公开(公告)号：CN103229104A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180057083.2

申请日：2011-12-05

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 新城彻也 ,  奥山博明 ,  桥本圭祐 ,  染谷安信 ,  柄泽凉 ,  加藤雅一

IPC: G03F7/11

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C09D139/04 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明的课题是提供用于半导体装置制造的光刻工艺的具备耐热性的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法是一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含下述式(1)所示的单元结构和式(2)所示的单元结构，所述聚合物以摩尔比计为3～97：97～3的比例包含式(1)所示的单元结构和式(2)所示的单元结构。本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：在半导体基板上通过形成抗蚀剂下层膜的组合物来形成下层膜的工序；在该下层膜上形成硬掩模的工序；然后在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子束的照射与显影来形成图案化了的抗蚀剂膜的工序；按照图案化了的抗蚀剂膜对硬掩模进行蚀刻的工序；按照图案化了的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序；以及按照图案化了的下层膜对半导体基板进行加工的工序。

公开(公告)号：CN101558358B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200780046176.9

申请日：2007-12-11

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 加藤雅一 ,  滨田贵广 ,  榎本智之

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/095 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/30 ,  G03F7/322 ,  H01L21/0276

Abstract: 本发明的课题是提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的用于形成防反射膜的形成防反射膜的组合物，所述防反射膜能够用光致抗蚀剂用的碱性显影液进行显影，并提供使用该形成防反射膜的组合物来形成光致抗蚀剂图案的方法。作为本发明的解决问题的方法是，提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，含有碱溶性树脂(a)、多核酚(b)、至少具有2个乙烯基醚基的化合物(c)和光产酸剂(d)。碱溶性树脂(a)是含有具有羧基的结构单元的聚合物，且多核酚(b)是分子内具有2～30个酚性羟基的化合物。

公开(公告)号：CN101558358A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200780046176.9

申请日：2007-12-11

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 加藤雅一 ,  滨田贵广 ,  榎本智之

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/095 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/30 ,  G03F7/322 ,  H01L21/0276

Abstract: 本发明的课题是提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的用于形成防反射膜的形成防反射膜的组合物，所述防反射膜能够用光致抗蚀剂用的碱性显影液进行显影，并提供使用该形成防反射膜的组合物来形成光致抗蚀剂图案的方法。作为本发明的解决问题的方法是，提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，含有碱溶性树脂(a)、多核酚(b)、至少具有2个乙烯基醚基的化合物(c)和光产酸剂(d)。碱溶性树脂(a)是含有具有羧基的结构单元的聚合物，且多核酚(b)是分子内具有2～30个酚性羟基的化合物。

公开(公告)号：CN1556939A

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN02818490.4

申请日：2002-09-18

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 中山宽晴 ,  加藤雅一 ,  仁平贵康

IPC: G03F7/037 ,  G03F7/022 ,  C08L79/08 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08L79/08 ,  G03F7/0233

Abstract: 本发明提供一种在碱性水溶液显像时，无膜损耗、溶胀和剥离、固化后得出尺寸稳定性高的图案，最终固化膜的吸水率低、耐碱性优异的正感光性树脂组合物。该正感光性聚酰亚胺树脂组合物具有如下特征：含有具有通式(1)所示重复单元的有机溶剂可溶性聚酰亚胺、具有通式(2)所示重复单元的聚酰胺酸和通过光产生酸的化合物。式中，m、n为3以上、10000以下的整数，R1、R3为4价的有机基团，R2、R4为10 2价的有机基团，并且R2的5－100摩尔%为具有氟的2价有机基团。

公开(公告)号：CN103229104B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201180057083.2

申请日：2011-12-05

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 新城彻也 ,  奥山博明 ,  桥本圭祐 ,  染谷安信 ,  柄泽凉 ,  加藤雅一

IPC: G03F7/11

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C09D139/04 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明的课题是提供用于半导体装置制造的光刻工艺的具备耐热性的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法是一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含下述式(1)所示的单元结构和式(2)所示的单元结构，所述聚合物以摩尔比计为3～97：97～3的比例包含式(1)所示的单元结构和式(2)所示的单元结构。本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：在半导体基板上通过形成抗蚀剂下层膜的组合物来形成下层膜的工序；在该下层膜上形成硬掩模的工序；然后在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子束的照射与显影来形成图案化了的抗蚀剂膜的工序；按照图案化了的抗蚀剂膜对硬掩模进行蚀刻的工序；按照图案化了的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序；以及按照图案化了的下层膜对半导体基板进行加工的工序。

公开(公告)号：CN1245665C

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN02818490.4

申请日：2002-09-18

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 中山宽晴 ,  加藤雅一 ,  仁平贵康

IPC: G03F7/037 ,  G03F7/022 ,  C08L79/08 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08L79/08 ,  G03F7/0233

Abstract: 本发明提供一种在碱性水溶液显像时，无膜损耗、溶胀和剥离、固化后得出尺寸稳定性高的图案，最终固化膜的吸水率低、耐碱性优异的正感光性树脂组合物。该正感光性聚酰亚胺树脂组合物具有如下特征：含有具有通式(1)所示重复单元的有机溶剂可溶性聚酰亚胺、具有通式(2)所示重复单元的聚酰胺酸和通过光产生酸的化合物。式中，m、n为3以上、10000以下的整数，R1、R3为4价的有机基团，R2、R4为2价的有机基团，并且R2的5-100摩尔%为具有氟的2价有机基团。