公开(公告)号：CN101321889A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200680045237.5

申请日：2006-11-29

Applicant: 新明和工业株式会社

Inventor： 丸中正雄 ,  土屋贵之 ,  寺仓厚广 ,  武内清

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  H05H1/48

CPC classification number: H01J37/3266 ,  C23C14/046 ,  C23C14/35 ,  H01J37/32009 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明的片状等离子体成膜装置(100)具备能够将源等离子体(22)向输送方向发射的等离子体枪(40)、具有在输送方向上延伸的输送空间(21)的片状等离子体变形室(20)、同极相对夹着输送空间(21)配置的第1磁场发生手段对(24A、24B)、具有与输送空间(21)连通的成膜空间(31)的成膜室(30)、以及异极相对，夹着成膜空间配置的第2磁场发生手段对(32、33)，是使得源等离子体(22)在通过输送空间(21)移动的时候借助于第1磁场发生手段对(24A、24B)的磁场沿着包含中心的主面S片状扩展，片状等离子体(27)通过成膜空间(31)移动的时候借助于第2磁场发生手段对(32、33)的磁场从主面S凸状偏倚的装置。

公开(公告)号：CN101228291A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200680026619.3

申请日：2006-11-30

Applicant: 新明和工业株式会社

Inventor： 丸中正雄 ,  土屋贵之 ,  寺仓厚广 ,  武内清

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  H05H1/48

CPC classification number: H01J37/3266 ,  C23C14/35 ,  H01J37/32009

Abstract: 本发明的片状等离子体成膜装置(100)具有减压容器、等离子体枪(10)、阳极(51)、等离子体流动手段、成为所述减压容器一部分的片状等离子体变形室(20)、变形为片状等离子体的一对永磁体(24A、24B)、以及成为所述减压容器的一部分的成膜室(30)；所述减压容器具有构成所述成膜室(30)的开口部的第1、第2瓶颈部(29、39)，形成所述片状等离子体从所述片状等离子体变形室(20)通过该第1瓶颈部(29)流入所述成膜室(30)，而且该流入的片状等离子体通过第2瓶颈部(39)向所述阳极(51)流出的结构，在所述片状等离子体的厚度方向上，使所述第1、第2瓶颈部(29、39)的内部尺寸小于所述成膜室(30)的内径尺寸。

公开(公告)号：CN101124349A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200680005498.4

申请日：2006-12-04

Applicant: 新明和工业株式会社

Inventor： 丸中正雄 ,  土屋贵之 ,  寺仓厚广 ,  武内清

IPC: C23C14/34 ,  H05H1/48

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3266

Abstract: 本发明的目的在于，提供使片状等离子体上不发生角，以提高等离子体密度，改善溅射效率，又使片状等离子体上不发生角，从而能够安全运行的等离子体成膜装置。本发明的等离子体成膜装置具备：能够向所述输送方向放出等离子体的等离子体枪(1)、片状等离子体变形室(2)、使同极之间相对配置的磁场发生手段(9)的对、以及成膜室(3)；具有在输送方向上在磁场发生手段(9)的对的上游侧设置的成型电磁线圈(6)，磁场发生手段(9)的对以及成型电磁线圈(6)在通过输送中心(100)的成型电磁线圈(6)和磁场发生手段(9)的对的部分及其近旁，发生在输送方向上的磁通密度大致一定的磁场。