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公开(公告)号：CN110180770B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910133708.7
申请日：2019-02-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B06B1/06
Abstract: 本公开涉及微机械超声换能器与制造和设计微机械超声换能器的方法。一种用于在传播介质中发射超声声波的设备，包括：封装，该封装包括基部衬底和封盖，该封盖耦合至基部衬底并且与基部衬底一起限定封装中的腔室；半导体裸片，在腔室中耦合至基部衬底、包括半导体本体；以及微机械超声换能器(MUT)，微机械超声换能器至少部分地集成在半导体本体中并且包括半导体本体中的空腔、悬置在空腔之上的膜、以及操作地耦合至膜的致动器，其能够被操作以用于生成膜的偏转。膜以如下方式被设计：其共振频率与在MUT的操作期间在封装的上述腔室中产生的声共振频率匹配。
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公开(公告)号：CN108121065B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201710375454.0
申请日：2017-05-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及MEMS设备、投射MEMS系统以及相关驱动方法。一种MEMS设备，包括：固定支撑体，固定支撑体形成空腔；移动元件，移动元件悬挂在空腔上方；至少一个弹性元件，至少一个弹性元件布置在固定支撑体与移动元件之间；以及第一、第二、第三和第四压电元件，这些压电元件机械地耦合至弹性元件，弹性元件具有相对于方向对称的形状。第一和第二压电元件分别相对于第三和第四压电元件对称地布置。第一和第四压电元件被配置成用于接收第一控制信号，而第二和第三压电元件被配置成接收第二控制信号，第二控制信号相对于第一控制信号相位相反，从而使得第一至第四压电元件使弹性元件变形，结果使移动元件绕方向旋转。
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公开(公告)号：CN110726498A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201911029430.5
申请日：2015-11-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01L1/16 , G01L5/167 , G01P15/09 , H01L41/113 , H01L41/25 , H01L41/27 , H01L41/332
Abstract: 压电传感器(10)形成在半导体材料芯片中，该半导体材料芯片具有限定平面(XY)的表面(13A)并且集成有用于感测在平面内作用的力的感测结构(11；30；60)。芯片由限定悬臂(12；32；52；62)的衬底(13；33)形成，该悬臂(12；32；52；62)具有被约束到衬底的锚固部(15)的第一端(12A)和在外力的作用下自由弯曲的第二端(12B)。悬臂具有第一和第二纵向半部，每个纵向半部承载平行于芯片平面延伸的压电材料的相应的条状元件(16，17)。
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公开(公告)号：CN108121065A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710375454.0
申请日：2017-05-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及MEMS设备、投射MEMS系统以及相关驱动方法。一种MEMS设备，包括：固定支撑体，固定支撑体形成空腔；移动元件，移动元件悬挂在空腔上方；至少一个弹性元件，至少一个弹性元件布置在固定支撑体与移动元件之间；以及第一、第二、第三和第四压电元件，这些压电元件机械地耦合至弹性元件，弹性元件具有相对于方向对称的形状。第一和第二压电元件分别相对于第三和第四压电元件对称地布置。第一和第四压电元件被配置成用于接收第一控制信号，而第二和第三压电元件被配置成接收第二控制信号，第二控制信号相对于第一控制信号相位相反，从而使得第一至第四压电元件使弹性元件变形，结果使移动元件绕方向旋转。
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公开(公告)号：CN102116851B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201010592331.0
申请日：2010-12-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01R33/02
CPC classification number: G01R33/0286 , G01R33/0005 , G01R33/028 , G01R33/038
Abstract: 本发明的实施方式涉及以MEMS技术制造的半导体材料的集成三轴磁力计。具体地，配置两个悬挂物体(1、3)，使其由沿相互横贯方向在磁力计平面中流动的相应电流(I)流过，并且电容耦合至下部电极(18b)。移动传感电极(11)由第一悬挂物体(1)承载，并且电容耦合至相应的固定传感电极(12)。第一悬挂物体(1)配置为：当在第一水平方向(X)中具有分量的磁场存在时，沿横贯平面的方向移动。第二悬挂物体(3)配置为：当在第二水平方向(Y)中具有分量的磁场存在时，沿横贯平面的方向移动。并且第一悬挂物体配置为：当在垂直方向(Z)中具有分量的磁场存在时，沿平行于平面并且横贯在第一悬挂物体中流动的电流的方向移动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106092387B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201510845771.5
