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公开(公告)号：CN1311002C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200380101379.5
申请日：2003-10-10
Applicant: 日本化药株式会社 , 三光化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及生产用作离子交换树脂的含磺烷基聚合物的生产方法，更特别的，涉及生产含磺烷基聚合物的方法，特征在于使具有结构式(1)表示的侧链的聚合物：其中X是离去基团，n是0～6的整数]通过酰硫基取代X，然后将酰硫基基团氧化为磺酸基。根据该方法，由于包含于聚合物母体中的离去基团(X)可以由磺酸基几乎定量地取代，由此可以得到具有高离子交换容量的离子交换树脂。
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公开(公告)号：CN105122492A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480021859.9
申请日：2014-03-07
Applicant: 国立大学法人神户大学 , 日本化药株式会社
IPC: H01L51/40 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L51/0508 , H01L51/0545 , H01L51/055
Abstract: 本发明的目的是提供一种有机半导体薄膜形成方法和一种使用所述有机半导体薄膜的有机半导体装置制造方法。这种有机半导体薄膜制造方法涉及将具有凹部的模具设置在基板上的步骤以及将有机半导体溶液引入由所述凹部与所述基板形成的空隙中的步骤。
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公开(公告)号：CN105103324A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480020235.5
申请日：2014-03-07
Applicant: 日本化药株式会社
IPC: H01L51/40 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L51/0074 , H01L51/0541
Abstract: 本发明的目的在于提供通过简易的工艺形成晶体沿一定方向生长的有机半导体薄膜的方法。一种有机薄膜的形成方法，其为在两个树脂基材之间形成有机半导体材料的有机薄膜的方法，其中，所述方法包括通过使用热层压法对配置有所述有机半导体材料的一个树脂基材和另一个树脂基材进行压制而将其贴合。
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公开(公告)号：CN107360720A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201680017582.1
申请日：2016-03-23
Applicant: 日本化药株式会社
IPC: C07D495/04 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L51/46 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0074 , C07D495/04 , H01L29/786 , H01L51/0004 , H01L51/0028 , H01L51/05 , H01L51/0508 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0566 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的课题提供室温下有机溶剂溶解性、溶液保存稳定性及耐热性优异的有机化合物、含有该有机化合物的有机半导体材料、使用该有机半导体材料并通过室温印刷制程获得的有机薄膜、及含有该有机薄膜而成的具有高移动率和耐热性的有机半导体装置。本发明提供一种下述式(A)所示的有机化合物及含有该有机化合物的有机半导体材料。(式中，R1及R2的任一者表示烷基、具有烷基的芳香族烃基或具有烷基的杂环基，另一者表示脂肪族烃基、芳香族烃基或杂环基。但排除R1及R2两者皆表示烷基的情形)。
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公开(公告)号：CN104903329A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201380049630.1
申请日：2013-08-22
Applicant: 日本化药株式会社
IPC: C07D495/04 , C07D517/04
CPC classification number: C07D495/22 , C07D493/04 , C07D495/04 , C07D517/04 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0073 , H01L51/0074
Abstract: 从由通式(1)表示的杂环化合物生产由通式(2)表示的杂环化合物的方法(在式中，X1表示卤素原子；Y1和Y2各自独立地表示氧原子、硫原子或硒原子；R1和R2各自独立地表示取代基；m和n分别表示取代基R1和R2的数量；m和n的每一个表示0至4的整数；并且当m是2以上时，R1可以相同或不同或者可以彼此连接从而形成任选取代的环，并且当n是2以上时，R2可以相同或不同或者可以彼此连接从而形成任选取代的环)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101842934B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200880114271.2
申请日：2008-10-30
Applicant: 日本化药株式会社
