公开(公告)号：CN1965371A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200580018934.7

申请日：2005-02-11

Applicant: 斯班逊有限公司

Inventor： E·席亚 ,  D·汉密尔顿 ,  F·巴瑟尔 ,  M·堀池

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C16/3413 ,  G11C11/5635 ,  G11C16/3404 ,  G11C16/3409

Abstract: 本发明提供将具有三个或三个以上数据状态(100、200)的多级闪存单元(MLB)区段擦除为单一数据状态(1000)的方法(400)。本发明使用交互式区段擦除方法(400)，该方法通过两个或者两个以上擦除阶段重复擦除(410、440)、验证(416)、软编程(420、450)和编程(430)该区段以达到高紧密的数据状态分布(300、1000)。于一个实施例中，该方法(400)于第一阶段本质上使用交互式擦除、软编程和编程脉冲将该区段中所有MLB存储单元擦除至中间状态(410、600)和对应的阈值电压值。然后在第二阶段(440、450)，该方法使用另外的交互式擦除(440)和软编程脉冲(450)进一步将该区段中的所有MLB存储单元擦除至最终数据状态以达到对应的预期的存储单元的最终阈值电压值(1000)。该方法(400)可以选用包括一个或者多个类似操作的附加阶段，这些阶段可以成功地将区段存储单元擦除至紧密分布的相同状态(1000)而为其后的编程操作做好准备。本方法的一个态样在于这些阶段所选择的实际阈值电压值和/或数据状态可以由使用者预定并输入至存储装置。

公开(公告)号：CN101099217B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200580046493.1

申请日：2005-12-20

Applicant: 斯班逊有限公司

Inventor： F·巴萨尔 ,  D·汉密尔顿 ,  M·堀池

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/04

CPC classification number: G11C16/16 ,  G11C11/5671

Abstract: 提供对多级闪存单元(MLB)的字线进行编程的方法(400)，该存储单元是每一位具有三个或更多个之数据层级对应于三个或更多个之阈值电压(300)。本发明采用交互式编程算法(400)，藉以于两个编程阶段中将存储单元的字线之位编程，以达成高度紧密之Vt分布，其中，前述两个编程阶段包括粗编程阶段(430)及精编程阶段(450)。

公开(公告)号：CN101099217A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200580046493.1

申请日：2005-12-20

Applicant: 斯班逊有限公司

Inventor： F·巴萨尔 ,  D·汉密尔顿 ,  M·堀池

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/04

CPC classification number: G11C16/16 ,  G11C11/5671

Abstract: 提供对多级闪存单元(MLB)的字线进行编程的方法(400)，该存储单元是每一位具有三个或更多个之数据层级对应于三个或更多个之阈值电压(300)。本发明采用交互式编程算法(400)，藉以于两个编程阶段中将存储单元的字线之位编程，以达成高度紧密之Vt分布，其中，前述两个编程阶段包括粗编程阶段(430)及精编程阶段(450)。