公开(公告)号：CN119677381A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411977181.3

申请日：2024-12-31

Applicant: 扬州大学

Inventor： 李白茹 ,  杨云龙 ,  袁宁一 ,  丁建宁

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K85/50 ,  H10K30/50 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公开了一种埋底界面诱导一纬晶种制备钙钛矿薄膜的方法及其应用，包括，在清洗好的ITO或FTO玻璃上沉积自组装单分子层，得到器件的空穴传输层HTL；在HTL上沉积一层可优先生成1D钙钛矿的有机铵盐；在有机铵盐薄膜上层通过溶液法沉积钙钛矿薄膜，其中，钙钛矿薄膜中的溶质优先与基底的有机铵盐形成1D钙钛矿；对获得的钙钛矿薄膜进行退火处理，其中，已形成的1D钙钛矿作为晶种在退火过程中调节3D钙钛矿的晶体生长动力学，改善钙钛矿膜层质量。本发明优先形成的低纬钙钛矿作为晶种调节钙钛矿结晶，使钙钛矿的晶粒尺寸增大、晶界数目减少、晶体取向性改变、晶体缺陷减少；低纬钙钛矿在埋底界面形成低纬/3D异质结，有利于载流子的分离和传输。