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公开(公告)号：CN108538998B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201810296532.2
申请日：2018-03-30
Applicant: 扬州乾照光电有限公司
IPC: H01L33/62
Abstract: 本发明实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底以及位于所述衬底表面的外延层；在所述半导体结构第一表面形成掩膜图形，所述掩膜图形曝露所述外延层预设区域的表面，所述预设区域用于形成P电极；在所述掩膜图形背离所述半导体结构一侧形成金属层结构，所述金属层结构包括层叠的多层金属层；去除所述金属层结构位于所述掩膜图形表面的部分区域以及所述掩膜图形，仅保留所述金属层结构位于所述预设区域的部分，形成P电极，完成焊盘结构的制作，以缩短生产周期，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN109787086B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910066985.0
申请日：2019-01-23
Applicant: 扬州乾照光电有限公司
Abstract: 本发明提供了一种VCSEL阵列芯片及其制作方法，涉及VCSEL阵列芯片技术领域，包括台柱、N‑DBR层、砷化镓衬底及N面电极；N‑DBR层及N面电极分别设置在砷化镓衬底的两侧，台柱设置在N‑DBR层上；台柱为中空的圆柱形结构，台柱的中央为金属孔；相邻台柱之间相交且相邻台柱的金属孔不相交；本发明提供的VCSEL阵列芯片中相邻台柱之间相交且相邻台柱的金属孔不相交，在同样面积芯片内制作更多的台柱时，与现有技术中的台柱相比，台柱的直径较长，使得台柱上的电极的接触面积增加，电极的欧姆接触电阻减小，欧姆接触电压降低，进而降低了欧姆接触电阻的热功率，增加了阵列芯片的光输出功率，提高了光电转换效率。
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公开(公告)号：CN108281532B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201810072169.6
申请日：2018-01-25
Applicant: 扬州乾照光电有限公司
Abstract: 本申请提供一种柔性LED芯片及其制作方法、封装方法，在柔性衬底上形成第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层。由于柔性衬底相对于蓝宝石衬底和硅衬底等硬质衬底，其厚度更薄，使得LED芯片的厚度更薄，散热更快。而通过在柔性衬底上形成两个过孔，在过孔中形成第一电极和第二电极，使得第一电极和第二电极裸露在柔性衬底的同一个表面，从而能够采用CSP工艺进行封装，使得封装后的LED芯片的厚度更薄，且封装工艺简单。
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公开(公告)号：CN108598867B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201810676332.X
申请日：2018-06-26
Applicant: 扬州乾照光电有限公司
Abstract: 本发明涉及VCSEL芯片领域，提供了一种DBR结构芯片及其制备方法。该DBR结构芯片包括GaAs衬底、依次从下至上生长于衬底的表面N‑DBR层和GaAs缓冲层，均生长于GaAs缓冲层的表面的MQW层和Al0.98Ga0.02As层，生长于MQW层和Al0.98Ga0.02As层的表面的GaAs防渗层，生长于GaAs防渗层的表面且与MQW层的图形对应的P‑DBR层以及制作于GaAs防渗层的表面的电极。其通过使用多次外延技术进行制作，有效的降低了芯片的体电阻，从而降低了芯片的电压及阈值电流，功率转换效率高。该制备方法简单，操作容易，获得的DBR结构芯片的体电阻降低，功率转换效率高。
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公开(公告)号：CN108281540B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201810076710.0
申请日：2018-01-26
Applicant: 扬州乾照光电有限公司
Abstract: 本申请提供一种热电分流垂直结构LED芯片及其制作方法，热电分流垂直结构LED芯片包括：衬底；位于衬底上的钝化层；位于钝化层上的LED外延结构；第一电极与LED外延结构朝向钝化层的表面欧姆接触，且位于LED外延结构的第二区域，第一电极与衬底之间绝缘；第二电极，第二电极与LED外延结构背离钝化层的表面欧姆接触。本发明中在芯片的衬底和LED外延结构之间插入一层钝化层，且将第一电极与衬底分开设置，从而使得衬底中不再通过电流，仅用于散热，也即将LED芯片的散热路径和电流路径分开为独立的两个路径，以便于衬底对热量进行散发，从而降低了LED器件的可靠性和寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108288665B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810082638.2
