公开(公告)号：CN102856209B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201210269846.6

申请日：2012-08-01

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 郑志星

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L21/2253 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件的制作方法，包括：制作栅极；制作体区，其中所述体区包含体区弯度，其中制作所述体区包括：在所述半导体衬底上制作阱，其中所述阱为第一掺杂类型；制作基区，其中所述基区为所述第一掺杂类型，所述基区和所述阱部分重叠，且所述基区比所述阱深度浅；以及制作源极区和漏极接触区，其中所述源极区和所述漏极接触区为第二掺杂类型，所述源极区在所述栅极一侧和所述体区相接，所述漏极接触区位于所述栅极的另一侧；其中通过调节所述阱的布图宽度来调节所述体区弯度。

公开(公告)号：CN102856209A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210269846.6

申请日：2012-08-01

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 郑志星

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L21/2253 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件的制作方法，包括：制作栅极；制作体区，其中所述体区包含体区弯度，其中制作所述体区包括：在所述半导体衬底上制作阱，其中所述阱为第一掺杂类型；制作基区，其中所述基区为所述第一掺杂类型，所述基区和所述阱部分重叠，且所述基区比所述阱深度浅；以及制作源极区和漏极接触区，其中所述源极区和所述漏极接触区为第二掺杂类型，所述源极区在所述栅极一侧和所述体区相接，所述漏极接触区位于所述栅极的另一侧；其中通过调节所述阱的布图宽度来调节所述体区弯度。

公开(公告)号：CN107768428B

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201710888508.3

申请日：2017-09-27

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 艾瑞克·布劳恩 ,  乔伊·迈克格雷格 ,  郑志星 ,  吉杨永

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提出了一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件及其制造方法。所述横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件在发生雪崩击穿时的最大场强位于器件表面下方的体区‑漂移区PN结处。所述横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件包括P型体区和N型漂移区，其中P型体区由一系列的P型离子注入形成，N型漂移区由一系列的N型离子注入形成，在器件制造过程中，合理地调整P型体区和N型漂移区的离子注入浓度和深度可以实现器件的体区‑漂移区PN结处的最高浓度梯度位于器件表面下方，从而抑制热空穴在器件漏极‑门极之间的氧化层区域附近的注入和俘获，避免器件在发生击穿后的其它特性的改变。

公开(公告)号：CN102881588A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210073609.2

申请日：2012-03-20

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 郑志星

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/7322 ,  H01L29/66272

Abstract: 本发明公开了一种双极结型晶体管（BJT）的制作方法，包括：在半导体衬底内制作收集区，该半导体衬底具有第一掺杂类型；制作具有第二掺杂类型的基区，该基区具有基区深度；以及制作具有第一掺杂类型的发射区；其中通过调节基区的布局宽度来控制基区深度。

公开(公告)号：CN106898651B

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201710066412.9

申请日：2017-02-06

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 柳志亨 ,  郑志星 ,  乔伊·迈克格雷格

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提出了一种制造位于半导体衬底上的阱区内的LDMOS器件的方法，包括：通过阱区之上的多晶硅层窗口，在阱区内形成体区和源极层，其中体区具有比源极层更深的结深；在多晶硅层窗口内侧的侧壁处形成间隔；以及通过间隔所形成的窗口，对源极层进行刻蚀至源极层被穿通，其中源极层中位于间隔正下方的区域在源极层被刻蚀的过程中受到保护，并被定义成LDMOS器件的源极区。源极区宽度由间隔的厚度决定。本发明采用间隔和选择性刻蚀形成较窄的N+/P+/N+源极/体区，从而既减小了源极区，又有效降低了制造LDMOS的成本。

公开(公告)号：CN107768428A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710888508.3

申请日：2017-09-27

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 艾瑞克·布劳恩 ,  乔伊·迈克格雷格 ,  郑志星 ,  吉杨永

