公开(公告)号：CN102723252A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201210086527.1

申请日：2012-03-28

Applicant: 斯伊恩股份有限公司

Inventor： 二宫史郎 ,  越智昭浩 ,  木村靖彦 ,  冈本泰治 ,  弓山敏男

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/3023 ,  H01J37/3172 ,  H01J2237/30483 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/31706

Abstract: 本发明提供一种离子注入方法及离子注入装置，在机械扫描方向上将晶片面内的注入区域分割为多个，能够按各注入区域分别对射束扫描方向的射束扫描速度进行可变设定，并且根据通过与各注入区域的离子注入量分布对应的射束扫描速度的可变设定来计算出的速度模式，对射束扫描速度进行变更控制，按各注入区域分别控制晶片扫描速度，从而控制晶片面内的各注入区域的离子注入量，并且使按所述各注入区域控制射束扫描速度时的射束扫描频率和射束扫描振幅恒定，从而实现在各注入区域具有所希望的离子注入量分布的离子注入。

公开(公告)号：CN102723252B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201210086527.1

申请日：2012-03-28

Applicant: 斯伊恩股份有限公司

Inventor： 二宫史郎 ,  越智昭浩 ,  木村靖彦 ,  冈本泰治 ,  弓山敏男

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/3023 ,  H01J37/3172 ,  H01J2237/30483 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/31706

Abstract: 本发明提供一种离子注入方法及离子注入装置，在机械扫描方向上将晶片面内的注入区域分割为多个，能够按各注入区域分别对射束扫描方向的射束扫描速度进行可变设定，并且根据通过与各注入区域的离子注入量分布对应的射束扫描速度的可变设定来计算出的速度模式，对射束扫描速度进行变更控制，按各注入区域分别控制晶片扫描速度，从而控制晶片面内的各注入区域的离子注入量，并且使按所述各注入区域控制射束扫描速度时的射束扫描频率和射束扫描振幅恒定，从而实现在各注入区域具有所希望的离子注入量分布的离子注入。