公开(公告)号：CN109075256A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201680049676.7

申请日：2016-08-29

Applicant: 国立大学法人千叶大学 ,  日本化药株式会社

Inventor： 酒井正俊 ,  工藤一浩 ,  贞光雄一

IPC: H01L51/40

Abstract: 本发明提供一种有机半导体装置的制造方法以及适合该制造方法的材料，该制造方法能以无溶剂且高生产量地形成有机半导体薄膜。有机半导体装置的制造方法，包含将含有有机半导体材料的带电粉体通过静电场的外加而在基材(23)上图案化的步骤。

公开(公告)号：CN106796987B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201580038837.8

申请日：2015-07-14

Applicant: 日本化药株式会社

Inventor： 酒井正俊 ,  工藤一浩 ,  贞光雄一

IPC: H01L51/05 ,  H01L21/336 ,  H01L21/368 ,  H01L29/786 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明提供可以通过短时间的处理形成有机半导体薄膜的有机半导体薄膜的形成方法，并且提供利用上述有机半导体薄膜的有机半导体器件，以及生产量高的有机半导体器件的制造方法。在包含有机半导体材料(7)的有机半导体薄膜(4)的形成方法中，对有机半导体材料(7)一边施加压力一边赋予超声波振动，由此将有机半导体材料(7)制成薄膜。有机半导体器件的制造方法为包含有机半导体薄膜的有机半导体器件的制造方法，其中，通过上述形成方法形成有机半导体薄膜。有机半导体器件为通过上述制造方法制造的有机半导体器件。

公开(公告)号：CN106796987A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580038837.8

申请日：2015-07-14

Applicant: 日本化药株式会社

Inventor： 酒井正俊 ,  工藤一浩 ,  贞光雄一

IPC: H01L51/05 ,  H01L21/336 ,  H01L21/368 ,  H01L29/786 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L51/05

Abstract: 本发明提供可以通过短时间的处理形成有机半导体薄膜的有机半导体薄膜的形成方法，并且提供利用上述有机半导体薄膜的有机半导体器件，以及生产量高的有机半导体器件的制造方法。在包含有机半导体材料(7)的有机半导体薄膜(4)的形成方法中，对有机半导体材料(7)一边施加压力一边赋予超声波振动，由此将有机半导体材料(7)制成薄膜。有机半导体器件的制造方法为包含有机半导体薄膜的有机半导体器件的制造方法，其中，通过上述形成方法形成有机半导体薄膜。有机半导体器件为通过上述制造方法制造的有机半导体器件。

公开(公告)号：CN105103324A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480020235.5

申请日：2014-03-07

Applicant: 日本化药株式会社

Inventor： 酒井正俊 ,  工藤一浩 ,  贞光雄一 ,  滨田雅裕

IPC: H01L51/40 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/0024 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0541

Abstract: 本发明的目的在于提供通过简易的工艺形成晶体沿一定方向生长的有机半导体薄膜的方法。一种有机薄膜的形成方法，其为在两个树脂基材之间形成有机半导体材料的有机薄膜的方法，其中，所述方法包括通过使用热层压法对配置有所述有机半导体材料的一个树脂基材和另一个树脂基材进行压制而将其贴合。