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提出了一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件及其制造方法。所述横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件在发生雪崩击穿时的最大场强位于器件表面下方的体区-漂移区PN结处。所述横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件包括P型体区和N型漂移区，其中P型体区由一系列的P型离子注入形成，N型漂移区由一系列的N型离子注入形成，在器件制造过程中，合理地调整P型体区和N型漂移区的离子注入浓度和深度可以实现器件的体区-漂移区PN结处的最高浓度梯度位于器件表面下方，从而抑制热空穴在器件漏极-门极之间的氧化层区域附近的注入和俘获，避免器件在发生击穿后的其它特性的改变。

公开(公告)号：CN102881593A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210073370.9

申请日：2012-03-20

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 郑志星

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/66901

Abstract: 本发明公开了一种结型场效应晶体管（JFET）的制作方法，包括：制作具有第二掺杂类型的栅极区；制作具有沟道尺寸的沟道区；制作具有第一掺杂类型的源极区；以及制作具有第一掺杂类型的漏极区，其中通过调节栅极区的布局宽度来控制沟道区的沟道尺寸。

公开(公告)号：CN111063732A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201911069541.9

申请日：2019-11-04

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 艾瑞克·布劳恩 ,  乔伊·迈克格雷格 ,  郑志星

IPC: H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 公开了一种LDMOS器件及其制造方法。该LDMOS器件具有多个漏极接触结构，每个漏极接触结构具有漏极接触、第一漏极接触金属层和通孔。漏极接触位于漏区上；第一漏极接触金属层位于漏极接触上；通孔位于第一漏极接触金属层上。该LDMOS器件还具有第二漏极接触金属层，其与每个漏极接触结构的通孔相电耦接。第一漏极接触金属层和漏极接触的尺寸减小，使得第一漏极接触金属层和漏极接触与场板接触和场板接触金属层之间的边缘场减小，从而，相应的寄生电容也得到减小。当LDMOS器件用作开关器件时，寄生电容的减小有助于降低开关操作中的功率损耗并提高开关效率。

公开(公告)号：CN106898651A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201710066412.9

申请日：2017-02-06

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 柳志亨 ,  郑志星 ,  乔伊·迈克格雷格

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提出了一种制造位于半导体衬底上的阱区内的LDMOS器件的方法，包括：通过阱区之上的多晶硅层窗口，在阱区内形成体区和源极层，其中体区具有比源极层更深的结深；在多晶硅层窗口内侧的侧壁处形成间隔；以及通过间隔所形成的窗口，对源极层进行刻蚀至源极层被穿通，其中源极层中位于间隔正下方的区域在源极层被刻蚀的过程中受到保护，并被定义成LDMOS器件的源极区。源极区宽度由间隔的厚度决定。本发明采用间隔和选择性刻蚀形成较窄的N+/P+/N+源极/体区，从而既减小了源极区，又有效降低了制造LDMOS的成本。

公开(公告)号：CN106504992A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610859002.5

申请日：2016-09-28

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 乔伊·迈克格雷格 ,  郑志星 ,  吉扬永 ,  艾瑞克·布劳恩

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/266 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/0928 ,  H01L21/823892 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L21/266 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了LDMOS及相关半导体集成电路的制作方法。其中LDMOS器件形成于具有第一掺杂类型的半导体衬底中，该制作方法包括：采用第一掩膜向半导体衬底中注入一系列的杂质，以形成靠近半导体衬底表面且具有第二掺杂类型的第一区域、位于第一区域之下且具有第一掺杂类型的第二区域、以及位于第二区域之下且具有第二掺杂类型的第三区域；采用第二掩膜向半导体衬底中注入杂质，以形成与第一、第二和第三区域毗邻且具有第二掺杂类型的第四区域，其中该第四区域自半导体衬底的表面向下延伸至与第三区域相当的深度；以及采用第三掩膜向第一区域内注入杂质，以形成具有第一掺杂类型的第一阱。