公开(公告)号：CN101558358B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200780046176.9

申请日：2007-12-11

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 加藤雅一 ,  滨田贵广 ,  榎本智之

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/095 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/30 ,  G03F7/322 ,  H01L21/0276

Abstract: 本发明的课题是提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的用于形成防反射膜的形成防反射膜的组合物，所述防反射膜能够用光致抗蚀剂用的碱性显影液进行显影，并提供使用该形成防反射膜的组合物来形成光致抗蚀剂图案的方法。作为本发明的解决问题的方法是，提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，含有碱溶性树脂(a)、多核酚(b)、至少具有2个乙烯基醚基的化合物(c)和光产酸剂(d)。碱溶性树脂(a)是含有具有羧基的结构单元的聚合物，且多核酚(b)是分子内具有2～30个酚性羟基的化合物。

公开(公告)号：CN101558358A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200780046176.9

申请日：2007-12-11

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 加藤雅一 ,  滨田贵广 ,  榎本智之

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/095 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/30 ,  G03F7/322 ,  H01L21/0276

Abstract: 本发明的课题是提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的用于形成防反射膜的形成防反射膜的组合物，所述防反射膜能够用光致抗蚀剂用的碱性显影液进行显影，并提供使用该形成防反射膜的组合物来形成光致抗蚀剂图案的方法。作为本发明的解决问题的方法是，提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，含有碱溶性树脂(a)、多核酚(b)、至少具有2个乙烯基醚基的化合物(c)和光产酸剂(d)。碱溶性树脂(a)是含有具有羧基的结构单元的聚合物，且多核酚(b)是分子内具有2～30个酚性羟基的化合物。