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公开(公告)号：CN110556220B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201810565735.7
申请日：2018-06-04
Applicant: 成都铁达电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及压敏电阻器技术领域，具体涉及一种陶瓷芯片及低限制电压压敏电阻器，包括气体放电元件以及与该气体放电元件连接成并联电路的第一压敏电阻，还包括具有较低压敏电压值的第二压敏电阻，所述第二压敏电阻与该并联电路串联连接，通过在气体放电元件的两端并联第一压敏电阻，再和低压敏电压值的第二压敏电阻串联，利用压敏电阻快速的响应时间（＜20ns），达到吸收电涌陡峭的波头的目的。
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公开(公告)号：CN110400665B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201810373496.5
申请日：2018-04-24
Applicant: 成都铁达电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及压敏电阻器技术领域，具体涉及一种芯片式低固有电容压敏电阻器，包括设有多个电极面的第一陶瓷芯片，以及连接在该第一陶瓷芯片上的第二陶瓷芯片，所述电极面包括第一电极面，以及布置在第一电极面相对侧的第二电极面和第三电极面，第二陶瓷芯片与第三电极面连接且与第二电极面分离，形成放电间隙，第二陶瓷芯片与第一陶瓷芯片的多个电极面之间分别形成压敏电阻，各个压敏电阻在不同的工作条件下处于不同的状态，从而取代了放电管和压敏电阻组合使用的方式，使压敏电阻器在具有较小静态电容量的同时，又具有较大的浪涌吸收能力，解决高频电路中大的浪涌吸收问题和采用放电管所存在的续流问题，节约生产成本和提高电路保护的可靠性。
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公开(公告)号：CN110400667B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201810373498.4
申请日：2018-04-24
Applicant: 成都铁达电子股份有限公司
IPC: H01C7/12
Abstract: 本发明涉及压敏电阻器技术领域，具体涉及一种低固有电容压敏电阻器，包括设有多个电极面的陶瓷芯片，以及连接在该陶瓷芯片上的电极，所述电极面包括第一电极面，以及布置在第一电极面相对侧且与该第一电极面形成高度差的第二电极面和第三电极面，电极连接在第三电极面后，与第二电极面形成放电间隙，从而使电极与陶瓷芯片的多个电极面之间形成包含有放电间隙的多个并联的压敏电阻，取代了放电管和压敏电阻组合使用的方式，使压敏电阻器在具有较小静态电容量的同时，又具有吸收大的浪涌能力，解决高频电路中大的浪涌吸收问题，同时解决了放电管和压敏电阻进行组合使用所存在的续流问题，节约生产成本和提高电路保护的可靠性。
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公开(公告)号：CN111837308A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201980005737.3
申请日：2019-07-01
Applicant: 成都铁达电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种新型的防雷过压保护电路及保护装置，保护电路包括第一压敏电阻片、第二压敏电阻片、瞬态抑制二极管、正温度系数热敏电阻片、气体放电管和引出端子，第一压敏电阻片与气体放电管串联，正温度系数热敏电阻片与瞬态抑制二极管串联，两个串联支路并联后再与第二压敏电阻片串联，形成一个单端口组合电路，其中，第一压敏电阻片和气体放电管耐受电涌冲击的性能均高于第二压敏电阻片耐受电涌冲击的性能；单端口组合电路的两个引出端子中至少有一个为低热阻导热端头，所述正温度系数热敏电阻片和/或第二压敏电阻片上分别热耦合有所述低热阻导热端头，所述瞬态抑制二极管可替换为齐纳二极管或电压开关型元件。
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公开(公告)号：CN110556220A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201810565735.7
申请日：2018-06-04
Applicant: 成都铁达电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及压敏电阻器技术领域，具体涉及一种陶瓷芯片及低限制电压压敏电阻器，包括气体放电元件以及与该气体放电元件连接成并联电路的第一压敏电阻，还包括具有较低压敏电压值的第二压敏电阻，所述第二压敏电阻与该并联电路串联连接，通过在气体放电元件的两端并联第一压敏电阻，再和低压敏电压值的第二压敏电阻串联，利用压敏电阻快速的响应时间（＜20ns），达到吸收电涌陡峭的波头的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110400667A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201810373498.4
