公开(公告)号：CN101023495A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200580031416.9

申请日：2005-09-20

Applicant: 斯班逊有限公司

Inventor： D·汉密尔顿 ,  F·巴瑟图尔 ,  M·霍林尔克 ,  E·格申 ,  M·A·范布斯基尔克

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C11/5671 ,  G11C16/0475 ,  G11C16/34 ,  G11C16/3418 ,  G11C2211/5634

Abstract: 本发明系有关一种决定双端(dual sided)ONO闪存单元(500)中之位的电平(level)之技术(800)，其中可将该双端ONO闪存单元的每一位编程到多个电平(540、542、544)。本发明的一个或多个观点考虑到一位上的电荷之电平对另一位可能造成的影响，而此种影响也称为互补位干扰。系利用已知的跨导计量来作出位电平决定，以便提供较高程度的分辨率及正确性。在此种方式下，根据本发明的一个或多个观点决定该位电平会减少了不正确或错误的读取。

公开(公告)号：CN101023495B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200580031416.9

申请日：2005-09-20

Applicant: 斯班逊有限公司

Inventor： D·汉密尔顿 ,  F·巴瑟图尔 ,  M·霍林尔克 ,  E·格申 ,  M·A·范布斯基尔克

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C11/5671 ,  G11C16/0475 ,  G11C16/34 ,  G11C16/3418 ,  G11C2211/5634

Abstract: 本发明系有关一种决定双端(dual sided)ONO闪存单元(500)中之位的电平(level)之技术(800)，其中可将该双端ONO闪存单元的每一位编程到多个电平(540、542、544)。核心内存单元的位的电平是根据针对该位的核心电流斜率与对应于该位的可能电平的多个参考电流斜率所作的斜率比较来决定。本发明的一个或多个观点考虑到一位上的电荷之电平对另一位可能造成的影响，而此种影响也称为互补位干扰。系利用已知的跨导计量来作出位电平决定，以便提供较高程度的分辨率及正确性。在此种方式下，根据本发明的一个或多个观点决定该位电平会减少了不正确或错误的读取。

公开(公告)号：CN101317233A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200680027637.3

申请日：2006-07-17

Applicant: 斯班逊有限公司

Inventor： T-n·方 ,  C·S·比尔 ,  W·D·蔡 ,  D·高恩 ,  E·格申

IPC: G11C13/02

CPC classification number: G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77

Abstract: 本发明揭示增进并控制存储单元数据保持之系统及方法。产生并施加特定脉冲宽度及强度至存储单元，该存储单元由至少两个电极以及在该至少两个电极之间的可控制导电媒介所制成。侦测跨过该存储单元之电流并传送低输入脉冲(lower input pulse)给该存储单元。该低脉冲之应用控制该存储单元之数据保持而不会干扰该存储单元之最终编程状态。