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公开(公告)号：CN112449730B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN201980048236.3
申请日：2019-07-19
Applicant: 戴森技术有限公司
IPC: H01M6/40 , H01M10/04 , H01M4/88 , H01M10/0562
Abstract: 公开了用于制造能源存储装置的方法。在基底上提供堆叠。堆叠包括第一电极层、第二电极层以及在第一电极层和第二电极层之间的电解质层。该方法包括与在基底上的堆叠的第二侧相反的堆叠的第一侧中形成第一凹槽，第二凹槽和第三凹槽。第一凹槽具有第一深度和包括第二电极层的第一暴露表面的第一表面。第二凹槽具有不同于第一深度的第二深度和包括第一电极层的暴露表面的第二表面。第三凹槽具有与第一深度基本相同的第三深度和包括第二电极层的第二暴露表面的第三表面。
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公开(公告)号：CN112449728B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN201980048215.1
申请日：2019-07-19
Applicant: 戴森技术有限公司
IPC: H01M6/18 , H01M6/40 , H01M10/04 , H01M10/0585
Abstract: 一种方法包括在基底上提供用于能量存储装置的堆叠，该堆叠包括第一电极层、第二电极层以及在第一电极层和第二电极层之间的电解质层。至少穿过第二电极层和电解质层形成凹槽，使得凹槽在第二电极层中比在电解质层中更宽。在凹槽中提供电绝缘材料。在凹槽中在绝缘材料上提供导电材料。
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公开(公告)号：CN112449730A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201980048236.3
申请日：2019-07-19
Applicant: 戴森技术有限公司
IPC: H01M6/40 , H01M10/04 , H01M4/88 , H01M10/0562
Abstract: 公开了用于制造能源存储装置的方法。在基底上提供堆叠。堆叠包括第一电极层、第二电极层以及在第一电极层和第二电极层之间的电解质层。该方法包括与在基底上的堆叠的第二侧相反的堆叠的第一侧中形成第一凹槽，第二凹槽和第三凹槽。第一凹槽具有第一深度和包括第二电极层的第一暴露表面的第一表面。第二凹槽具有不同于第一深度的第二深度和包括第一电极层的暴露表面的第二表面。第三凹槽具有与第一深度基本相同的第三深度和包括第二电极层的第二暴露表面的第三表面。
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公开(公告)号：CN114868224B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202080089400.8
申请日：2020-11-10
Applicant: 戴森技术有限公司
Abstract: 公开了一种用于将靶材料溅射沉积到基底的设备。在一种形式中，该设备包括在使用中在其中提供基底的基底部分和在使用中在其中提供靶材料的靶部分。靶部分和基底部分在它们之间限定沉积区。该设备包括在使用中用于产生等离子体的天线装置和限制装置。限制装置包括天线装置和沉积区之间的第一元件以及第二元件。天线装置位于第二元件和沉积区之间。第一元件在使用中将等离子体限制成朝向沉积区，以提供靶材料到基底的溅射沉积。第二元件在使用中将等离子体限制成远离第二元件，朝向天线装置，并且经由第一元件朝向沉积区。
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公开(公告)号：CN112470303B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN201980048216.6
申请日：2019-07-19
Applicant: 戴森技术有限公司
IPC: H01M4/04 , H01M4/139 , H01M6/40 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M10/058
Abstract: 一种方法包括获得用于能量存储装置的堆叠，该堆叠包括第一电极层，第二电极层以及在第一电极层和第二电极层之间的电解质层。该方法包括在第一电极层的暴露部分和电解质层的暴露部分上沉积第一材料；在第一材料上沉积第二材料并与第二电极层接触。第二材料提供与第二电极层的电连接，用于经由第二材料连接到另一这样的第二电极层。由此第一材料使第一电极层和电解质层的暴露部分与第二材料绝缘。还公开了一种设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114901854A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202080091044.3
申请日：2020-11-10
Applicant: 戴森技术有限公司
Abstract: 本文描述的某些示例涉及一种溅射沉积设备，其包括用于在传送方向上引导基底的引导构件；用于产生等离子体的等离子体元；以及磁体装置。磁体装置配置成在设备内将等离子体限制到预处理区，在该预处理区内，基底在使用中暴露于等离子体。磁体装置还配置成在设备内将等离子体限制到溅射沉积区，以在使用中提供靶材料到基底的溅射沉积，该溅射沉积区在传送方向上位于预处理区之后。预处理区和溅射沉积区围绕引导构件设置。
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公开(公告)号：CN112449728A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201980048215.1
申请日：2019-07-19
Applicant: 戴森技术有限公司
IPC: H01M6/18 , H01M6/40 , H01M10/04 , H01M10/0585
Abstract: 一种方法包括在基底上提供用于能量存储装置的堆叠，该堆叠包括第一电极层、第二电极层以及在第一电极层和第二电极层之间的电解质层。至少穿过第二电极层和电解质层形成凹槽，使得凹槽在第二电极层中比在电解质层中更宽。在凹槽中提供电绝缘材料。在凹槽中在绝缘材料上提供导电材料。
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公开(公告)号：CN112470312B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN201980048231.0
申请日：2019-07-19
Applicant: 戴森技术有限公司
IPC: H01M6/40 , H01M10/04 , H01M10/0562 , H01M10/0585
Abstract: 公开了用于制造能量存储装置的方法。这样的方法包括在基底的第一侧上提供第一堆叠并且在基底的与基底的第一侧相反的第二侧上提供第二堆叠。在示例中，第一凹槽和第三凹槽以彼此不同的深度形成在第一堆叠中，并且第二凹槽和第四凹槽以彼此不同的深度形成在第二堆叠中。在其他示例中，第一凹槽形成在第一堆叠中，第二凹槽形成在第二堆叠中，与第一凹槽基本对准，但是具有与第一凹槽不同的深度。
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公开(公告)号：CN114901854B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202080091044.3
申请日：2020-11-10
Applicant: 戴森技术有限公司
Abstract: 本文描述的某些示例涉及一种溅射沉积设备，其包括用于在传送方向上引导基底的引导构件；用于产生等离子体的等离子体元；以及磁体装置。磁体装置配置成在设备内将等离子体限制到预处理区，在该预处理区内，基底在使用中暴露于等离子体。磁体装置还配置成在设备内将等离子体限制到溅射沉积区，以在使用中提供靶材料到基底的溅射沉积，该溅射沉积区在传送方向上位于预处理区之后。预处理区和溅射沉积区围绕引导构件设置。
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公开(公告)号：CN112470336B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201980048227.4
申请日：2019-07-19
Applicant: 戴森技术有限公司
IPC: H01M50/581 , H01M4/04 , H01M10/0525
Abstract: 一种薄膜能量存储装置，包括基底；第一电极，其包括熔丝部分；第二电极；在第一电极和第二电极之间的电解质；以及不同于第一电极的电连接器，其通过熔丝部分连接到第一电极。
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