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公开(公告)号：CN116074169B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310058266.0
申请日：2019-12-03
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及电路、电子设备以及操作电子设备的方法。在一个示例中，电路包括第一节点以接收模拟信号，模拟信号是针对数字信号的振幅调制射频信号。输出节点被配置为提供指示模拟信号的包络的上升边沿和下降边沿的输出信号。该上升边沿和下降边沿指示数字信号的上升边沿和下降边沿。第一电流路径被部署在电源节点和第一节点之间。第一电流路径包括耦合在第一节点和第一偏置源之间的第一晶体管。第一偏置源耦合在第一晶体管和电源节点之间。输出节点耦合到第一电流路径中的在晶体管和第一偏置源之间的第一中间节点。第一晶体管的控制端子经由反馈网络耦合到输出节点。
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公开(公告)号：CN101268350B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200580051620.7
申请日：2005-07-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01L9/0054 , G01L9/0045 , G01L15/00
Abstract: 本发明涉及带有双测量刻度和高满刻度值的压力传感器。具体而言，具有双测量刻度的压力传感器(15)，包括：半导体材料单块体(16)，该单块体(16)具有第一主表面(16a)、主体区(17)、和压力(P)作用于其上的敏感部分(33)；形成在单块体(16)中、并由膜片(19)与第一主表面(16a)分隔的空腔(18)，膜片(19)设置在敏感部分(33)中、并由主体区(17)环绕，膜片(19)是柔性的，并作为压力(P)的函数是可变形的；对压力(P)的第一值敏感的压力电阻型低压力感应元件(28)，压力电阻型低压力感应元件(28)集成在膜片(19)内，并具有作为膜片(19)变形的函数而可变化的电阻；另外，同样是压力电阻型的高压力感应元件(29)形成在主体区(17)中的敏感部分(33)内，并具有作为压力(P)的函数而可变的电阻。高压力感应元件(29)对压力(P)的第二值敏感。
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公开(公告)号：CN116896519A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310344778.3
申请日：2023-04-03
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 博洛尼亚大学母校研究室
IPC: H04L43/0817 , H04L27/08 , H04L27/04 , H04L27/06
Abstract: 公开了温度补偿包络检测器电路。根据一个实施例，包络检测器包括第一晶体管具有耦接至第一连接节点的第一电流传导端子，耦接至中间节点的第二电流传导端子；以及耦接至信号输入节点并耦接至偏置节点的控制端子；第二晶体管具有耦接至所述中间节点的第一电流传导端子，耦接至第二连接节点的第二电流传导端子，以及耦接至所述偏置节点的控制端子；以及第一温度补偿晶体管，以二极管连接并耦接于补偿输出节点与所述偏置节点之间。所述第二连接节点耦接至所述补偿输出节点，且所述第一连接节点耦接至检测输出。
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公开(公告)号：CN111273148A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201911219383.0
申请日：2019-12-03
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本公开涉及检测电路、对应的设备以及方法。在一个示例中，电路包括第一节点以接收模拟信号，模拟信号是针对数字信号的振幅调制射频信号。输出节点被配置为提供指示模拟信号的包络的上升边沿和下降边沿的输出信号。该上升边沿和下降边沿指示数字信号的上升边沿和下降边沿。第一电流路径被部署在电源节点和第一节点之间。第一电流路径包括耦合在第一节点和第一偏置源之间的第一晶体管。第一偏置源耦合在第一晶体管和电源节点之间。输出节点耦合到第一电流路径中的在晶体管和第一偏置源之间的第一中间节点。第一晶体管的控制端子经由反馈网络耦合到输出节点。
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公开(公告)号：CN106899274B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201610362642.5
申请日：2016-05-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H03G3/30
Abstract: 本公开涉及可编程增益放大器、对应的装置和方法。可编程增益放大器包括：两个互补的交叉耦合晶体管对，以一个对中的每个晶体管具有与另一个对中的晶体管中的相应的一个晶体管的电流流动路径级联的电流流动路径的状态相互耦合。第一和第二耦合点形成在对之间；第一和第二采样电容器耦合至第一和第二耦合点。第一和第二输入级具有用以接收用于由第一和第二采样电容器采样的输入信号的输入。开关部件将第一和第二输入级耦合至采样电容器，使得输入信号被采样作为在采样电容器上的采样信号。开关部件激励互补的交叉耦合晶体管对，使得在采样电容器上采样的信号经受随时间呈指数增长的负电阻再生，以由此提供指数放大器增益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108121065A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710375454.0