申请日：2018-01-29
Applicant: 扬州乾照光电有限公司
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明公开了一种具有电极导光结构的LED芯片及制作方法，该制作方法通过设置倒锥形结构和与该倒锥形结构相匹配的镜面金属电极结构，减少了镜面金属电极与MQW多量子阱有源层的接触面积，且锥形的电极结构的两个侧面有利于光进行反射出光，进而减少了电极吸光的问题。并且设置倒锤形结构的反射率小于所述透明导电层的反射率，减少了与空气之间的全反射，也进一步增加了出光量。还有在有效的外延层区域通过设置电极凹槽的结构，间接的增大了外延层区域的电流密度，更好的利于出光。
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公开(公告)号：CN108288663B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810088091.7
申请日：2018-01-30
Applicant: 扬州乾照光电有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片显示模组及制作方法，所述LED芯片显示模组由于GaAs衬底的外延层结构会发出红光，GaN衬底的外延层结构会发出蓝光，而通过凹槽结构和喷涂绿色荧光粉的设计，使GaN衬底的外延层结构通过导通不同的电极结构，实现发出蓝光和绿光，也就是说，控制三个正电极的导通就可以实现一个LED芯片显示模组发出不同基色的光，极大程度的减少了LED芯片显示模组的体积，封装显示时可用于制作高密度像素显示屏等设备。
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公开(公告)号：CN108923253A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810731132.X
申请日：2018-07-05
Applicant: 扬州乾照光电有限公司
Abstract: 本发明公开了一种VCSEL芯片及制作方法，该制作方法包括：提供一衬底，衬底划分为中间区域和包围中间区域的边缘区域；在中间区域上生长覆盖中间区域的结构层；生长氧化层，氧化层覆盖边缘区域以及覆盖结构层的侧壁和背离衬底一侧的表面；在氧化层背离结构层的一侧生长第一保护层，第一保护层部分覆盖中间区域，在氧化层背离衬底的一侧生长第二保护层，第二保护层部分覆盖边缘区域；对氧化层进行氧化处理；去除第一保护层，并在氧化层背离结构层的一侧生长P型布拉格反射镜层；去除第二保护层，并制作电极结构。该制作方法降低了工艺难度，在氧化处理阶段对氧化层进行氧化处理后再生长额外的外延层结构，其氧化均匀性很容易得以控制。
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公开(公告)号：CN108879323A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810676260.9
申请日：2018-06-26
Applicant: 扬州乾照光电有限公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明涉及VCSEL芯片领域，提供了一种单束激光的VCSEL芯片及其制备方法。该芯片包括GaAs衬底、外延层、SiNx层、光栅层、三角形镜面、环氧树脂层以及电极；外延层生长于GaAs衬底的表面，外延层被蚀刻有凹槽以及多个相互独立的外延单元，多个外延单元沿凹槽的中心线均匀分布；SiNx层沉积于多个外延单元的表面，光栅层被制作于SiNx层的表面，三角形镜面位于凹槽内，环氧树脂层填充于三角形镜面的周围，电极连接至SiNx层的表面。其能够使得从多个外延单元发出的光可以汇聚成一束激光，从而导致单束激光的VCSEL芯片的出光功率高。该制备方法简单，获得的芯片发光可以汇聚成一束激光，出光功率高。
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公开(公告)号：CN108400216A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810217839.9
申请日：2018-03-16
Applicant: 扬州乾照光电有限公司
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，包括：提供一外延片；在所述单晶层之上形成具有若干介质孔的介质层；在所述介质层之上依次形成镜面反射层和第一键合层，使所述镜面反射层与所述介质孔暴露的所述单晶层形成遂穿效应；将完成上述步骤的所述外延片与具有第二键合层的硅片对位贴位，使所述第一键合层和所述第二键合层键合；剥离所述外延片的衬底和截止层，使所述外延片的欧姆接触层形成电极；在所述硅片的与所述第二键合层相反的一面形成金属层。
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