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公开(公告)号：CN109802553A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201810592979.4
申请日：2018-06-11
Applicant: 新唐科技股份有限公司
Inventor： 张育麒
IPC: H02M1/088 , H03K17/687
Abstract: 本发明揭露了一种半桥电路驱动芯片及其驱动方法，半桥电路驱动芯片包含高侧信号输入端、脉冲产生模块、电压位移转换器、电流检测模块、高侧输出模块以及高侧信号输出端。高侧信号输入端接收高侧输入信号，由脉冲产生模块转换成为上升脉冲信号及下降脉冲信号。电流检测模块检测电压位移转换器的第一电流及第二电流，由高侧输出模块形成高侧输出信号。高侧信号输出端利用高侧输出信号控制高侧晶体管的切换。
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公开(公告)号：CN108346654A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201711266670.8
申请日：2017-12-05
Applicant: 新唐科技股份有限公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L27/0921 , H01L29/0649 , H01L29/1083
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，包括高侧区域与低侧区域，其中的高侧区域包括多个半导体元件，且这些半导体元件中至少有两个不同操作电压的元件。在所述高侧区域中，还有至少一隔离结构位于所述不同操作电压的元件之间，以防止元件之间的短路。
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公开(公告)号：CN110120800B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN201811205623.7
申请日：2018-10-16
Applicant: 新唐科技股份有限公司
Inventor： 张育麒
IPC: H03K17/081 , H03K17/687
Abstract: 本发明提供了一种具保护电路的半桥电路驱动芯片及其保护方法。高侧电压监测模块连接于高侧信号输出端，监测高侧晶体管的高侧开启电压，形成高侧开启信号。低侧电压监测模块连接于低侧信号输出端，监测低侧晶体管的低侧开启电压，形成低侧开启信号。保护模块在接收高侧开启信号及低侧开启信号时，产生重设信号，输出至高侧驱动模块，关闭高侧晶体管，并输出至低侧驱动模块，关闭低侧晶体管。
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公开(公告)号：CN108257950A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201710207298.7
申请日：2017-03-31
Applicant: 新唐科技股份有限公司
Inventor： 温文莹 , 艾姆·迪伊姆·斯迪奇 , 张育麒
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种高电压电路的终端结构包括P型基底。磊晶层在基底上。N型掺杂结构在磊晶层中，与基底接触。P型掺杂结构在N型掺杂结构上，与阳极端连接。基底、N导电型掺杂结构以及P导电型掺杂结构，在垂直于基底的方向构成PNP路径，其中NP提供自举式二极管的功能，在水平方向环绕上桥电路。阴极在磊晶层中。N型磊晶掺杂区域在磊晶层中，与基底接触，于PNP路径与N型阴极电极结构之间，也环绕上桥电路。栅极结构在N导电型磊晶掺杂区域上，于P型掺杂结构与N型阴极电极结构之间。P型基极掺杂结构在磊晶层中，与N型掺杂结构，提供基底电压给基底。
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公开(公告)号：CN112448711B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201911197731.9
申请日：2019-11-29
Applicant: 新唐科技股份有限公司
IPC: H03K19/0175 , H01L27/092
Abstract: 一种高电压集成电路及其半导体结构，其中该半导体结构包括一衬底，衬底有依序相邻的高电压N型井区、N型井区及高电压P型井区。P型掺杂隔离区域位于N型井区将N型井区隔离出第一井区与第二井区，第二井区与高电压N型井区相邻。高电压P型晶体管，设置在高电压N型井区上，高电压P型晶体管有栅极、漏极以及源极，源极接收一操作高电压。N型晶体管有一栅极形成在N型井区及高电压P型井区的交界区域上；漏极形成在N型井区上与高电压P型晶体管的漏极连接；及源极形成在高电压P型井区上。电压箝制元件连接在高电压P型晶体管的漏极与源极之间。分压元件，连接在高电压P型晶体管的漏极到接地电压之间，提供一分压给N型晶体管的栅极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115940595A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111232034.X
申请日：2021-10-22
Applicant: 新唐科技股份有限公司
Inventor： 张育麒
IPC: H02M1/088
Abstract: 一种输出驱动电路，其高压晶体管使用较薄的氧化层厚度工艺，并通过高压晶体管的前端电路的设计，高压晶体管的柵极与源极之间的耐压程度可以往下调整，但漏极与源极之间的耐压程度一样可以达到25伏特，且不会影响输出端的特性规格。
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公开(公告)号：CN108346654B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201711266670.8
申请日：2017-12-05
Applicant: 新唐科技股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，包括高侧区域与低侧区域，其中的高侧区域包括多个半导体元件，且这些半导体元件中至少有两个不同操作电压的元件。在所述高侧区域中，还有至少一隔离结构位于所述不同操作电压的元件之间，以防止元件之间的短路。
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公开(公告)号：CN109802553B
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN201810592979.4
申请日：2018-06-11
Applicant: 新唐科技股份有限公司
Inventor： 张育麒
IPC: H02M1/088 , H03K17/687
Abstract: 本发明揭露了一种半桥电路驱动芯片及其驱动方法，半桥电路驱动芯片包含高侧信号输入端、脉冲产生模块、电压位移转换器、电流检测模块、高侧输出模块以及高侧信号输出端。高侧信号输入端接收高侧输入信号，由脉冲产生模块转换成为上升脉冲信号及下降脉冲信号。电流检测模块检测电压位移转换器的第一电流及第二电流，由高侧输出模块形成高侧输出信号。高侧信号输出端利用高侧输出信号控制高侧晶体管的切换。
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公开(公告)号：CN112448711A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201911197731.9
申请日：2019-11-29
Applicant: 新唐科技股份有限公司
IPC: H03K19/0175 , H01L27/092
Abstract: 一种高电压集成电路及其半导体结构，其中该半导体结构包括一衬底，衬底有依序相邻的高电压N型井区、N型井区及高电压P型井区。P型掺杂隔离区域位于N型井区将N型井区隔离出第一井区与第二井区，第二井区与高电压N型井区相邻。高电压P型晶体管，设置在高电压N型井区上，高电压P型晶体管有栅极、漏极以及源极，源极接收一操作高电压。N型晶体管有一栅极形成在N型井区及高电压P型井区的交界区域上；漏极形成在N型井区上与高电压P型晶体管的漏极连接；及源极形成在高电压P型井区上。电压箝制元件连接在高电压P型晶体管的漏极与源极之间。分压元件，连接在高电压P型晶体管的漏极到接地电压之间，提供一分压给N型晶体管的栅极。
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公开(公告)号：CN108257950B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201710207298.7
申请日：2017-03-31
Applicant: 新唐科技股份有限公司
Inventor： 温文莹 , 艾姆·迪伊姆·斯迪奇 , 张育麒
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种高电压电路的终端结构包括P型基底。磊晶层在基底上。N型掺杂结构在磊晶层中，与基底接触。P型掺杂结构在N型掺杂结构上，与阳极端连接。基底、N导电型掺杂结构以及P导电型掺杂结构，在垂直于基底的方向构成PNP路径，其中NP提供自举式二极管的功能，在水平方向环绕上桥电路。阴极在磊晶层中。N型磊晶掺杂区域在磊晶层中，与基底接触，于PNP路径与N型阴极电极结构之间，也环绕上桥电路。栅极结构在N导电型磊晶掺杂区域上，于P型掺杂结构与N型阴极电极结构之间。P型基极掺杂结构在磊晶层中，与N型掺杂结构，提供基底电压给基底。
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