公开(公告)号：CN100539180C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200580038918.4

申请日：2005-09-12

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： D·G·帕蒂 ,  G·塞坦尼

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/0615

Abstract: 可以有效地防止当必须实现集成器件的主结(P_tub 1，(P_tub2，…)的周界高压环扩展注入区(RHV)的中断时出现的不稳定性以及相关的缺点。通过非常简单的方法获得这个重要的结果：无论何时必须形成高压环扩展的中断(I)，不是实现为沿着周界注入区的普通垂直方向直穿过它，相反，窄中断限定为倾斜地穿过周界高压环扩展的宽度。在直中断的情况下，倾斜角α通常可以包括在30度和60度之间，并且更优选地是45度或者接近45度。无疑地，当实现周界高压环扩展区时，通过掩蔽窄中断以免掺杂剂注入来形成窄中断。

公开(公告)号：CN101057335A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200580038918.4

申请日：2005-09-12

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： D·G·帕蒂 ,  G·塞坦尼

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/0615

Abstract: 可以有效地防止当必须实现集成器件的主结(P_tub1，(P_tub2，...)的周界高压环扩展注入区(RHV)的中断时出现的不稳定性以及相关的缺点。通过非常简单的方法获得这个重要的结果：无论何时必须形成高压环扩展的中断(I)，不是实现为沿着周界注入区的普通垂直方向直穿过它，相反，窄中断限定为倾斜地穿过周界高压环扩展的宽度。在直中断的情况下，倾斜角α通常可以包括在30度和60度之间，并且更优选地是45度或者接近45度。无疑地，当实现周界高压环扩展区时，通过掩蔽窄中断以免掺杂剂注入来形成窄中断。