公开(公告)号：CN113286799A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202080007651.7

申请日：2020-01-31

Applicant: 日本化药株式会社

Inventor： 井内俊文 ,  桥本雄太 ,  贞光雄一 ,  青竹达也

IPC: C07F5/02 ,  H01L31/10 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提供一种在近红外光区域具有广泛吸收且在近红外光区域的光电转换效率优良的有机化合物、含有该化合物的近红外光吸收材料、包含该近红外光吸收材料的有机薄膜及包含该有机薄膜的有机电子装置以及有机光电转换元件。本说明书中，提供下式(1)所示的化合物：(式(1)中，R1至R12各自独立地表示氢原子、脂肪族烃基、烷氧基、烷硫基、芳香族基、杂环基、卤素原子、羟基、巯基、硝基、取代胺基、非取代胺基、氰基、磺基、或酰基。其中，R1至R4的至少一者表示氢原子以外的基，且R5至R8的至少一者表示氢原子以外的基)。

公开(公告)号：CN109476681A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780046614.5

申请日：2017-10-26

Applicant: 日本化药株式会社

Inventor： 井内俊文 ,  青竹达也 ,  药师寺秀典 ,  阿部正宏 ,  品村祥司 ,  贞光雄一

IPC: C07F5/02 ,  C09B23/00 ,  C09K3/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在近红外线区域具有吸收带的通过噻吩环具有B-O螯合物结构的新颖二苯并吡咯亚甲基硼螯合化合物、以及使用其的近红外线吸收材料、薄膜、及有机电子器件。即，本发明是下述式(1)所表示的化合物。[化1] (所述式(1)中的X1至X6分别独立，为硫原子、具有氢原子的碳原子或具有取代基R0的碳原子，取代基R0表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳香族基、卤素原子、羟基、巯基、硝基、取代氨基、未经取代氨基、氰基、磺基、酰基、氨磺酰基、烷基氨磺酰基、氨甲酰基、或烷基氨甲酰基；另外，X1至X6之中邻接的基团可相互键合而形成环结构)。

公开(公告)号：CN106233466B

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201580021439.5

申请日：2015-04-22

Applicant: 日本化药株式会社

Inventor： 药师寺秀典 ,  新见一树 ,  森田陵太郎 ,  山本达也 ,  井内俊文 ,  滨田雅裕

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10

Abstract: 本发明提供一种用于摄像元件用光电转换元件的材料，其包含下述式(1)所示的化合物。使用了包含下述式(1)所示的化合物的用于摄像元件用光电转换元件的材料的光电转换元件在空穴或电子泄漏防止特性、对工艺温度的耐热性、可见光透明性等方面优异。式(1)中，R1和R2各自独立地表示取代或未取代的芳香族基团。

公开(公告)号：CN109476681B

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201780046614.5

申请日：2017-10-26

Applicant: 日本化药株式会社

Inventor： 井内俊文 ,  青竹达也 ,  药师寺秀典 ,  阿部正宏 ,  品村祥司 ,  贞光雄一

IPC: C07F5/02 ,  C09B23/00 ,  C09K3/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在近红外线区域具有吸收带的通过噻吩环具有B‑O螯合物结构的新颖二苯并吡咯亚甲基硼螯合化合物、以及使用其的近红外线吸收材料、薄膜、及有机电子器件。即，本发明是下述式(1)所表示的化合物。[化1](所述式(1)中的X1至X6分别独立，为硫原子、具有氢原子的碳原子或具有取代基R0的碳原子，取代基R0表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳香族基、卤素原子、羟基、巯基、硝基、取代氨基、未经取代氨基、氰基、磺基、酰基、氨磺酰基、烷基氨磺酰基、氨甲酰基、或烷基氨甲酰基；另外，X1至X6之中邻接的基团可相互键合而形成环结构)。

公开(公告)号：CN110085742A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201910125769.9

申请日：2015-04-22

Applicant: 日本化药株式会社

Inventor： 药师寺秀典 ,  新见一树 ,  森田陵太郎 ,  山本达也 ,  井内俊文 ,  滨田雅裕

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L27/146 ,  C07D495/04

Abstract: 本发明涉及用于摄像元件用光电转换元件的材料和包含该材料的光电转换元件。本发明提供一种用于摄像元件用光电转换元件的材料，其包含下述式(1)所示的化合物。使用了包含下述式(1)所示的化合物的用于摄像元件用光电转换元件的材料的光电转换元件在空穴或电子泄漏防止特性、对工艺温度的耐热性、可见光透明性等方面优异。式(1)中，R1和R2各自独立地表示取代或未取代的芳香族基团。

公开(公告)号：CN106233466A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580021439.5

申请日：2015-04-22

Applicant: 日本化药株式会社

Inventor： 药师寺秀典 ,  新见一树 ,  森田陵太郎 ,  山本达也 ,  井内俊文 ,  滨田雅裕

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10

Abstract: 本发明提供一种用于摄像元件用光电转换元件的材料，其包含下述式(1)所示的化合物。使用了包含下述式(1)所示的化合物的用于摄像元件用光电转换元件的材料的光电转换元件在空穴或电子泄漏防止特性、对工艺温度的耐热性、可见光透明性等方面优异。式(1)中，R1和R2各自独立地表示取代或未取代的芳香族基团。