申请日：2017-05-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及MEMS设备、投射MEMS系统以及相关驱动方法。一种MEMS设备，包括：固定支撑体，固定支撑体形成空腔；移动元件，移动元件悬挂在空腔上方；至少一个弹性元件，至少一个弹性元件布置在固定支撑体与移动元件之间；以及第一、第二、第三和第四压电元件，这些压电元件机械地耦合至弹性元件，弹性元件具有相对于方向对称的形状。第一和第二压电元件分别相对于第三和第四压电元件对称地布置。第一和第四压电元件被配置成用于接收第一控制信号，而第二和第三压电元件被配置成接收第二控制信号，第二控制信号相对于第一控制信号相位相反，从而使得第一至第四压电元件使弹性元件变形，结果使移动元件绕方向旋转。
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公开(公告)号：CN104285131B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201380024932.3
申请日：2013-05-23
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01D11/245 , B28B23/0031 , G01K17/00 , G01L1/18 , G01M5/00 , G01N33/383
Abstract: 描述了一种用于设备(100)的封装体(15)，该设备可插入在固体结构(300)中以用于检测和监控一个或多个局部参数。封装体(15)由建筑材料制成，该建筑材料由微米或亚微米尺寸的颗粒形成。进一步描述了一种用于检测和监控固体结构内的一个或多个局部参数的设备(100)。设备检测模块(1)，以及具有如上所述特性的封装体(15)，该封装体设置以便于覆盖设备(100)的包括集成检测模块(1)的至少一部分。也描述了一种用于制造设备(100)的方法，以及用于监控包括该设备(100)的固体结构(300)中参数的系统(200)。(100)包括具有至少一个集成传感器(10)的集成
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公开(公告)号：CN101268348A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200580051619.4
申请日：2005-07-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01L1/18 , B60T2270/82
Abstract: 本发明涉及了带有高满刻度值的集成式压力传感器。具体而言，在带有高满刻度值的集成式压力传感器(15)中，半导体材料单块体(16)具有第一和第二主表面(16a和16b)，第一和第二主表面(16a和16b)相对，并由基本相等的距离(w)分开。单块体(16)具有主体区(17)，主体区(17)具有邻近于第一主表面(16a)(压力(P)作用于其上)的敏感部分(23)。第一压力电阻检测元件(18)集成在敏感部分(23)中，并具有作为压力(P)的函数的可变电阻。主体区(17)是实心并且紧凑的区域，并具有基本上等于距离(w)的厚度。
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公开(公告)号：CN117478157A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310932877.3
申请日：2023-07-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 博洛尼亚大学母校研究室
Abstract: 本公开的实施例涉及阈值电压生成器电路和对应的接收器设备。一种电路包括时钟输入节点、被配置为接收在第一DC电压和第二DC电压之间切换的第一调制信号的第一信号输入节点、偏置电路、第一输出节点、第一电容器、第二电容器以及被耦合至第一电容器和第二电容器的切换电路系统。控制电路系统被配置为响应于第一调制信号具有第二DC电压，首先将切换电路系统设置为第一配置，从而将第一电容器充电至第二DC电压，并且将第二电容器充电至第一DC电压，以及响应于在时钟信号中检测到的边沿，随后将切换电路系统设置为第二配置，从而在第一电容器和第二电容器之间发生电荷再分布之后在第一输出节点处产生第一阈值电压。
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公开(公告)号：CN111273148B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201911219383.0
申请日：2019-12-03
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本公开涉及检测电路、对应的设备以及方法。在一个示例中，电路包括第一节点以接收模拟信号，模拟信号是针对数字信号的振幅调制射频信号。输出节点被配置为提供指示模拟信号的包络的上升边沿和下降边沿的输出信号。该上升边沿和下降边沿指示数字信号的上升边沿和下降边沿。第一电流路径被部署在电源节点和第一节点之间。第一电流路径包括耦合在第一节点和第一偏置源之间的第一晶体管。第一偏置源耦合在第一晶体管和电源节点之间。输出节点耦合到第一电流路径中的在晶体管和第一偏置源之间的第一中间节点。第一晶体管的控制端子经由反馈网络耦合到输出节点。
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