申请日：2015-11-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 压电传感器(10)形成在半导体材料芯片中，该半导体材料芯片具有限定平面(XY)的表面(13A)并且集成有用于感测在平面内作用的力的感测结构(11；30；60)。芯片由限定悬臂(12；32；52；62)的衬底(13；33)形成，该悬臂(12；32；52；62)具有被约束到衬底的锚固部(15)的第一端(12A)和在外力的作用下自由弯曲的第二端(12B)。悬臂具有第一和第二纵向半部，每个纵向半部承载平行于芯片平面延伸的压电材料的相应的条状元件(16，17)。
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公开(公告)号：CN106257699A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201510860679.6
申请日：2015-11-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: H02N2/186 , H01L41/1136 , H02N2/181 , H01L41/08 , H01L41/25
Abstract: 本公开涉及悬臂压电换能器。压电换能器包括：锚定件(16a)；半导体材料的梁(25)，从锚定件(16a)开始在平行于第一轴(Y)的主方向上以悬臂方式延伸，并且具有平行于第一平面(XY)的面(25c)，第一平面由第一轴(Y)和垂直于第一轴(Y)的第二轴(X)限定；以及压电层(26)，在梁于第一轴(Y)的截面是非对称的，并且被成形为使得梁(25)响应于施加到锚定件(16)并且根据第一轴(X)定向的力，而呈现离开第一平面(XY)的变形。(25)的面(25c)上。梁(25、125、225、325)的垂直
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公开(公告)号：CN102116851A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201010592331.0
申请日：2010-12-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01R33/02
CPC classification number: G01R33/0286 , G01R33/0005 , G01R33/028 , G01R33/038
Abstract: 本发明的实施方式涉及以MEMS技术制造的半导体材料的集成三轴磁力计。具体地，配置两个悬挂物体(1、3)，使其由沿相互横贯方向在磁力计平面中流动的相应电流(I)流过，并且电容耦合至下部电极(18b)。移动传感电极(11)由第一悬挂物体(1)承载，并且电容耦合至相应的固定传感电极(12)。第一悬挂物体(1)配置为：当在第一水平方向(X)中具有分量的磁场存在时，沿横贯平面的方向移动。第二悬挂物体(3)配置为：当在第二水平方向(Y)中具有分量的磁场存在时，沿横贯平面的方向移动。并且第一悬挂物体配置为：当在垂直方向(Z)中具有分量的磁场存在时，沿平行于平面并且横贯在第一悬挂物体中流动的电流的方向移动。
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公开(公告)号：CN110726498B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201911029430.5
申请日：2015-11-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01L1/16 , G01L5/167 , G01P15/09 , H01L41/113 , H01L41/25 , H01L41/27 , H01L41/332
Abstract: 压电传感器(10)形成在半导体材料芯片中，该半导体材料芯片具有限定平面(XY)的表面(13A)并且集成有用于感测在平面内作用的力的感测结构(11；30；60)。芯片由限定悬臂(12；32；52；62)的衬底(13；33)形成，该悬臂(12；32；52；62)具有被约束到衬底的锚固部(15)的第一端(12A)和在外力的作用下自由弯曲的第二端(12B)。悬臂具有第一和第二纵向半部，每个纵向半部承载平行于芯片平面延伸的压电材料的相应的条状元件(16，17)。
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公开(公告)号：CN110180770A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910133708.7
申请日：2019-02-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B06B1/06
Abstract: 本公开涉及微机械超声换能器与制造和设计微机械超声换能器的方法。一种用于在传播介质中发射超声声波的设备，包括：封装，该封装包括基部衬底和封盖，该封盖耦合至基部衬底并且与基部衬底一起限定封装中的腔室；半导体裸片，在腔室中耦合至基部衬底、包括半导体本体；以及微机械超声换能器(MUT)，微机械超声换能器至少部分地集成在半导体本体中并且包括半导体本体中的空腔、悬置在空腔之上的膜、以及操作地耦合至膜的致动器，其能够被操作以用于生成膜的偏转。膜以如下方式被设计：其共振频率与在MUT的操作期间在封装的上述腔室中产生的声共振频率匹配。
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