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公开(公告)号：CN101188266A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710199811.9
申请日：1999-03-10
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件，它是在具有多层氮化物半导体层的n侧区域和具有多层氮化物半导体层的p侧区域之间具有有源层的氮化物半导体元件，其特征在于：上述n侧区域的至少一层氮化物半导体层具有将含In的第一氮化物半导体膜和具有与该第一氮化物半导体膜不同组成的第二氮化物半导体膜层叠而成的n侧多层膜层，并且，上述第一氮化物半导体膜或上述第二氮化物半导体膜中的至少一方的膜厚为100或以下。
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公开(公告)号：CN1265228A
公开(公告)日：2000-08-30
申请号：CN98807519.9
申请日：1998-07-27
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/0421
Abstract: 本发明揭示一种氮化物半导体元器件,在用来作为LD和LED元件的氮化物半导体元器件中,为了提高输出,同时降低Vf,将N电极所形成的n型导电层作成以非掺杂氮化物半导体层夹住掺杂n型杂质的氮化物半导体层的三层层叠结构或氮化物超格子结构,n型导电层具有超过3×1018/cm3的载流子浓度,可降低电阻到不满8×10－3Ωcm。
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公开(公告)号：CN101188266B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710199811.9
申请日：1999-03-10
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件，它是在具有多层氮化物半导体层的n侧区域和具有多层氮化物半导体层的p侧区域之间具有有源层的氮化物半导体元件，其特征在于：上述n侧区域的至少一层氮化物半导体层具有将含In的第一氮化物半导体膜和具有与该第一氮化物半导体膜不同组成的第二氮化物半导体膜层叠而成的n侧多层膜层，并且，上述第一氮化物半导体膜或上述第二氮化物半导体膜中的至少一方的膜厚为100或以下。
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公开(公告)号：CN1933199A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610132272.2
申请日：1999-03-10
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 为了通过发挥使用多量子阱结构的有源层的特性，从而提高发光输出功率、扩大氮化物半导体发光元件的各种应用产品的适用范围，在具有多层氮化物半导体层的n侧区域与具有多层氮化物半导体层的p侧区域之间设有有源层的氮化物半导体发光元件中，在n侧区域和p侧区域的至少任意一方，形成有由两种氮化物半导体膜层叠而成的多层膜层。
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公开(公告)号：CN1292934A
公开(公告)日：2001-04-25
申请号：CN99803866.0
申请日：1999-03-10
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/12 , H01S5/32341
Abstract: 一种氮化物半导体发光元件,它在由许多层氮化物半导体膜构成的n侧区域与由许多层氮化物半导体膜构成的p侧区域之间,设有多量子阱结构的有源层,在上述n侧区域和p侧区域中至少在一个区域中形成由两种氮化物半导体膜构成的多层膜。这种氮化物半导体元件由于有源层能充分发挥其作用,所以能提高发光输出,并且适用于各种领域的实用制品。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100449808C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200610132272.2
申请日：1999-03-10
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 为了通过发挥使用多量子阱结构的有源层的特性，从而提高发光输出功率、扩大氮化物半导体发光元件的各种应用产品的适用范围，在具有多层氮化物半导体层的n侧区域与具有多层氮化物半导体层的p侧区域之间设有有源层的氮化物半导体发光元件中，在n侧区域和p侧区域的至少任意一方，形成有由两种氮化物半导体膜层叠而成的多层膜层。
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公开(公告)号：CN100426545C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200610132281.1
申请日：1999-03-10
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 为了通过发挥使用多量子阱结构的有源层的特性，从而提高发光输出功率、扩大氮化物半导体发光元件的各种应用产品的适用范围，在具有多层氮化物半导体层的n侧区域与具有多层氮化物半导体层的p侧区域之间设有有源层的氮化物半导体发光元件中，在n侧区域和p侧区域的至少任意一方，形成有由两种氮化物半导体膜层叠而成的多层膜层。
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公开(公告)号：CN1941436A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610132274.1
申请日：1999-03-10
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 为了通过发挥使用多量子阱结构的有源层的特性，从而提高发光输出功率、扩大氮化物半导体发光元件的各种应用产品的适用范围，在具有多层氮化物半导体层的n侧区域与具有多层氮化物半导体层的p侧区域之间设有有源层的氮化物半导体发光元件中，在n侧区域和p侧区域的至少任意一方，形成有由两种氮化物半导体膜层叠而成的多层膜层。
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公开(公告)号：CN1933201A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610132281.1
申请日：1999-03-10
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 为了通过发挥使用多量子阱结构的有源层的特性，从而提高发光输出功率、扩大氮化物半导体发光元件的各种应用产品的适用范围，在具有多层氮化物半导体层的n侧区域与具有多层氮化物半导体层的p侧区域之间设有有源层的氮化物半导体发光元件中，在n侧区域和p侧区域的至少任意一方，形成有由两种氮化物半导体膜层叠而成的多层膜层。
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公开(公告)号：CN1933200A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610132273.7
申请日：1999-03-10
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 为了通过发挥使用多量子阱结构的有源层的特性，从而提高发光输出功率、扩大氮化物半导体发光元件的各种应用产品的适用范围，在具有多层氮化物半导体层的n侧区域与具有多层氮化物半导体层的p侧区域之间设有有源层的氮化物半导体发光元件中，在n侧区域和p侧区域的至少任意一方，形成有由两种氮化物半导体膜层叠而成的多层膜层。
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