一种多晶硅还原炉壁面喷涂控制方法和系统

    公开(公告)号:CN115487973B

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202211338710.6

    申请日:2022-10-28

    Abstract: 本发明提供一种多晶硅还原炉壁面喷涂控制方法和系统,该方法包括:应用于喷涂控制系统,喷涂控制系统包括:机械臂装置、升降装置、控制装置和喷枪结构;控制装置用于:向机械臂装置发送第一控制信号,控制喷枪结构与还原炉内壁的第一区域之间保持第一状态;向升降装置发送第二控制信号,控制升降装置在第一方向上滑动,联动机械臂装置在第一方向运动,并控制喷枪结构与还原炉内壁的第二区域之间保持第一状态;在第一状态时,向喷枪结构发送第三控制信号,控制喷枪结构进行涂层喷涂;其中,第一方向为与喷涂系统的底面垂直的方向。本发明的方案解决了现有技术中存在的还原炉内壁喷涂旋转机构结构复杂、控制难度大问题。

    一种多晶硅还原炉壁面喷涂控制方法和系统

    公开(公告)号:CN115487973A

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202211338710.6

    申请日:2022-10-28

    Abstract: 本发明提供一种多晶硅还原炉壁面喷涂控制方法和系统,该方法包括:应用于喷涂控制系统,喷涂控制系统包括:机械臂装置、升降装置、控制装置和喷枪结构;控制装置用于:向机械臂装置发送第一控制信号,控制喷枪结构与还原炉内壁的第一区域之间保持第一状态;向升降装置发送第二控制信号,控制升降装置在第一方向上滑动,联动机械臂装置在第一方向运动,并控制喷枪结构与还原炉内壁的第二区域之间保持第一状态;在第一状态时,向喷枪结构发送第三控制信号,控制喷枪结构进行涂层喷涂;其中,第一方向为与喷涂系统的底面垂直的方向。本发明的方案解决了现有技术中存在的还原炉内壁喷涂旋转机构结构复杂、控制难度大问题。

    多晶硅还原炉喷嘴及多晶硅还原炉

    公开(公告)号:CN221275221U

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202323041696.6

    申请日:2023-11-09

    Abstract: 本实用新型公开了一种多晶硅还原炉喷嘴及多晶硅还原炉,可以降低进料气体在经过多晶硅还原炉喷嘴时的流速衰减速率,提高气体的喷射高度。该多晶硅还原炉喷嘴具有内孔,所述内孔包括依次连通的进气段(1)、过渡段(2)、稳流段(3)和锥形收口段(4)。在所述多晶硅还原炉喷嘴的纵截面中,沿气体的流向,内孔的孔径逐步缩小。其中,所述进气段(1)为直筒状,所述过渡段(2)的内径尺寸由大变小,所述过渡段(2)的内壁包括依次连接的第一圆弧和第二圆弧,所述第一圆弧与所述进气段(1)的内壁和所述第二圆弧分别相切,所述第二圆弧还和所述稳流段(3)的内壁相切。

    一种还原炉的喷涂系统
    5.
    实用新型

    公开(公告)号:CN218262693U

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN202222862769.7

    申请日:2022-10-28

    Abstract: 本实用新型提供了一种还原炉的喷涂系统,其中,所述喷涂系统包括:支撑底座,还原炉设置于支撑底座;设置于支撑底座上的旋转机构,旋转机构位于支撑底座与还原炉围成的容置空间中;喷涂设备,包括喷枪,旋转机构设置于旋转机构上;其中,喷枪能够在旋转机构的带动下在容置空间中移动,对还原炉进行热喷涂。还原炉放置在支撑底座上,支撑底座上的旋转机构与喷涂设备连接,喷涂设备中的喷枪能够在旋转机构的带动下移动,对还原炉表面进行喷涂。解决了现有技术中还原炉径向旋转时喷涂,还原炉并非完全对称,旋转时可能出现偏心导致安全事故,而且无通风除尘结构,热喷涂时容易造成内部电子元件因高温而失效的问题。

