公开(公告)号：CN119730488A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411348163.9

申请日：2024-09-26

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 兼平真吾 ,  川田至孝 ,  安倍弘喜

IPC: H10H20/811 ,  H10H20/81 ,  H10H20/825

Abstract: 提供一种能够以低电流驱动且能够降低正向电压的氮化物半导体发光元件。包括：第一n型半导体层；第一p型半导体层，其配置在第一n型半导体层上，与第一n型半导体层相接；第一超晶格层，其配置在第一p型半导体层上，包含p型杂质；活性层，其配置在第一超晶格层上；第二n型半导体层，其配置在活性层上；第一电极，其与第一n型半导体层电连接；第二电极，其与第二n型半导体层电连接。

公开(公告)号：CN114664986A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111587978.9

申请日：2021-12-23

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 安倍弘喜 ,  山下智也 ,  打田贤司

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种发光效率高的氮化物半导体发光元件。多个势垒层中位于第一势阱层之间的至少一个势垒层和多个势垒层中位于第二势阱层之间的至少一个势垒层包含含有n型杂质的第一势垒层、和含有n型杂质浓度比第一势垒层低的n型杂质且位于比第一势垒层靠p侧氮化物半导体层侧的第二势垒层，位于第一势阱层之间的第一势垒层的n型杂质浓度比位于第二势阱层之间的第一势垒层的n型杂质浓度高，多个势垒层中位于第一势阱层之间的势垒层的第一势垒层的n型杂质浓度和第二势垒层的n型杂质浓度之差比多个势垒层中位于第二势阱层之间的势垒层的第一势垒层的n型杂质浓度和第二势垒层的n型杂质浓度之差大。

公开(公告)号：CN114664985A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111577686.7

申请日：2021-12-22

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 安倍弘喜 ,  山下智也 ,  打田贤司

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，发光效率较高。该氮化物半导体发光元件包括：n侧氮化物半导体层、p侧氮化物半导体层、以及在n侧氮化物半导体层与p侧氮化物半导体层之间进行设置且包括由阱层与势垒层形成的多个层压部(5bw)的活性层(5)，多个阱层从n侧氮化物半导体层侧依次包括第一阱层(5w1)、第二阱层(5w2)、以及多个阱层之中最靠近p侧氮化物半导体层的第三阱层(5w3)，第二阱层(5w2)的膜厚比第一阱层(5w1)的膜厚厚，第三阱层(5w3)的膜厚比第二阱层(5w2)的膜厚厚，在多个势垒层之中位于第三阱层(5w3)与p侧氮化物半导体层之间的第一势垒层(5b1)中掺杂有p型杂质。