每个多晶硅环的一部分。