公开(公告)号：CN119852216A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202510229087.8

申请日：2025-02-27

Applicant: 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司

Inventor： 李赫 ,  王磊 ,  沙俊汀 ,  马硕 ,  周海洋

IPC: H01L21/67 ,  C23C14/56 ,  C23C14/54 ,  C23C16/46 ,  C23C16/54 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明公开了一种半导体设备的晶圆暂存机构，其包括：冷却缓存腔体单元，连接于所述冷却缓存腔体单元的加热缓存腔体单元，用于驱动晶圆在所述冷却缓存腔体单元内升降动作的第一晶圆加载单元，以及用于驱动晶圆在所述加热缓存腔体单元内升降动作的第二晶圆加载单元。本发明还公开了一种薄膜沉积设备，其将晶圆加热腔体和晶圆冷却腔室集成在一起，降低晶圆工艺设备与冷却或加热单元之间的距离，降低晶圆转移所需时间，提高转移效率，同日集成结构提高了空间利用率，且采用升降模组驱动晶圆升降，方便晶圆加热或冷却以及传片，增强了通用性。