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公开(公告)号：CN110277387B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN201910185655.3
申请日：2019-03-12
Applicant: 意法半导体法国公司 , 意法半导体(克洛尔2)公司
IPC: H10D84/83 , H10D30/67 , H03K19/094
Abstract: 本公开涉及反相电路。一种反相器包括半导体衬底。Z2‑FET开关设置在半导体衬底的第一表面处，并且又一开关设置在半导体衬底的第一表面处。又一开关和Z2‑FET开关具有耦合在第一参考端子和第二参考端子之间的电流路径。
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公开(公告)号：CN111435670A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN202010033298.1
申请日：2020-01-13
Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的实施例涉及背照式图像传感器。提供了图像传感器和制造图像传感器的方法。一种这种方法包括形成一种结构，该结构包括从前侧延伸到背侧的半导体层以及延伸穿过半导体层的电容性绝缘壁。电容性绝缘壁包括被导体或半导体材料的区域分离的第一绝缘壁和第二绝缘壁。半导体层以及导体或半导体材料的区域的部分被选择性地刻蚀，并且第一绝缘壁和第二绝缘壁具有向外突出超过半导体层的背侧和导体或半导体材料的区域的背侧的部分。电介质钝化层被沉积在结构的背侧上，并且在第一和第二绝缘壁的突出部分的背侧上的电介质钝化层的部分被局部地去除。
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公开(公告)号：CN119451256A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411518539.6
申请日：2020-01-13
Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司
IPC: H10F39/12
Abstract: 本公开的实施例涉及背照式图像传感器。提供了图像传感器和制造图像传感器的方法。一种这种方法包括形成一种结构，该结构包括从前侧延伸到背侧的半导体层以及延伸穿过半导体层的电容性绝缘壁。电容性绝缘壁包括被导体或半导体材料的区域分离的第一绝缘壁和第二绝缘壁。半导体层以及导体或半导体材料的区域的部分被选择性地刻蚀，并且第一绝缘壁和第二绝缘壁具有向外突出超过半导体层的背侧和导体或半导体材料的区域的背侧的部分。电介质钝化层被沉积在结构的背侧上，并且在第一和第二绝缘壁的突出部分的背侧上的电介质钝化层的部分被局部地去除。
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公开(公告)号：CN111435670B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202010033298.1
申请日：2020-01-13
Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的实施例涉及背照式图像传感器。提供了图像传感器和制造图像传感器的方法。一种这种方法包括形成一种结构，该结构包括从前侧延伸到背侧的半导体层以及延伸穿过半导体层的电容性绝缘壁。电容性绝缘壁包括被导体或半导体材料的区域分离的第一绝缘壁和第二绝缘壁。半导体层以及导体或半导体材料的区域的部分被选择性地刻蚀，并且第一绝缘壁和第二绝缘壁具有向外突出超过半导体层的背侧和导体或半导体材料的区域的背侧的部分。电介质钝化层被沉积在结构的背侧上，并且在第一和第二绝缘壁的突出部分的背侧上的电介质钝化层的部分被局部地去除。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116895706A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310337818.1
申请日：2023-03-31
Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司
Inventor： B·罗德里格斯·冈卡尔维斯 , P·福特内奥
IPC: H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本公开涉及光电二极管和光电二极管的制造方法。在具有第一表面和第二表面的半导体衬底中形成光电二极管。半导体衬底包括通过外延生长形成的第一N型半导体区域和从第一表面延伸到第一N型半导体区域中的第二N型半导体区域(比第一区域更重掺杂)。第一N型半导体区域的掺杂剂浓度在半导体衬底的第二表面和第一表面之间逐渐增加。在第一表面的第二N型半导体区域中形成注入的重P型掺杂区域。
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公开(公告)号：CN110277387A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910185655.3
申请日：2019-03-12
Applicant: 意法半导体有限公司 , 意法半导体(克洛尔2)公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/786 , H03K19/094
Abstract: 本公开涉及反相电路。一种反相器包括半导体衬底。Z2-FET开关设置在半导体衬底的第一表面处，并且又一开关设置在半导体衬底的第一表面处。又一开关和Z2-FET开关具有耦合在第一参考端子和第二参考端子之间的电流路径。
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公开(公告)号：CN209571415U
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201920310230.6
申请日：2019-03-12
Applicant: 意法半导体有限公司 , 意法半导体(克洛尔2)公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/786 , H03K19/094
Abstract: 本公开涉及反相器。一种反相器包括半导体衬底。Z2-FET开关设置在半导体衬底的第一表面处，并且又一开关设置在半导体衬底的第一表面处。又一开关和Z2-FET开关具有耦合在第一参考端子和第二参考端子之间的电流路径。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN220189663U
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202320689488.8
申请日：2023-03-31
Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司
Inventor： B·罗德里格斯·冈卡尔维斯 , P·福特内奥
IPC: H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本公开涉及光电二极管和电子器件。一种光电二极管，包括半导体衬底，具有第一表面和第二表面；其中，所述半导体衬底包括通过外延生长形成的第一N型半导体区域和第二N型半导体区域；其中所述第二N型半导体区域比所述第一N型半导体区域被更重掺杂；其中所述第二N型半导体区域从所述半导体衬底的所述第一表面向下延伸到所述第一N型半导体区域中至第一深度。利用本公开的实施例能够增加光电二极管的电荷转移速度，例如产生在Z方向上可能的最高和最佳分布的电场。
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公开(公告)号：CN211238255U
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202020062918.X
申请日：2020-01-13
Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的实施例涉及图像传感器。一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体层，具有前侧和背侧；电容性绝缘壁，从所述半导体层的所述前侧延伸到所述半导体层的所述背侧，所述电容性绝缘壁包括第一绝缘壁和第二绝缘壁；导体或半导体材料的区域，在所述第一绝缘壁和所述第二绝缘壁之间延伸，所述第一绝缘壁和所述第二绝缘壁中的每个绝缘壁具有从所述半导体层的所述背侧并且从所述导体或半导体材料的所述区域的背侧突出的部分；以及电介质钝化层，涂覆所述半导体层的所述背侧和所述导体或半导体材料的所述区域的所述背侧，所述第一绝缘壁和所述第二绝缘壁的所述突出的部分的背侧未被所述电介质钝化层覆盖。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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