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公开(公告)号:CN102308395B
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN200980156321.8
申请日:2009-10-14
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/486 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L33/644 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明目的在于,提供一种能够实现高发光效率化的半导体发光装置。半导体发光装置(10)包括:封装(11)、在封装(11)的第一绝缘层上所载置的半导体发光元件(12)、和以被覆半导体发光元件(12)的方式在封装(11)上所设置的包封构件(13),封装(11)至少含有:第一绝缘层、第二绝缘层、在所述第一绝缘层的表面所形成的导电配线(14a、14b)、在第一绝缘层和第二绝缘层之间所配置的内层配线,其中,所述内层配线按照避开所述半导体发光元件(12)的外周区域的正下方区域的方式配线。
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公开(公告)号:CN102308395A
公开(公告)日:2012-01-04
申请号:CN200980156321.8
申请日:2009-10-14
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/486 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L33/644 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明目的在于,提供一种能够实现高发光效率化的半导体发光装置。半导体发光装置(10)包括:封装(11)、在封装(11)的第一绝缘层上所载置的半导体发光元件(12)、和以被覆半导体发光元件(12)的方式在封装(11)上所设置的包封构件(13),封装(11)至少含有:第一绝缘层、第二绝缘层、在所述第一绝缘层的表面所形成的导电配线(14a、14b)、在第一绝缘层和第二绝缘层之间所配置的内层配线,其中,所述内层配线按照避开所述半导体发光元件(12)的外周区域的正下方区域的方式配线。
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