公开(公告)号：CN101506736B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200780031573.9

申请日：2007-08-20

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 堀口有亮 ,  新城彻也 ,  竹井敏

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/091 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明的课题是提供一种光刻用形成抗蚀剂下层膜的组合物，该组合物在半导体装置制造的光刻工艺中使用。作为本发明的解决问题的方法是，提供一种在半导体制造装置的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，该组合物含有树脂(A)、液体添加剂(B)和溶剂(C)。该液体添加剂(B)是脂肪族聚醚化合物。该液体添加剂(B)是聚醚多元醇、聚缩水甘油醚或它们的组合。本发明还提供一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：将形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在半导体基板上，然后进行烘烤，从而形成抗蚀剂下层膜的工序；在该下层膜上形成光致抗蚀剂层的工序；将被覆有抗蚀剂下层膜和光致抗蚀剂层的半导体基板进行曝光的工序；以及，曝光之后进行显影的工序。

公开(公告)号：CN104765252A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201510106827.5

申请日：2007-10-10

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 堀口有亮 ,  竹井敏 ,  新城彻也

IPC: G03F7/09

CPC classification number: G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/128

Abstract: 本发明的课题是提供在半导体装置制造的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为本发明解决问题的方法是，一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：在半导体基板上涂布含有聚合物、交联剂和光产酸剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物，从而形成涂膜的工序；通过对所述涂膜进行光照来形成下层膜的工序；通过在所述下层膜上涂布光致抗蚀剂用组合物并进行加热，来形成光致抗蚀剂的工序。上述聚合物是构成聚合物的主链或与主链结合的侧链具有苯环、杂环的聚合物。聚合物中苯环的含量为30～70质量％。聚合物是含有内酯结构的聚合物。

公开(公告)号：CN101506736A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200780031573.9

申请日：2007-08-20

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 堀口有亮 ,  新城彻也 ,  竹井敏

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/091 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明的课题是提供一种光刻用形成抗蚀剂下层膜的组合物，该组合物在半导体装置制造的光刻工艺中使用。作为本发明的解决问题的方法是，提供一种在半导体制造装置的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，该组合物含有树脂(A)、液体添加剂(B)和溶剂(C)。该液体添加剂(B)是脂肪族聚醚化合物。该液体添加剂(B)是聚醚多元醇、聚缩水甘油醚或它们的组合。本发明还提供一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：将形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在半导体基板上，然后进行烘烤，从而形成抗蚀剂下层膜的工序；在该下层膜上形成光致抗蚀剂层的工序；将被覆有抗蚀剂下层膜和光致抗蚀剂层的半导体基板进行曝光的工序；以及，曝光之后进行显影的工序。

公开(公告)号：CN101322074B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200680045563.6

申请日：2006-12-01

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  堀口有亮 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02126 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明的课题在于提供一种下层膜和用于形成该下层膜的形成下层膜的组合物，所述下层膜在半导体器件制造的光刻工序中在光致抗蚀剂的下层使用的，根据蚀刻气体的种类而具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度，不发生与光致抗蚀剂的混合，且能够使具有纵横比大的孔的半导体基板的表面平坦化。本发明通过提供下述形成下层膜的组合物而解决了上述课题，即，一种形成下层膜的组合物，其是用于在半导体器件制造的光刻工序中通过光照射形成在光致抗蚀剂的下层使用的下层膜的组合物，含有聚合性化合物(A)、光聚合引发剂(B)和溶剂(C)，所述聚合性化合物(A)含有5～45质量％的硅原子。

公开(公告)号：CN101523291A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037165.4

申请日：2007-10-10

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 堀口有亮 ,  竹井敏 ,  新城彻也

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  C08F220/10 ,  H01L21/027 ,  C08F220/26

CPC classification number: G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/128

Abstract: 本发明的课题是提供在半导体装置制造的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为本发明解决问题的方法是，一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：在半导体基板上涂布含有聚合物、交联剂和光产酸剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物，从而形成涂膜的工序；通过对所述涂膜进行光照来形成下层膜的工序；通过在所述下层膜上涂布光致抗蚀剂用组合物并进行加热，来形成光致抗蚀剂的工序。上述聚合物是构成聚合物的主链或与主链结合的侧链具有苯环、杂环的聚合物。聚合物中苯环的含量为30～70质量％。聚合物是含有内酯结构的聚合物。

公开(公告)号：CN101322074A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200680045563.6

申请日：2006-12-01

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  堀口有亮 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02126 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明的课题在于提供一种下层膜和用于形成该下层膜的形成下层膜的组合物，所述下层膜在半导体器件制造的光刻工序中在光致抗蚀剂的下层使用的，根据蚀刻气体的种类而具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度，不发生与光致抗蚀剂的混合，且能够使具有纵横比大的孔的半导体基板的表面平坦化。本发明通过提供下述形成下层膜的组合物而解决了上述课题，即，一种形成下层膜的组合物，其是用于在半导体器件制造的光刻工序中通过光照射形成在光致抗蚀剂的下层使用的下层膜的组合物，含有聚合性化合物(A)、光聚合引发剂(B)和溶剂(C)，所述聚合性化合物(A)含有5～45质量％的硅原子。