申请日：2018-04-24
Applicant: 成都铁达电子股份有限公司
IPC: H01C7/12
Abstract: 本发明涉及压敏电阻器技术领域，具体涉及一种低固有电容压敏电阻器，包括设有多个电极面的陶瓷芯片，以及连接在该陶瓷芯片上的电极，所述电极面包括第一电极面，以及布置在第一电极面相对侧且与该第一电极面形成高度差的第二电极面和第三电极面，电极连接在第三电极面后，与第二电极面形成放电间隙，从而使电极与陶瓷芯片的多个电极面之间形成包含有放电间隙的多个并联的压敏电阻，取代了放电管和压敏电阻组合使用的方式，使压敏电阻器在具有较小静态电容量的同时，又具有吸收大的浪涌能力，解决高频电路中大的浪涌吸收问题，同时解决了放电管和压敏电阻进行组合使用所存在的续流问题，节约生产成本和提高电路保护的可靠性。
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公开(公告)号：CN110400666A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201810372700.1
申请日：2018-04-24
Applicant: 成都铁达电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及压敏电阻器技术领域，具体涉及一种组合式压敏电阻器，包括芯片和连接在该芯片上的气体放电元件，该芯片包括用于接入线路的第一电极面，以及设置在所述第一电极面相对侧的第二电极面和第三电极面，所述第二电极面和第三电极面与第一电极面形成高度差，所述气体放电元件的输入端连接在所述第二电极面上，其输出端汇入连接第三电极面的连接线路中，该压敏电阻器通过改变普通压敏电阻的结构，并组合设置了气体放电元件，使得该压敏电阻器在使用过程中，既解决了放电管响应较慢的缺陷，也不会产生续流问题，同时，当电路中出现较大浪涌时，该压敏电阻器还能对电路进行较好的保护，该压敏电阻器安装方便、成本较低。
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公开(公告)号：CN109066638A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811040195.7
申请日：2018-09-06
Applicant: 成都铁达电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种防雷过压保护电路及保护装置，保护电路包括第一压敏电阻片、第二压敏电阻片、瞬态抑制二极管、正温度系数热敏电阻片和引出端子，正温度系数热敏电阻片与瞬态抑制二极管串联后再一起与第一压敏电阻片并联，该串并联支路再与第二压敏电阻片串联，形成一个单端口组合电路，其中，第一压敏电阻片耐受电涌冲击的性能高于第二压敏电阻片耐受电涌冲击的性能；单端口组合电路的两个引出端子中至少有一个为低热阻导热端头，所述正温度系数热敏电阻片和/或第二压敏电阻片上分别热耦合有所述低热阻导热端头，所述瞬态抑制二极管可替换为齐纳二极管或电压开关型元件。
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公开(公告)号：CN108808650A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201811041601.1
申请日：2018-09-06
Applicant: 成都铁达电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高安全性能的浪涌保护器芯片，包括压敏电阻片、正温度系数热敏电阻片、气体放电管、过流保险器和引出端子，所述气体放电管与所述过流保险器串联后与所述正温度系数热敏电阻片并联，该串并联支路再与所述压敏电阻片串联，构成一个单端口组合电路，其中，所述过流保险器耐受电涌冲击的性能高于所述气体放电管，所述气体放电管耐受电涌冲击的性能高于所述压敏电阻片；所述单端口组合电路的两个引出端子中至少有一个为低热阻导热端头，所述压敏电阻片与所述正温度系数热敏电阻片热耦合，所述低热阻导热端头与所述压敏电阻片、所述正温度系数热敏电阻片中的其中一个或两个同时相互热耦合。
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公开(公告)号：CN115714053A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202110970950.7
申请日：2021-08-23
Applicant: 成都铁达电子股份有限公司
IPC: H01C17/075 , H01C7/112 , C23C14/34
Abstract: 本发明公开了一种压敏电阻制备方法及真空溅射镀膜设备、及其压敏电阻，包括：至少两个复合镀膜室、以及，设置在相邻两个所述复合镀膜室之间的第一冷却室；所述第一冷却室用于将相邻两个所述复合镀膜室之间的电极层温度降低至温度阈值以下。本发明所提供的真空镀膜设备通过在复合镀膜室之间设置冷却室降低电极温度防止压敏陶瓷基体在多个复合镀膜室的溅射中因为温度过高被还原，能够在真空镀膜设备中一次密封镀膜得到压敏电阻的电极层，所得电极层具有极佳的导电性能。
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