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公开(公告)号：CN107221592A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710152765.0
申请日：2017-03-15
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/38 , H01L27/15 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62
Abstract: 提供一种确保可靠性且具有较高的光取出效率的发光元件。发光元件具有：半导体层积体、设置在半导体层积体的上表面的一部分的上部电极、设置在半导体层积体的下表面中从上部电极的正下方区域离开的区域的具有光反射性的下部电极、与上部电极的表面和半导体层积体的上表面连续而设置的保护膜，在下部电极的正上方区域设置的保护膜的厚度比与上部电极的表面和设有上部电极的区域的附近区域的半导体层积体的上表面连续而设置的保护膜的厚度薄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1176500C
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN00817076.2
申请日：2000-12-12
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明的发光元件，具有由含有铟(In)的氮化物半导体的活性层的发光元件，尤其是为了要提高发出长波长(550nm以上)的光的发光元件的发光输出，其在n型半导体层与p型半导体层之间形成有活性层，该活性层由有：由含有铟(In)的Inx1Ga1-x1N(x1＞0)的阱层、及由含有形成于该阱层上的铝(Al)的Aly2Ga1-y2N(y2＞0)的第一势垒层。
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公开(公告)号：CN107221592B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201710152765.0
申请日：2017-03-15
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 提供一种确保可靠性且具有较高的光取出效率的发光元件。发光元件具有：半导体层积体、设置在半导体层积体的上表面的一部分的上部电极、设置在半导体层积体的下表面中从上部电极的正下方区域离开的区域的具有光反射性的下部电极、在上部电极的表面和半导体层积体的上表面连续设置的保护膜，在下部电极的正上方区域设置的保护膜的厚度比在上部电极的表面和设有上部电极的区域的附近区域的半导体层积体的上表面连续设置的保护膜的厚度薄。
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公开(公告)号：CN1409875A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN00817076.2
申请日：2000-12-12
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明的发光元件，具有由含有铟(In)的氮化物半导体的活性层的发光元件，尤其是为了要提高发出长波长(550nm以上)的光的发光元件的发光输出，其在n型半导体层与p型半导体层之间形成有活性层，该活性层由有：由含有铟(In)的Inx1Ga1－x1N(x1＞0)的井层、及由含有形成于该井层上的铝(Al)的Aly2Ga1－y2N(y2＞0)的第一阻挡层。
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公开(公告)号：CN1290153C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN03146603.6
申请日：2003-07-07
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/44 , H01L21/76251 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/483 , H01L33/508 , H01L33/62 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/01013 , H01L2924/01037 , H01L2924/12032 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种具有相对向结构的氮化物半导体元件及其制造方法。在具有两个相对向的主面并具有比所述的n型和p型氮化物半导体层更大热膨胀系数的生长用基板的一个主面上，至少使n型氮化物半导体层、活性层和p型氮化物半导体层生长而形成结合用层叠体，然后，在p型氮化物半导体层上设置一层以上金属层而形成的第一结合层，同时在具有两个相对向的主面、比所述的n型和p型氮化物半导体层大且与所述的生长用基板具有同样小的热膨胀系数的基板的一个主面上设置由一层以上金属层形成的第二结合层，接着使第一结合层与第二结合层相对向，将结合用层叠体和支持基板热压结合，之后从结合用层叠体除去生长用基板，得到氮化物半导体元件。
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公开(公告)号：CN1476050A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03146603.6
申请日：2003-07-07
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/44 , H01L21/76251 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/483 , H01L33/508 , H01L33/62 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/01013 , H01L2924/01037 , H01L2924/12032 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种具有相对向结构的氮化物半导体元件及其制造方法。在具有两个相对向的主面并具有比所述的n型和p型氮化物半导体层更大热膨胀系数的生长用基板的一个主面上，至少使n型氮化物半导体层、活性层和p型氮化物半导体层生长而形成结合用层叠体，然后，在p型氮化物半导体层上设置一层以上金属层而形成的第一结合层，同时在具有两个相对向的主面、比所述的n型和p型氮化物半导体层大且与所述的生长用基板具有同样小的热膨胀系数的基板的一个主面上设置由一层以上金属层形成的第二结合层，接着使第一结合层与第二结合层相对向，将结合用层叠体和支持基板热压结合，之后从结合用层叠体除去生长用基板，得到氮化物半导体元件。
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