    一种还原炉喷涂装置及还原炉喷涂系统

    公开(公告)号:CN218423629U

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202222862695.7

    申请日:2022-10-28

    Abstract: 本实用新型提供了一种还原炉喷涂装置及还原炉喷涂系统,涉及多晶硅生产设备技术领域。该还原炉喷涂装置包括:支撑底座,用于固定安装还原炉,所述支撑底座内部与所述还原炉内部形成有一容置空间;第一驱动机构,设置于所述容置空间内;喷涂组件,与所述第一驱动机构固定连接,所述喷涂组件用于向所述还原炉的内壁喷涂涂料;其中,所述第一驱动机构驱动所述喷涂组件进行轴向运动和/或圆周运动。本实用新型的方案,解决了现有技术在对还原炉内壁进行喷涂时,需要将还原炉高速旋转所带来的安全性低且能耗成本大的问题。

    一种电刷镀装置
    7.
    实用新型

    公开(公告)号:CN218262809U

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN202222863235.6

    申请日:2022-10-28

    Abstract: 本实用新型提供了一种电刷镀装置,涉及多晶硅制备技术领域。该电刷镀装置包括:安装支架,用于固定安装待镀工件,所述安装支架与所述待镀工件之间形成有一容置空间;驱动机构,设置于所述容置空间内;刷镀组件,与所述驱动机构固定连接,所述刷镀组件用于对所述待镀工件的内壁进行刷镀;其中,所述驱动机构驱动所述刷镀组件进行轴向运动和/或圆周运动。本实用新型的方案,解决了现有的电刷镀装置难以适用于多晶硅还原炉的内壁修复及涂层制备的问题。

    生产工业硅的方法及工业硅生产系统

    公开(公告)号:CN116692870A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310711848.4

    申请日:2023-06-14

    Abstract: 本发明公开了一种生产工业硅的方法及工业硅生产系统,该方法包括以下步骤:1)向二氧化硅中通入氢气,加热反应,生成氧化亚硅和水;2)通过等离子体发生器对氢气进行电离形成氢等离子体,氧化亚硅与氢等离子体反应生成硅。本方法使用氢气代替现有技术中石油焦、煤炭等碳基还原剂,反应尾气中除氢气、水蒸气外基本无其他成分,且氢气、水蒸气可循环利用,显著降低了工业硅生产过程温室气体排放量,是一种绿色环保的工业硅生产工艺。通过硅石与氢气反应生成气态一氧化硅,气‑固反应的反应速率远高于现有工艺固‑固反应。在生产单质硅阶段使用等离子工艺将氢气生成氢等离子,进一步提高氢气的还原性,无需在高温高压环境下即可还原得到硅单质。

    一种混气系统及制备白炭黑的方法

    公开(公告)号:CN115138225A

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202210769740.6

    申请日:2022-06-30

    Abstract: 本发明提供一种混气系统及制备白炭黑的方法,所述混气系统包括:输气管道、混合腔体和稳流管道;其中,所述输气管道包括主管道和多条运输管道,多条所述运输管道与所述主管道的一端相连通;所述混合腔体包括一个空腔和设置在所述空腔内部的拉瓦尔管;所述主管道的另一端与所述混合腔体的侧壁连接,且与所述空腔连通;所述稳流管道的上端与所述拉瓦尔管相连通。相较于静态混合器,混合腔体结构简单,利用高速旋流和拉瓦尔管的方式,提高了气体混合均匀性,且管道压降更低,提高了能量利用效率。此外,所述混气系统的结构避免或减弱了管壁黏附高沸物、硅粉等杂质现象,提高生产安全性,延长了安全生产周期。

    一种尾气排放结构和还原炉

    公开(公告)号:CN113375058B

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202110661123.X

    申请日:2021-06-15

    Abstract: 本申请公开了一种尾气排放结构和还原炉,尾气排放结构包括:多个尾气支管;每个尾气支管的第一端与汇合管连通,多个尾气支管的第一端沿汇合管的周向间隔设置;汇集管的第一端与汇合管连通;汇集管的第二端与尾气母管的一端连通。尾气排放结构可应用在还原炉中,尾气支管的第二端可以与还原炉的底部的排气孔连通,还原炉中的尾气通过排气孔进入尾气支管中,尾气支管中的气体进入汇合管中后在汇合管中可以进行平衡,使得汇合管中的气体的压力流量更均匀稳定,汇合管中均匀稳定的气体稳定地流入汇集管,经过汇集管后从尾气母管排出,使得尾气的排出更均匀稳定,使得还原炉内的压力、流场、温度场稳定,提高多晶硅的生产质量。

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