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公开(公告)号：CN102723252A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210086527.1
申请日：2012-03-28
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/3023 , H01J37/3172 , H01J2237/30483 , H01J2237/31701 , H01J2237/31706
Abstract: 本发明提供一种离子注入方法及离子注入装置，在机械扫描方向上将晶片面内的注入区域分割为多个，能够按各注入区域分别对射束扫描方向的射束扫描速度进行可变设定，并且根据通过与各注入区域的离子注入量分布对应的射束扫描速度的可变设定来计算出的速度模式，对射束扫描速度进行变更控制，按各注入区域分别控制晶片扫描速度，从而控制晶片面内的各注入区域的离子注入量，并且使按所述各注入区域控制射束扫描速度时的射束扫描频率和射束扫描振幅恒定，从而实现在各注入区域具有所希望的离子注入量分布的离子注入。
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公开(公告)号：CN103681265B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201310367539.6
申请日：2013-08-21
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/66 , H01J37/317 , H01J37/244
CPC classification number: H01L22/14 , C23C14/48 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/0206
Abstract: 本发明提供一种离子注入方法以及离子注入装置，该技术适当地检测注入离子过程中的放电现象。本发明的离子注入方法，将由离子源产生的离子传输至晶圆，并以离子束照射晶圆而注入离子，其中，所述方法包括状态判断工序，该工序在向晶圆注入离子的过程中，使用多个能够检测存在放电可能性的现象的检测部，并根据检测出的存在放电可能性的现象的有无以及该现象影响离子束的程度来判断离子束的状态。
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公开(公告)号：CN103367088A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310106485.8
申请日：2013-03-29
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/244 , H01J37/147 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/147 , H01J37/304 , H01J2237/24521 , H01J2237/24535 , H01J2237/24542 , H01L21/265 , H01L21/67213
Abstract: 本发明提供了一种离子注入装置及其控制方法。通过多个固定式射束测量器以及可移动式或固定式射束测量装置测量离子束的纵向剖面、横向剖面及积分电流值。控制装置在离子注入前的射束电流调节阶段，根据所述固定式射束测量器以及所述可移动式或固定式射束测量装置的测量值，同时执行射束电流到所述射束电流的预设值的调节、确保横向离子束密度的均匀性所必需的横向射束尺寸的调节以及确保纵向离子注入分布的均匀性所必需的纵向射束尺寸的调节中的至少一者。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103681265A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310367539.6
申请日：2013-08-21
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/66 , H01J37/317 , H01J37/244
CPC classification number: H01L22/14 , C23C14/48 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/0206 , H01L21/265 , H01J37/244 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供一种离子注入方法以及离子注入装置，该技术适当地检测注入离子过程中的放电现象。本发明的离子注入方法，将由离子源产生的离子传输至晶圆，并以离子束照射晶圆而注入离子，其中，所述方法包括状态判断工序，该工序在向晶圆注入离子的过程中，使用多个能够检测存在放电可能性的现象的检测部，并根据检测出的存在放电可能性的现象的有无以及该现象影响离子束的程度来判断离子束的状态。
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公开(公告)号：CN103227087A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310028336.4
申请日：2013-01-24
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/265 , H01J37/3171 , H01J37/3172 , H01J2237/20228
Abstract: 本发明提供了一种离子注入方法及离子注入装置，在半导体晶片的平面上，制作包括全宽度非离子注入区域和局部离子注入区域的两种平面内区域，所述两种平面内区域在与离子束的扫描方向正交的方向上交替布置一次或多次。在制作局部离子注入区域期间，在可以固定半导体晶片的状态下，进行或终止对半导体晶片的离子束照射的同时，反复进行使用离子束的往复扫描直至可以满足目标剂量。在制作全宽度非离子注入区域期间，可以在不进行对半导体晶片的离子束照射的情况下移动半导体晶片。然后，通过反复进行多次对所述半导体晶片的固定和移动，在半导体晶片的期望的区域制作离子注入区域及非离子注入区域。
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公开(公告)号：CN103367088B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201310106485.8
申请日：2013-03-29
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/244 , H01J37/147 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/147 , H01J37/304 , H01J2237/24521 , H01J2237/24535 , H01J2237/24542 , H01L21/265 , H01L21/67213
Abstract: 本发明提供了一种离子注入装置及其控制方法。通过多个固定式射束测量器以及可移动式或固定式射束测量装置测量离子束的纵向剖面、横向剖面及积分电流值。控制装置在离子注入前的射束电流调节阶段，根据所述固定式射束测量器以及所述可移动式或固定式射束测量装置的测量值，同时执行射束电流到所述射束电流的预设值的调节、确保横向离子束密度的均匀性所必需的横向射束尺寸的调节以及确保纵向离子注入分布的均匀性所必需的纵向射束尺寸的调节中的至少一者。
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公开(公告)号：CN103227087B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201310028336.4
申请日：2013-01-24
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/265 , H01J37/3171 , H01J37/3172 , H01J2237/20228
Abstract: 本发明提供了一种离子注入方法及离子注入装置，在半导体晶片的平面上，制作包括全宽度非离子注入区域和局部离子注入区域的两种平面内区域，所述两种平面内区域在与离子束的扫描方向正交的方向上交替布置一次或多次。在制作局部离子注入区域期间，在可以固定半导体晶片的状态下，进行或终止对半导体晶片的离子束照射的同时，反复进行使用离子束的往复扫描直至可以满足目标剂量。在制作全宽度非离子注入区域期间，可以在不进行对半导体晶片的离子束照射的情况下移动半导体晶片。然后，通过反复进行多次对所述半导体晶片的固定和移动，在半导体晶片的期望的区域制作离子注入区域及非离子注入区域。
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公开(公告)号：CN102723252B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201210086527.1
申请日：2012-03-28
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/3023 , H01J37/3172 , H01J2237/30483 , H01J2237/31701 , H01J2237/31706
Abstract: 本发明提供一种离子注入方法及离子注入装置，在机械扫描方向上将晶片面内的注入区域分割为多个，能够按各注入区域分别对射束扫描方向的射束扫描速度进行可变设定，并且根据通过与各注入区域的离子注入量分布对应的射束扫描速度的可变设定来计算出的速度模式，对射束扫描速度进行变更控制，按各注入区域分别控制晶片扫描速度，从而控制晶片面内的各注入区域的离子注入量，并且使按所述各注入区域控制射束扫描速度时的射束扫描频率和射束扫描振幅恒定，从而实现在各注入区域具有所希望的离子注入量分布的离子注入。
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