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公开(公告)号：CN119604013A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411245024.3
申请日：2024-09-06
Applicant: 意法半导体国际公司
Inventor： T·欧黑克斯 , M·农盖拉德
IPC: H10D64/27 , H10D64/01 , H10D84/83 , H10D84/82 , H10D84/05
Abstract: 本公开涉及一种电子器件。一种器件包括沟槽。沟槽各自包括导电元件，该导电元件被配置为将位于第一层的第一侧上的晶体管栅极的耦合指状物电耦合到在第一层的第二面侧上延伸的第二层。
