公开(公告)号：CN1208683C

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN00816394.4

申请日：2000-11-24

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 石井和久 ,  中山宽晴 ,  仁平贵康 ,  袋裕善

IPC: G03F7/004 ,  C08L79/08

CPC classification number: H01L21/02118 ,  C08K5/20 ,  C08K5/28 ,  C08L79/08 ,  G03F7/0233 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明涉及正型感光性聚酰亚胺树脂组合物，该组合物的特征是，对应于100重量份具有式(1)，表示的重复单元的可溶于溶剂的聚酰亚胺，含有1～50重量份具有式(2)，表示的重复单元的聚酰亚胺前体，且对应于100重量份式(1)及式(2)的聚合物的合计量，含有1～100重量份邻醌二叠氮化物；式中，R1及R3表示2价有机基团，R2及R4表示4价有机基团。

公开(公告)号：CN100570483C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200480004773.1

申请日：2004-02-20

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  石井和久 ,  岸冈高广 ,  境田康志

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  C08L33/14

CPC classification number: G03F7/094 ,  G03F7/038 ,  Y10S430/109 ,  Y10S430/128

Abstract: 本发明提供一种光刻用形成填隙材料的组合物，其在双镶嵌工艺中使用、用于形成平坦化性、填充性优异的填隙材料。具体的说是一种形成填隙材料的组合物，其特征在于，该组合物用于半导体器件的制造中，所述半导体器件的制造是通过在具有用高度/直径表示的纵横比为大于等于1的孔的半导体基板上被覆光致抗蚀剂，并利用光刻工艺在半导体基板上转印图像的方法进行的，该组合物含有聚合物、交联剂和溶剂。

公开(公告)号：CN1732410A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200380107353.1

申请日：2003-12-25

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  石井和久 ,  荒濑慎哉

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/02118 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76808

Abstract: 本发明提供在双镶嵌工艺中使用的，有利于提高生产效率的光刻用形成填隙材料的组合物。具体地说涉及一种形成填隙材料的组合物，其特征在于，该组合物用于半导体器件的制造中，所述半导体器件的制造是通过在具有用高度/直径表示的纵横比为大于等于1的孔的基板上被覆光致抗蚀剂，并利用光刻工艺在基板上转印图像的方法进行的，所述形成填隙材料的组合物在被覆光致抗蚀剂前被覆在该基板上，该组合物含有具有羟基或羧基的聚合物和交联剂。由该形成填隙材料的组合物获得的填隙材料层可以利用碱水溶液进行回蚀。

公开(公告)号：CN1402841A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN00816394.4

申请日：2000-11-24

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 石井和久 ,  中山宽晴 ,  仁平贵康 ,  袋裕善

IPC: G03F7/023 ,  G03F7/038 ,  C08L79/08 ,  C08K5/28 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02118 ,  C08K5/20 ,  C08K5/28 ,  C08L79/08 ,  G03F7/0233 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明涉及正型感光性聚酰亚胺树脂组合物，该组合物的特征是，对应于100重量份具有式(1)表示的重复单元的可溶于溶剂的聚酰亚胺，含有1～50重量份具有式(2)表示的重复单元的聚酰亚胺前体，且对应于100重量份式(1)及式(2)的聚合物的合计量，含有1～100重量份邻醌二叠氮化物；式中，R1及R3表示2价有机基团，R2及R4表示4价有机基团。

公开(公告)号：CN1732410B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200380107353.1

申请日：2003-12-25

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  石井和久 ,  荒濑慎哉

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/02118 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76808

Abstract: 本发明提供在双镶嵌工艺中使用的，有利于提高生产效率的光刻用形成填隙材料的组合物。具体地说涉及一种形成填隙材料的组合物，其特征在于，该组合物用于半导体器件的制造中，所述半导体器件的制造是通过在具有用高度/直径表示的纵横比为大于等于1的孔的基板上被覆光致抗蚀剂，并利用光刻工艺在基板上转印图像的方法进行的，所述形成填隙材料的组合物在被覆光致抗蚀剂前被覆在该基板上，该组合物含有具有羟基或羧基的聚合物和交联剂。由该形成填隙材料的组合物获得的填隙材料层可以利用碱水溶液进行回蚀。

公开(公告)号：CN1751271A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200480004773.1

申请日：2004-02-20

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  石井和久 ,  岸冈高广 ,  境田康志

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  C08L33/14

CPC classification number: G03F7/094 ,  G03F7/038 ,  Y10S430/109 ,  Y10S430/128

Abstract: 本发明提供一种光刻用形成填隙材料的组合物，其在双镶嵌工艺中使用、用于形成平坦化性、填充性优异的填隙材料。具体的说是一种形成填隙材料的组合物，其特征在于，该组合物用于半导体器件的制造中，所述半导体器件的制造是通过在具有用高度/直径表示的纵横比为大于等于1的孔的半导体基板上被覆光致抗蚀剂，并利用光刻工艺在半导体基板上转印图像的方法进行的，该组合物含有聚合物、交联剂和溶剂。