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公开(公告)号：CN108400205B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201810104283.2
申请日：2018-02-01
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 山下智也
Abstract: [课题]本发明提供一种能够抑制正向电压Vf的上升且提高亮度的氮化物半导体发光元件的制造方法。[解决手段]一种氮化物半导体发光元件的制造方法，其包括在使发光层生长之前先使具有InGaN层和GaN层的n侧超晶格层生长的n侧超晶格层生长工序，n侧超晶格层生长工序包括：将包含使1个InGaN层生长的InGaN层生长工序和使1个GaN层生长的GaN层生长工序的工序反复进行n个循环，在n侧超晶格层生长工序中，使用包含N2气体且不含H2气体的载气进行第1个循环～第m个循环中的GaN层生长工序，并使用包含H2气体的气体作为载气来进行第(m+1)个循环～第n个循环中的GaN层生长工序。
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公开(公告)号：CN114664986A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111587978.9
申请日：2021-12-23
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光效率高的氮化物半导体发光元件。多个势垒层中位于第一势阱层之间的至少一个势垒层和多个势垒层中位于第二势阱层之间的至少一个势垒层包含含有n型杂质的第一势垒层、和含有n型杂质浓度比第一势垒层低的n型杂质且位于比第一势垒层靠p侧氮化物半导体层侧的第二势垒层，位于第一势阱层之间的第一势垒层的n型杂质浓度比位于第二势阱层之间的第一势垒层的n型杂质浓度高，多个势垒层中位于第一势阱层之间的势垒层的第一势垒层的n型杂质浓度和第二势垒层的n型杂质浓度之差比多个势垒层中位于第二势阱层之间的势垒层的第一势垒层的n型杂质浓度和第二势垒层的n型杂质浓度之差大。
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公开(公告)号：CN114664985A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111577686.7
申请日：2021-12-22
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，发光效率较高。该氮化物半导体发光元件包括：n侧氮化物半导体层、p侧氮化物半导体层、以及在n侧氮化物半导体层与p侧氮化物半导体层之间进行设置且包括由阱层与势垒层形成的多个层压部(5bw)的活性层(5)，多个阱层从n侧氮化物半导体层侧依次包括第一阱层(5w1)、第二阱层(5w2)、以及多个阱层之中最靠近p侧氮化物半导体层的第三阱层(5w3)，第二阱层(5w2)的膜厚比第一阱层(5w1)的膜厚厚，第三阱层(5w3)的膜厚比第二阱层(5w2)的膜厚厚，在多个势垒层之中位于第三阱层(5w3)与p侧氮化物半导体层之间的第一势垒层(5b1)中掺杂有p型杂质。
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公开(公告)号：CN108400205A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810104283.2
申请日：2018-02-01
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 山下智也
CPC classification number: H01L33/04 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/2056 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种能够抑制正向电压Vf的上升且提高亮度的氮化物半导体发光元件的制造方法。一种氮化物半导体发光元件的制造方法，其包括在使发光层生长之前先使具有InGaN层和GaN层的n侧超晶格层生长的n侧超晶格层生长工序，n侧超晶格层生长工序包括：将包含使1个InGaN层生长的InGaN层生长工序和使1个GaN层生长的GaN层生长工序的工序反复进行n个循环，在n侧超晶格层生长工序中，使用包含N2气体且不含H2气体的载气进行第1个循环～第m个循环中的GaN层生长工序，并使用包含H2气体的气体作为载气来进行第(m+1)个循环～第n个循环中的GaN层生长工序。
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