公开(公告)号：CN117438380A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311420406.0

申请日：2019-03-28

Applicant: 无盖灯光电公司

Inventor： A·费沙利 ,  J·哈钦森

IPC: H01L23/26 ,  H01L23/00 ,  H01L21/50

Abstract: 本公开的实施例涉及III‑V族材料和氧化物材料之间的增强键合。当III‑V族半导体材料被键合到氧化物材料时，如果水分子被捕获在III‑V族材料和氧化物材料之间的界面处，则水分子会使键合降级。因为水分子可以容易地通过氧化物材料扩散，并且可以不容易通过III‑V族材料或通过硅扩散，因此迫使III‑V族材料抵靠氧化物材料能够迫使界面处的水分子进入氧化物材料并远离该界面。可以在制造期间，迫使界面处存在的水分子通过硅层中的垂直通道进入掩埋氧化物层，从而增强III‑V族材料和氧化物材料之间的键合。还可以迫使水分子通过氧化物材料中的横向通道、经过III‑V族材料的外围，并且通过扩散到氧化物材料外以进入大气。

公开(公告)号：CN110416224B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201910242503.2

申请日：2019-03-28

Applicant: 无盖灯光电公司

Inventor： A·费沙利 ,  J·哈钦森

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/762

Abstract: 本公开的实施例涉及III‑V族材料和氧化物材料之间的增强键合。当III‑V族半导体材料被键合到氧化物材料时，如果水分子被捕获在III‑V族材料和氧化物材料之间的界面处，则水分子会使键合降级。因为水分子可以容易地通过氧化物材料扩散，并且可以不容易通过III‑V族材料或通过硅扩散，因此迫使III‑V族材料抵靠氧化物材料能够迫使界面处的水分子进入氧化物材料并远离该界面。可以在制造期间，迫使界面处存在的水分子通过硅层中的垂直通道进入掩埋氧化物层，从而增强III‑V族材料和氧化物材料之间的键合。还可以迫使水分子通过氧化物材料中的横向通道、经过III‑V族材料的外围，并且通过扩散到氧化物材料外以进入大气。

公开(公告)号：CN113176630B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202110438985.6

申请日：2018-08-14

Applicant: 无盖灯光电公司

Inventor： A·费沙利 ,  J·哈钦森 ,  J·鲍特斯

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/136 ,  G02B6/14

Abstract: 本公开涉及平滑波导结构和制造方法。在被实现在绝缘体上半导体衬底中的集成光学结构(例如，硅‑氮化硅模式转换器)中，其侧壁基本上由与晶面一致的部分组成并且未横向延伸超过线波导的顶表面的线波导在性能和/或制造需要方面提供益处。这种线波导可以通过以下被制造：例如使用将半导体器件层向下干式蚀刻到绝缘体层以形成具有暴露侧壁的线波导，跟随有平滑结晶湿式蚀刻。