公开(公告)号：CN103681265A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310367539.6

申请日：2013-08-21

Applicant: 斯伊恩股份有限公司

Inventor： 二宫史郎 ,  香川唯信 ,  弓山敏男 ,  舩井晃 ,  黑田隆之

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/66 ,  H01J37/317 ,  H01J37/244

CPC classification number: H01L22/14 ,  C23C14/48 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0206 ,  H01L21/265 ,  H01J37/244 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供一种离子注入方法以及离子注入装置，该技术适当地检测注入离子过程中的放电现象。本发明的离子注入方法，将由离子源产生的离子传输至晶圆，并以离子束照射晶圆而注入离子，其中，所述方法包括状态判断工序，该工序在向晶圆注入离子的过程中，使用多个能够检测存在放电可能性的现象的检测部，并根据检测出的存在放电可能性的现象的有无以及该现象影响离子束的程度来判断离子束的状态。

公开(公告)号：CN103681265B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201310367539.6

申请日：2013-08-21

Applicant: 斯伊恩股份有限公司

Inventor： 二宫史郎 ,  香川唯信 ,  弓山敏男 ,  舩井晃 ,  黑田隆之

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/66 ,  H01J37/317 ,  H01J37/244

CPC classification number: H01L22/14 ,  C23C14/48 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0206

Abstract: 本发明提供一种离子注入方法以及离子注入装置，该技术适当地检测注入离子过程中的放电现象。本发明的离子注入方法，将由离子源产生的离子传输至晶圆，并以离子束照射晶圆而注入离子，其中，所述方法包括状态判断工序，该工序在向晶圆注入离子的过程中，使用多个能够检测存在放电可能性的现象的检测部，并根据检测出的存在放电可能性的现象的有无以及该现象影响离子束的程度来判断离子束的状态。