CPC classification number: H01G9/2063 , H01G9/2059 , H01G9/2068 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种染料敏化太阳能电池模块，其包含布置在平面上的染料敏化太阳能电池。每个染料敏化太阳能电池包含：第一基底，其上设置具有光电转换层形成部和延伸部的第一导电层；作为对电极的第二基底，其上设置由电荷传输层接触部和延伸部构成的第二导电层，所述第二导电层具有设置在第一导电层的光电转换层形成部上的光电转换层；设置在第一导电层的延伸部和/或第二导电层的延伸部上的第三导电层；使染料敏化太阳能电池与相邻的染料敏化太阳能电池分隔的分隔壁；及电荷传输层。部分或整个分隔壁含有表面上具有导电层的导电粒子。导电粒子的导电层、染料敏化太阳能电池的第一导电层延伸部和相邻染料敏化太阳能电池的第二导电层延伸部经由设置在第一导电层的延伸部和/或第二导电层的延伸部上的第三导电层串联电连接。
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公开(公告)号：CN106233466B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201580021439.5
申请日：2015-04-22
Applicant: 日本化药株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/10
Abstract: 本发明提供一种用于摄像元件用光电转换元件的材料，其包含下述式(1)所示的化合物。使用了包含下述式(1)所示的化合物的用于摄像元件用光电转换元件的材料的光电转换元件在空穴或电子泄漏防止特性、对工艺温度的耐热性、可见光透明性等方面优异。式(1)中，R1和R2各自独立地表示取代或未取代的芳香族基团。
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公开(公告)号：CN105008374B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201480011277.2
申请日：2014-02-27
Applicant: 日本化药株式会社
IPC: C07D495/04 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L51/42
CPC classification number: H01L51/0074 , C07D493/04 , C07D495/04 , C07D517/04 , H01L51/0051 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 本发明提供：一种新型化合物，其具有高迁移率和开关比并可用于有机电子装置；以及一种制造所述化合物的方法。一种由通式(1)表示的稠合多环芳族化合物。(在所述式中，A表示1,5‑二氢化萘环或2,6‑二氢化萘环；R1、R2、R3和R4各自独立地表示氢原子、卤族原子、取代的或未取代的脂族烃基、取代的或未取代的脂环族烃基、取代的或未取代的芳族烃基、取代的或未取代的烃氧基、取代的或未取代的酯基、取代的或未取代的酰基或取代的或未取代的氰基；且X1和X2各自独立地表示氧原子、硫原子或硒原子。)
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公开(公告)号：CN104903329B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201380049630.1
申请日：2013-08-22
Applicant: 日本化药株式会社
IPC: C07D495/04 , C07D517/04
CPC classification number: C07D495/22 , C07D493/04 , C07D495/04 , C07D517/04 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0073 , H01L51/0074
Abstract: 从由通式(1)表示的杂环化合物生产由通式(2)表示的杂环化合物的方法(在式中，X1表示卤素原子；Y1和Y2各自独立地表示氧原子、硫原子或硒原子；R1和R2各自独立地表示取代基；m和n分别表示取代基R1和R2的数量；m和n的每一个表示0至4的整数；并且当m是2以上时，R1可以相同或不同或者可以彼此连接从而形成任选取代的环，并且当n是2以上时，R2可以相同或不同或者可以彼此连接从而形成任选取代的环)。
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公开(公告)号：CN105008374A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480011277.2
申请日：2014-02-27
Applicant: 日本化药株式会社
IPC: C07D495/04 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L51/42
CPC classification number: H01L51/0074 , C07D493/04 , C07D495/04 , C07D517/04 , H01L51/0051 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 本发明提供：一种新型化合物，其具有高迁移率和开关比并可用于有机电子装置；以及一种制造所述化合物的方法。一种由通式(1)表示的稠合多环芳族化合物。(在所述式中，A表示1,5-二氢化萘环或2,6-二氢化萘环；R1、R2、R3和R4各自独立地表示氢原子、卤族原子、取代的或未取代的脂族烃基、取代的或未取代的脂环族烃基、取代的或未取代的芳族烃基、取代的或未取代的烃氧基、取代的或未取代的酯基、取代的或未取代的酰基或取代的或未取代的氰基；且X1和X2各自独立地表示氧原子、硫原子或硒原子)。
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