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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116646351B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202310630382.5
申请日：2022-03-25
Applicant: 新唐科技日本株式会社
Abstract: 一种能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置(1)，具备半导体层(40)和形成在半导体层(40)内的N(N是3以上的整数)个纵型MOS晶体管；N个纵型MOS晶体管分别在半导体层(40)的上表面具备与该纵型MOS晶体管的栅极电极电连接的栅极焊盘以及与该纵型MOS晶体管的源极电极电连接的1个以上的源极焊盘；半导体层N个纵型MOS晶体管的共通漏极区域发挥功能；半导体层(40)的平面图中的N个纵型MOS晶体管各自的面积与N个纵型MOS晶体管各自的最大规格电流对应，最大规格电流越大则越大。(40)具有半导体衬底(32)；半导体衬底(32)作为
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公开(公告)号：CN116250076A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202280006532.9
申请日：2022-03-25
Applicant: 新唐科技日本株式会社
IPC: H01L21/8234
Abstract: 一种能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置(1)，具备半导体层(40)和形成在半导体层(40)内的N(N是3以上的整数)个纵型MOS晶体管；N个纵型MOS晶体管分别在半导体层(40)的上表面具备与该纵型MOS晶体管的栅极电极电连接的栅极焊盘以及与该纵型MOS晶体管的源极电极电连接的1个以上的源极焊盘；半导体层(40)具有半导体衬底(32)；半导体衬底(32)作为N个纵型MOS晶体管的共通漏极区域发挥功能；半导体层(40)的平面图中的N个纵型MOS晶体管各自的面积与N个纵型MOS晶体管各自的最大规格电流对应，最大规格电流越大则越大。
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公开(公告)号：CN116646351A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310630382.5
申请日：2022-03-25
Applicant: 新唐科技日本株式会社
Abstract: 一种能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置(1)，具备半导体层(40)和形成在半导体层(40)内的N(N是3以上的整数)个纵型MOS晶体管；N个纵型MOS晶体管分别在半导体层(40)的上表面具备与该纵型MOS晶体管的栅极电极电连接的栅极焊盘以及与该纵型MOS晶体管的源极电极电连接的1个以上的源极焊盘；半导体层(40)具有半导体衬底(32)；半导体衬底(32)作为N个纵型MOS晶体管的共通漏极区域发挥功能；半导体层(40)的平面图中的N个纵型MOS晶体管各自的面积与N个纵型MOS晶体管各自的最大规格电流对应，最大规格电流越大则越大。
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公开(公告)号：CN114982078B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202080092513.3
申请日：2020-12-28
Applicant: 新唐科技日本株式会社
Abstract: 一种由发光元件(100)、包含开关元件(200)的半导体集成电路元件(700)、以及旁路电容器(3)构成的混合型的半导体装置(1)，发光元件(100)、半导体集成电路元件(700)和旁路电容器(3)形成电力回路；发光元件(100)和开关元件(200)构成各自的主面并行且面对而层叠的层叠体(2)；旁路电容器(3)的一方的电极(32)与层叠体(2)的下方元件连接，另一方的电极(31)与层叠体(2)的上方元件连接；旁路电容器(3)配置为，在平面视图中，设在旁路电容器(3)的内部从一方的电极(32)朝向另一方的电极(31)的方向为第1方向时，旁路电容器(3)的与第1方向并行的边具有与层叠体(2)的外缘的1边并行并且面对的部分。
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公开(公告)号：CN114982078A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202080092513.3
申请日：2020-12-28
Applicant: 新唐科技日本株式会社
Abstract: 一种由发光元件(100)、包含开关元件(200)的半导体集成电路元件(700)、以及旁路电容器(3)构成的混合型的半导体装置(1)，发光元件(100)、半导体集成电路元件(700)和旁路电容器(3)形成电力回路；发光元件(100)和开关元件(200)构成各自的主面并行且面对而层叠的层叠体(2)；旁路电容器(3)的一方的电极(32)与层叠体(2)的下方元件连接，另一方的电极(31)与层叠体(2)的上方元件连接；旁路电容器(3)配置为，在平面视图中，设在旁路电容器(3)的内部从一方的电极(32)朝向另一方的电极(31)的方向为第1方向时，旁路电容器(3)的与第1方向并行的边具有与层叠体(2)的外缘的1边并行并且面对的部分。
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