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公开(公告)号:CN119852216A
公开(公告)日:2025-04-18
申请号:CN202510229087.8
申请日:2025-02-27
Applicant: 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体设备的晶圆暂存机构,其包括:冷却缓存腔体单元,连接于所述冷却缓存腔体单元的加热缓存腔体单元,用于驱动晶圆在所述冷却缓存腔体单元内升降动作的第一晶圆加载单元,以及用于驱动晶圆在所述加热缓存腔体单元内升降动作的第二晶圆加载单元。本发明还公开了一种薄膜沉积设备,其将晶圆加热腔体和晶圆冷却腔室集成在一起,降低晶圆工艺设备与冷却或加热单元之间的距离,降低晶圆转移所需时间,提高转移效率,同日集成结构提高了空间利用率,且采用升降模组驱动晶圆升降,方便晶圆加热或冷却以及传片,增强了通用性。
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公开(公告)号:CN118565800A
公开(公告)日:2024-08-30
申请号:CN202311561043.2
申请日:2023-11-21
Applicant: 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
IPC: G01M13/003 , G01M3/28
Abstract: 本发明提供了一种半导体设备真空阀门测试装置,包括至少一路阀门测试装置,所述至少一路阀门测试装置包括:阀门测试工装;手动隔膜阀,控制填充气体与阀门测试工装间的通断;与阀门测试工装耦接的第一支路和第二支路,其中第一支路上设置有检漏仪器,第二支路上设置有颗粒测试仪。其中,所述阀门测试工装包括待测的真空阀门、位于所述真空阀门两侧的密封盲板、以及压力规安全阀总成;所述真空阀门与所述密封盲板之间形成密闭的独立腔室;所述密封盲板上设置有三个接口,分别为与回填气体管路连接的填充气体接口、与真空抽气管路连接的抽气接口以及与所述安全阀压力规总成连接的接口。
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公开(公告)号:CN119419141A
公开(公告)日:2025-02-11
申请号:CN202411589547.X
申请日:2024-11-07
Applicant: 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种真空传输阀门、控制方法及半导体薄膜设备,该真空传输阀门应用于半导体薄膜设备,真空传输阀门包括密封阀盒,密封阀盒与所述工艺腔室之间设置有第一密封件,还包括:第二密封件,设置于所述密封阀盒上,位于第一密封件与所述工艺腔室之间;转接部,设置于所述密封阀盒上,用于将所述第二密封件固定安装于所述密封阀盒上。本发明通过在真空传输阀门的密封阀盒上设置转接部和第二密封件,并使第二密封件位于第一密封件和工艺腔室之间,这样即便当第二密封件被腐蚀或者发生气体泄漏时,也可以直接通过拆卸转接部来实现对第二密封件进行更换的效果,从而避免密封阀盒与工艺腔室断开,以此缩短设备的宕机时间,提高密封件的更换效率。
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公开(公告)号:CN221943333U
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202323144769.4
申请日:2023-11-21
Applicant: 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种伺服逻辑阀,以及一种薄膜沉积装置。驱动机构,固定于第一腔室通往相邻的第二腔室的进口或出口,其上设有旋转轴;闸门,设有纵向的通孔,以固定安装所述旋转轴,其中,所述闸门在所述旋转轴的驱动下维持第一状态,以封闭所述第一腔室通往所述第二腔室的进口或出口,或在所述旋转轴的驱动下维持第二状态,以敞开所述第一腔室通往所述第二腔室的进口或出口;以及上盖,安装于所述闸门的所述通孔的顶端,并与所述闸门的顶面相平,以避免微粒在所述通孔中的所述旋转轴的顶部堆积。
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